DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1245器件可以用來替代現有的128k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。PowerCap模塊封裝的DS1245器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
- 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年
- 掉電期間數據被自動保護
- 替代128k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM或閃存
- 沒有寫次數限制
- 低功耗CMOS
- 70ns的讀寫存取時間
- 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
- ±10% VCC工作范圍(DS1245Y)
- 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1245AB)
- 可選的工業(yè)級溫度范圍為-40°C至+85°C，指定為IND
- JEDEC標準的32引腳DIP封裝
- PowerCap模塊(PCM)封裝
- 表面貼裝模塊
- 可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池
- 所有非易失SRAM器件提供標準引腳
- 分離的PowerCap用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸
DS1249AB
DS1249Y
DS1265AB
DS1265Y
DS1270AB
DS1270Y
DS1330AB
DS1330Y
DS1345Y
DS1220AB
DS1220AD
DS1225AB
DS1225AD
DS1230AB
DS1230W
DS1230Y
DS1245AB
DS1245W
DS1245Y
DS1250AB
DS1250W
DS1250Y
DS1330W
DS1350W
DS9034PC
DS9034PCI
