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如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-12 16:11 ? 次閱讀
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DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。

介紹

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案,保證提供至少 10 年的數(shù)據(jù)保留壽命。更換產(chǎn)品可輕松將基于智能插座的等效配置的使用壽命延長(zhǎng)一倍。

更換決定

隨著任何密度的PDIP SRAM產(chǎn)量的減少,尋找兼容存儲(chǔ)芯片的采購(gòu)問(wèn)題可能會(huì)加速確定替代產(chǎn)品的決定。DS12xx系列NV SRAM模塊包括一個(gè)非常低功耗的SRAM元件,消除了過(guò)去的雙元件采購(gòu)要求。這些模塊的“AB”版本允許±5%的工作電源容差,與之前配備DS1213的安裝的電氣特性相匹配。

在現(xiàn)有應(yīng)用中,DS1213智能插座和某些版本的客戶采購(gòu)SRAM提供非易失性存儲(chǔ)器陣列,用于在沒(méi)有外部電源的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。SRAM規(guī)范將是一個(gè)很好的參考,用于確定兩個(gè)更換標(biāo)準(zhǔn),這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將決定購(gòu)買哪種速度等級(jí)的模塊:存儲(chǔ)器密度和基于存儲(chǔ)器性能的信息。

客戶應(yīng)首先研究當(dāng)前安裝的內(nèi)存配置,然后參閱表1以獲取適當(dāng)?shù)母鼡Q組件。

智能插座 SRAM 密度/配置 嵌入式替換 NV SRAM 模塊
DS1213B 16kb/2k x 8 DS1220AB*
64kb/8k x 8 DS1225AB
256kb/32k x 8 DS1230AB
DS1213C 256kb/32k x 8 DS1230AB
DS1213D 256kb/32k x 8 DS1230AB*
1兆字節(jié)/128k x 8 DS1245AB
4兆字節(jié)/512k x 8 DS1250AB
*注意:需要用戶修改 PCB。參見(jiàn)圖 1 或圖 2。

從SRAM標(biāo)記和/或規(guī)格中,應(yīng)該有一些關(guān)于該存儲(chǔ)器的功能讀取訪問(wèn)時(shí)間的指示。此參數(shù)通常由零件號(hào)的數(shù)字?jǐn)U展名指定;它注釋了可以從組件中讀取數(shù)據(jù)的最長(zhǎng)時(shí)間(以納秒為單位)(例如:-55、-70、-100、-120 等)。一些制造商會(huì)截?cái)嗥淦放菩畔⑸系乃俣鹊燃?jí)信息,因此電氣規(guī)格將是最全面的參考文檔。

DS1213智能插座出廠時(shí)設(shè)置為5V±5%的電源容差,寫保護(hù)低于4.75V。DS12xx系列NV SRAM模塊的等效電源容差具有AB后綴,如表1所示。在一些罕見(jiàn)的應(yīng)用中,DS1213智能插座可能經(jīng)過(guò)修改,使用5V±10%容差。在這些應(yīng)用中,更換的部件號(hào)與DS12xx器件號(hào)相同,后綴為“AD”。

DS1213智能插座的額定工作溫度范圍為0°C至+70°C,與DS12xx系列商用溫度產(chǎn)品相當(dāng)。如果需要工業(yè)溫度范圍(-40°C至+85°C),則指定為“IND”的模塊產(chǎn)品也可用于任何NV SRAM存儲(chǔ)器密度。請(qǐng)參閱該特定模塊產(chǎn)品的訂購(gòu)信息。

DS1213智能插座采用錫鉛(SnPb 63/37)焊料制造,用于連接內(nèi)部元件。如果需要,無(wú)鉛(100% 霧錫)模塊產(chǎn)品(由加號(hào) (+) 表示)也可用于任何內(nèi)存密度。請(qǐng)參閱該特定模塊產(chǎn)品的訂購(gòu)信息。

由于內(nèi)置電池,DS1213智能插座和列出的DS12xx系列NV SRAM模塊都不能容忍對(duì)流回流焊接。建議使用波峰焊或手工焊接。

DS1213B與16kb SRAM的考慮

DS1213B SmartSocket有28個(gè)引腳,但DS1220存儲(chǔ)器元件只有24個(gè)引腳。需要對(duì)PCB進(jìn)行修改:跳線V抄送從跡線 28 向下到跡線 26;并隔離跟蹤 26。然后,通過(guò)將新元件對(duì)齊到插座的底部(接地)端來(lái)安裝DS1220模塊。從主板上卸下智能插座后,執(zhí)行必要的主板修改。然后將DS1220AB安裝到底部(接地)端,就像SRAM先前放置在插座中一樣。DS1220AB元件引腳1應(yīng)與先前與SmartSocket引腳3相關(guān)的PCB走線對(duì)齊,如圖1所示。

與 SmartSocket 引腳 1、2、27 和 28 對(duì)齊的原始 PCB 走線將未使用。

除了修改電路板外,還有另一種選擇:安裝DS1225AB存儲(chǔ)器模塊。系統(tǒng)將僅使用四分之一的內(nèi)存陣列,但更改不那么復(fù)雜。

pYYBAGO_wNGAJlasAAAWuM6lUcE521.gif?imgver=1

圖1.在 28 引腳焊盤圖案上放置 24 引腳模塊。(未按比例繪制。

DS1213D與256kb SRAM的考慮因素

DS1213D SmartSocket有32個(gè)引腳,但DS1230存儲(chǔ)器元件只有28個(gè)引腳。需要對(duì)PCB進(jìn)行修改:跳線V抄送從跡線 32 向下到跡線 30;并隔離跟蹤 30。然后,通過(guò)將新元件對(duì)齊到插座的底端(地)端來(lái)安裝DS1230模塊。從主板上卸下智能插座后,執(zhí)行必要的主板修改。然后將DS1230AB安裝到底部(接地)端,就像SRAM先前放置在插座中一樣。DS1230AB元件引腳1應(yīng)與先前與SmartSocket引腳3相關(guān)的PCB走線對(duì)齊,如圖2所示。

與 SmartSocket 引腳 1、2、31 和 32 對(duì)齊的原始 PCB 走線將未使用。

除了這種電路板修改之外,還有另一種選擇:安裝DS1245AB存儲(chǔ)器模塊。系統(tǒng)將僅使用四分之一的內(nèi)存陣列,但更改不那么復(fù)雜。

pYYBAGO_wNOAXz87AAAWy9yycuA411.gif?imgver=1

圖2.在 32 引腳焊盤圖案上放置 28 引腳模塊。(未按比例繪制。

審核編輯:郭婷

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