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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導體技術(shù)>半導體新聞>格芯與Soitec宣布就5G射頻方案達成RF-SOI晶圓供應協(xié)議

格芯與Soitec宣布就5G射頻方案達成RF-SOI晶圓供應協(xié)議

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5G射頻技術(shù)電子書分享

`分享一本關(guān)于5G射頻技術(shù)的電子書,已經(jīng)翻譯成中文了呦!、`
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5G回傳看誰的

expectations》。文章分析了5G時代eMBB、mMTC和uRLLC三大新領(lǐng)域帶來的挑戰(zhàn),以及為滿足這些應用的發(fā)展訴求,未來網(wǎng)絡在帶寬、時延、SDN等方面需要達成的能力。同時文章指出,目前全球有50
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5G對無線基礎設施有什么要求

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5G工業(yè)網(wǎng)關(guān)和5G工業(yè)路由器對比分析

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5G市場風起云涌,誰將獨領(lǐng)風騷?

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2016-06-23 10:33:33

5G開啟半導體投資全新時代

、RF-SOI技術(shù)。低噪聲放大器可以用GaAs、RF-SOI技術(shù)。進入5G時代,Sub-6GHz和毫米波階段各射頻元器件的材料和技術(shù)可能會有所變化。SOI有可能成為重要技術(shù),具有制作多種元器件的潛力,同時后續(xù)
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5G射頻前端芯片迎重要增長點,這三大供應商地位難以撼動?

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2017-04-14 14:41:10

5G手機測試正式啟動!不是蘋果、華為、小米

調(diào)制解調(diào)器的MIX2(或MIX2s)打通了5G信令和數(shù)據(jù)鏈路,并宣布明年正式推出5G手機。在小米進行測試的同一天,vivo宣布在進行架構(gòu)規(guī)劃、主板堆疊、射頻和天線設計以及優(yōu)化電池空間等方面的工作后,已初步
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5G時代的挑戰(zhàn),毫米波解決方案的測試和驗證設計

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2018-07-23 10:51:32

5G是如何實現(xiàn)更高精度的定位呢?

引入了一些針對5G的定位方案:DL-TDOA、UL-TDOA、DL-AoD、UL-AOA、Multi-RTT、E-CID (具體參見TS 38.305),簡要說明如下:   ? 下行到達時間差
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5G標準的設定意味著什么?

提供5G服務。在2018年的CES上,Verizon的CEO宣布運營商計劃擊敗AT&T,搶先實現(xiàn)5G部署。去年,Sprint宣布計劃于2019年底之前部署2.5 GHz的5G解決方案。同年
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5G濾波器常見的問題

,使其對加工技術(shù)的要求更高。更高頻率的信號具有更高的信號衰減,這意味著濾波器需要支持高功率RF信號以提高信號強度。因此,隨著5G對現(xiàn)有技術(shù)的挑戰(zhàn),濾波器制造商正在尋找新的解決方案來滿足手機制造商的需求
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MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來的發(fā)展趨勢

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SAW和BAW濾波器目前仍是主流應用

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2019-07-23 22:47:11

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,村田制作所將對位于加利福尼亞州Goleta的射頻濾波器和模塊供應商進行700萬美元的戰(zhàn)略投資。XBAR是Resonant的全新BAW濾波器技術(shù),旨在滿足5G移動應用的高帶寬和高頻要求。Resonant
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Socionext推出適用于5G Direct-RF收發(fā)器應用的7nm ADC/DAC

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什么是5G天線及射頻?

側(cè)(包括基站設備和天線部分)總投資占4G 網(wǎng)絡總投資約60%,而技術(shù)的更新使得天線和射頻器件在無線側(cè)的投資規(guī)模將增大,以及價值占比持續(xù)提升。與4G基站數(shù)量相比,預期5G宏基站數(shù)目將達4G基站數(shù)約1.5
2019-09-17 08:02:52

華為的5G棋盤到底有多大?

