電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

NVSRAM

達(dá)拉斯半導(dǎo)體NVSRAM（圖1）具有內(nèi)部鋰電源和獨(dú)立的控制電路，可持續(xù)監(jiān)控V抄送超出公差條件。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，鋰電池會(huì)自動(dòng)打開(kāi)并無(wú)條件啟用寫(xiě)保護(hù)以防止數(shù)據(jù)損壞?？梢詧?zhí)行的寫(xiě)入周期數(shù)沒(méi)有限制，微處理器接口也不需要額外的支持電路。Dallas NVSRAM 還可以?xún)H依靠電池供電可靠地存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá) 10 年的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)至少存儲(chǔ) 100 年，當(dāng) V抄送已供電。DIP封裝器件可用于代替直接符合常用的字節(jié)寬28或32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有靜態(tài)RAM。也可提供表面貼裝部件。

圖1.電池備份的NVSRAM。

諾夫拉姆

NOVRAM（圖2）沒(méi)有內(nèi)部電池;相反，它們具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的內(nèi)部EEPROM。數(shù)據(jù)使用包含存儲(chǔ)和檢索命令的自定義固件在EEPROM之間傳輸。這些命令可以是自動(dòng)的，也可以通過(guò)硬件或軟件啟動(dòng)。

圖2.諾夫拉姆。

NVSRAM和NOVRAM之間的差異

NVSRAM和NOVRAM之間存在許多差異。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，差異分為以下幾類(lèi)：寫(xiě)入周期、存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)的時(shí)間、易用性和標(biāo)準(zhǔn)引腳排列。

寫(xiě)入周期

電池備份的NVSRAM可以無(wú)限次寫(xiě)入。使用 NOVRAM 時(shí)，寫(xiě)入周期是有限的。EEPROM通常只能寫(xiě)入1，000，000次，然后就會(huì)磨損。

存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)的時(shí)間

使用達(dá)拉斯NVSRAM，用戶(hù)不必?fù)?dān)心存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)存儲(chǔ)和調(diào)用。在達(dá)拉斯NVSRAM中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)（功率損耗）的時(shí)間為1.5μs，而NOVRAM為10ms。要在EEPROM中存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)，用戶(hù)必須使用軟件命令或切換引腳。必須完成多個(gè)地址讀取序列才能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。NOVRAM需要20μs和幾個(gè)地址讀取序列來(lái)檢索存儲(chǔ)在EEPROM中的數(shù)據(jù)。在向EEPROM存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)時(shí)，無(wú)法讀取或?qū)懭隢OVRAM。

易用性

達(dá)拉斯NVSRAM使用起來(lái)更方便，因?yàn)樗鼈儾恍枰魏晤~外的組件。NOVRAM需要一個(gè)額外的電容器來(lái)為EEPROM供電。還建議在芯片使能或?qū)懯鼓芤_和V之間使用電阻器抄送以避免數(shù)據(jù)損壞。

除了額外的組件外，NOVRAM還需要自定義固件來(lái)存儲(chǔ)和調(diào)用來(lái)自EEPROM的數(shù)據(jù)。另一方面，Dallas NVSRAM不需要額外的固件來(lái)處理保存和/或檢索數(shù)據(jù)。

標(biāo)準(zhǔn)引腳排列

所有達(dá)拉斯NVSRAM都兼容JEDEC。NOVRAM具有額外的引腳，使該器件與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SRAM和NVSRAM插座不兼容。額外的引腳用于存儲(chǔ)和召回操作。在某些器件上，片選引腳被存儲(chǔ)/召回啟用引腳取代。

結(jié)論

與NOVRAM相比，使用NVSRAM的優(yōu)勢(shì)在于NVSRAM可以快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)需自定義 需要固件，寫(xiě)入周期不受限制，無(wú)需其他組件，引腳布局 兼容 JEDEC。

審核編輯：郭婷