提到5G,人們討論的內(nèi)容里一定少不了華為。憑借著在5G領(lǐng)域的突出技術(shù)優(yōu)勢,華為在國際通信市場中的地位已經(jīng)達到了歷史高位。從目前整體的市場覆蓋面上來看,華為的優(yōu)勢成功涵蓋了網(wǎng)、端、三大核心板塊,而這些都是5G的關(guān)鍵領(lǐng)域。
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華強城與深圳星通時頻電子達成戰(zhàn)略合作

`2019年4月,華強城與深圳市星通時頻電子有限公司(簡稱“SCTF星通時頻”)達成戰(zhàn)略合作,華強城成為星通時頻「授權(quán)經(jīng)銷商」,銷售星通時頻制造的振元器件產(chǎn)品。6月,星通時頻振產(chǎn)品全面上架
2019-06-27 14:35:03

哪些毫米波頻率會被5G采用呢?

  射頻系統(tǒng)目前在生活中的應用很多,在未來也有很好的發(fā)展?jié)摿?。隨著世界標準化機構(gòu)著手定義下一代無線網(wǎng)絡,5G的愿景正在迫使研究人員改變他們的思考方式。5G射頻模塊的的主要作用是什么?這個問題在5G
2023-05-05 09:52:51

備戰(zhàn)5G商用化,如何與時俱進設計射頻前端器件?

聯(lián)合上下游合作伙伴舉辦5G生態(tài)研討會,Qorvo應邀出席,由Qorvo亞太區(qū)移動事業(yè)部市場戰(zhàn)略高級經(jīng)理陶鎮(zhèn)為與會觀眾帶來了Qorvo對于5G時代構(gòu)建射頻器件的經(jīng)驗分享。備戰(zhàn)5G商用化,如何與時俱進設計射頻前端器件?Qorvo亞太區(qū)移動事業(yè)部市場戰(zhàn)略高級經(jīng)理陶鎮(zhèn)在聯(lián)通5G生態(tài)研討會上發(fā)表演講
2019-07-31 08:15:02

如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術(shù)挑戰(zhàn)?

數(shù)據(jù)顯示,全球4G/5G基站市場規(guī)模將在2022年達到16億美元,其中用于Sub-6GHz頻段的M-MIMO PA器件年復合增長率將達到135%,用于5G毫米波頻段的射頻前端模塊年復合增長率將達到
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掘金超萬億5G市場,中國企業(yè)上演“一出好戲”

未來數(shù)字經(jīng)濟的發(fā)展,5G將成為一個重要基礎。中國企業(yè)加速芯片研發(fā)5G市場固然重要,但對于運營商及其背后的通信設備供應商來說,要完成從標準到實現(xiàn)商用的跨越并非易事。就拿5G芯片來說,包括高通、英特爾、聯(lián)
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推薦收藏:25G光互連——5G前傳篇

與DU雙向不同波長的信號在一根光纖中傳輸,可以節(jié)省一半光纖資源。但對于5G場景,光纖資源消耗還是太多,并對DU側(cè)光纖管理提出了更高的要求。 有源WDM/OTN方案(25G灰光模塊)對于纖資源緊張
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求助5G 射頻信號layout問題

本帖最后由 王小毛 于 2016-11-25 13:42 編輯 請教一個關(guān)于5G射頻信號TX/RX走線Layout的問題。兩層板板厚1mm,中間介質(zhì)FR-4厚度36mil,主芯片和主要元器件
2016-11-24 22:38:27

愛立信與高通合作正式撥通全球首個5G電話

立(NSA)組網(wǎng)模式,采用愛立信的商用5G新空口無線電AIR 5331和基帶產(chǎn)品以及集成了高通驍龍X50 5G調(diào)制解調(diào)器和射頻子系統(tǒng)的移動測試終端。愛立信在5G上早有布局,早在今年6月份,愛立信就宣布將與
2018-09-11 08:18:22

瑞薩電子宣布與AMD攜手 展示面向5G有源天線系統(tǒng)的完整RF和數(shù)字前端設計

2023年2月21日,中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)(AAS)無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實地
2023-02-21 11:18:19

瑞薩電子將與AMD合作5G有源天線系統(tǒng)無線電RF前端解決方案

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布,將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)(AAS)無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實地驗證的AMD Zynq^?^ UltraScale+
2023-02-21 13:49:33

是什么?硅有區(qū)別嗎?

,將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件,做在一個微小面積上,以完成某一特定邏輯功能,達成預先設定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的,便是硅元素加以純化(99.999
2011-12-02 14:30:44

高通射頻領(lǐng)域獲重大突破,與谷歌、hTC、三星、索尼達成合作

65個3GPP定義的頻段。面對這些趨勢,無線解決方案制造商力求在微型化、整合性和效能方面實現(xiàn)更高水平,特別是對于這些終端裝置中的射頻前端組件。 此外,5G的復雜程度也將大為提升,因此,為生態(tài)系統(tǒng)提供
2018-01-30 09:04:16

高頻微波射頻pcb板在5G和6G應用下的新機遇

微波介質(zhì)陶瓷元器件的重要應用方向為移動通信基站,介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、雙工器和多工器均是通信基站射頻單元的關(guān)鍵組件。大規(guī)模建立5G基站對微波介質(zhì)陶瓷材料提出了高速、高頻、高度集成化和超低損耗等性能
2023-03-28 11:18:13

派更半導體公司宣布可量產(chǎn)供應開創(chuàng)性的UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開關(guān)

RF SOI射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導體公司宣布,其可立即量產(chǎn)供應UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開關(guān)。PE42525和PE426525將派更的高頻產(chǎn)品組合擴展至以往由砷化鎵(GaAs)技術(shù)主導的頻段。
2017-05-16 16:20:41926

派更半導體公司宣布量產(chǎn)供應UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開關(guān)

PE42525和PE426525具有高速開關(guān)、高隔離度、低插入損耗及出色的線性度等特性,為微波頻段上的RF SOI設定了新標準 RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅(qū)
2017-05-17 12:07:11896

移動市場為何對RF-SOI情有獨鐘?

今天的智能手機和平板電腦內(nèi)均裝有射頻前端模塊(FEM),一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動設備調(diào)整和獲取蜂窩信號在更廣泛的區(qū)域
2017-12-07 10:29:321

格芯宣布推出45nm射頻SOI技術(shù)來推動5G移動通信

近日,格芯宣布了其45納米射頻SOI(45RFSOI)產(chǎn)品的正式投放,使得格芯成為第一家為未來5G基站與智能手機,以及下一代毫米波波束賦形提供300毫米射頻硅設計方案的晶圓制造商。
2018-05-11 10:43:001910

格芯宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案

格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進的RF SOI技術(shù),可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢。
2018-05-03 11:48:001313

RF SOI戰(zhàn)爭一觸即發(fā) RF SOI適用在哪里?

許多代工廠都在擴大其200mm RF SOI晶圓廠產(chǎn)能,以滿足急劇增長的需求。GlobalFoundries,TowerJazz,臺積電和聯(lián)電正在擴大300mm RF SOI晶圓產(chǎn)能,以迎接5G,爭搶第一波RF業(yè)務。
2018-05-29 06:08:006721

SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟評選出“SOI產(chǎn)業(yè)推廣杰出貢獻獎”

在本屆RF-SOI論壇上,SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟評選出“SOI產(chǎn)業(yè)推廣杰出貢獻獎”,Qorvo技術(shù)發(fā)展總監(jiān)Julio Costa博士榮獲本年度的獎項。該獎項迄今共頒發(fā)了三次,只給對SOI 技術(shù)和產(chǎn)品有特殊
2018-09-27 11:42:124046

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec攜手新傲科技,擴大中國區(qū)200mm SOI晶圓產(chǎn)量,保障未來增長

全球市場對RF-SOI和Power-SOI產(chǎn)品的增長性需求。 2014年5月,Soitec與新傲科技簽署合作
2019-02-23 12:08:01210

Soitec收購EpiGaN nv,氮化鎵(GaN)材料加入優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合

設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導體公司宣布,已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協(xié)議,以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時,這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF射頻)、
2019-05-16 09:17:001278

Soitec收購EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢

法國Soitec半導體公司宣布已與氮化鎵(簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協(xié)議,以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:513895

格芯與Soitec簽署多項長期SOI晶圓供應協(xié)議

格芯與Soitec簽署多項長期SOI晶圓供應協(xié)議,滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場增長性需求,協(xié)議確保了300毫米晶圓的大批量供應,以支持眾多快速增長細分市場中的各類客戶應用。
2019-06-11 09:51:00532

格芯與Soitec宣布簽署多個SOI芯片長期供應協(xié)議

日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上,此份協(xié)議即刻生效,以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457

探討5G行業(yè)新標準 Soitec再次出席第七屆SOI產(chǎn)業(yè)高峰論壇

作為中國SOI生態(tài)圈的忠實伙伴,Soitec已經(jīng)參與SOI產(chǎn)業(yè)高峰論壇多年。在本屆峰會,Soitec的高管團隊受邀參與圓桌討論環(huán)節(jié)并發(fā)表演講。
2019-09-17 14:23:35708

Soitec發(fā)布2021財年第四季度財報,圓滿達成預期目標

按產(chǎn)品類型劃分,RF-SOI 200-mm晶圓的銷售額低于歷史最高的2020財年第四季度,但較本財年的第三季略有增長。該增長主要受益于射頻應用中RF-SOI含量的增加。
2021-04-27 10:50:16393

Soitec公布2022財年第一季度財報,同比環(huán)比皆上升

與 2021 財年第一季度相比,RF-SOI 200-mm 晶圓收入穩(wěn)定,環(huán)比略有上升。射頻應用中的 RF-SOI 含量不斷增加,其中 300-mm 晶圓為該業(yè)績增長的主要驅(qū)動力。
2021-07-30 16:35:47648

Soitec宣布在法國貝寧增設生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅晶圓,以提升SOI綜合供應能力

Soitec 半導體公司宣布,將在其位于法國貝寧的總部增設新產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底,助力電動汽車和工業(yè)市場應對關(guān)鍵挑戰(zhàn)。新產(chǎn)線落成后還將同時用于 Soitec 300-mm SOI 晶圓的生產(chǎn)。
2022-03-16 11:31:41752

移動通信、車聯(lián)網(wǎng)為什么越來越需要Connect-SOI?

SoitecRF-SOI 技術(shù)。最近Soitec移動通信部門高級業(yè)務發(fā)展經(jīng)理Luis?Andia向包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內(nèi)的媒體們分享了Soitec在Connect-SOI方面的技術(shù)和市場情況。 ? Soitec一直致力于三大戰(zhàn)略市場,包括移動通信市場、汽車和工業(yè)市場、智能設備市場。
2022-07-26 18:26:33935

RF-SOI具有的優(yōu)點

射頻 SOI (RF-SOI)是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點。
2022-09-27 09:09:083349

Soitec成立30年,優(yōu)化襯底煥發(fā)新生,迎通信、汽車、智能設備強勁增長

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)襯底是具有特定晶面和適當電學,光學和機械特性的用于生長外延層的潔凈單晶薄片。法國Soitec公司就是設計和生產(chǎn)優(yōu)化襯底的半導體硅片廠商。其FD-SOIRF-SOI以及
2022-12-28 15:49:592156

上海微系統(tǒng)所在300mm RF-SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

近日,上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進展,制備出了國內(nèi)第一片300mm 射頻RFSOI晶圓。
2023-10-23 09:16:45498

2023年國際RF-SOI論壇成功上海舉行 四年之后活動重啟給半導體行業(yè)注入信心

FD-SOI技術(shù)論壇”和“2023 國際RF-SOI技術(shù)論壇”,兩天的活動分別吸引了五百位左右的國外專家和國內(nèi)的領(lǐng)先半導體廠商專家領(lǐng)袖,聚集在上海黃埔江邊香格里拉酒店,共商針對物聯(lián)網(wǎng)、5G射頻、汽車等領(lǐng)域的半導體先進工藝技術(shù)的發(fā)展,活
2023-10-30 15:45:151452

國內(nèi)第一片300mm射頻RFSOI晶圓的關(guān)鍵技術(shù)

多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù),晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系;此外,由于多晶硅/硅的復合結(jié)構(gòu),使得硅晶圓應力極難控制。
2023-11-21 15:22:10410

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