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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>中芯國(guó)際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍(lán)圖

中芯國(guó)際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍(lán)圖

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2019-02-14 00:06:002078

中芯國(guó)際在國(guó)內(nèi)推出首個(gè)14nm FinFET工藝風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)品

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中國(guó)第一條FinFET生產(chǎn)線開(kāi)始批量生產(chǎn)14 nm FinFET芯片

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2019-11-19 10:40:266858

28納米14納米技術(shù)打頭陣!中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)高速增長(zhǎng),本土芯片廠商機(jī)會(huì)大

的高增長(zhǎng)主要集中在28納米、14納米和16納米FinFET技術(shù),這個(gè)趨勢(shì)在2020年到2024年都會(huì)持續(xù)下去。
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28納米為基礎(chǔ),賽靈思(Xilinx)20納米繼續(xù)超越

賽靈思的20納米產(chǎn)品以備受市場(chǎng)肯定的28納米制程突破性技術(shù)為基礎(chǔ),提供超越一個(gè)技術(shù)世代的系統(tǒng)效能、功耗和可編程系統(tǒng)整合度,繼續(xù)超越下一代!
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14納米工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)?

據(jù)國(guó)際物理系統(tǒng)研討會(huì)(ISPD)上專家表示:實(shí)現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會(huì)比原先想象的更困難;14納米節(jié)點(diǎn)給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在?詳見(jiàn)本文...
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中芯長(zhǎng)電14納米硅片凸塊量產(chǎn) 彎道超車(chē)新機(jī)遇?

中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體有限公司28日在江陰宣布正式開(kāi)始為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這標(biāo)志著中芯長(zhǎng)電成為中國(guó)大陸第一家進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的半導(dǎo)體公司。
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GF技術(shù)長(zhǎng):7納米全球四強(qiáng)爭(zhēng)霸,10納米制程性價(jià)比不佳

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傳華力微挖角聯(lián)電28納米研發(fā)團(tuán)隊(duì) 望破瓶頸

繼臺(tái)灣半導(dǎo)體高層人士高啟全、蔣尚義、孫世偉等陸續(xù)加入大陸企業(yè)之后,近期傳出上海華力微電子挖角聯(lián)電一組高達(dá) 50 人的 28 納米研發(fā)團(tuán)隊(duì),希望解決在 28 納米制程中的瓶頸問(wèn)題,加速為聯(lián)發(fā)科代工芯片的量產(chǎn)進(jìn)程。
2017-02-07 10:31:31729

老邢點(diǎn)評(píng):中芯國(guó)際上半年28納米營(yíng)收同比增長(zhǎng)13.8倍

點(diǎn)評(píng):中芯國(guó)際上半年28納米營(yíng)收同比增長(zhǎng)13.8倍 1.我國(guó)已初步搭建起芯片產(chǎn)業(yè)鏈,其中芯片制造商主要以中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、上海先進(jìn)為代表。去年八月中芯國(guó)際28納米工藝制程芯片已經(jīng)量產(chǎn),成功應(yīng)用于
2017-09-05 09:00:001931

格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高
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中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET2019量產(chǎn)

制程進(jìn)度,共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示,先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019量產(chǎn),第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世,外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 中芯國(guó)際15日的線上法說(shuō)中,仍是由趙海軍主持會(huì)議,梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言,代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”,也滿
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中芯國(guó)際14納米FinFET研發(fā)完成,良率達(dá)到95%

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出,中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際,目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此,距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:468507

中芯國(guó)際上半年?duì)I收17.22億美元 14納米FinFET技術(shù)獲重大進(jìn)展

8月30日,中芯國(guó)際發(fā)布2018年中期業(yè)績(jī),收入同比增長(zhǎng)11.5%至17.22億美元;毛利同比增長(zhǎng)5.6%至4.38億美元。中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國(guó)際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:335140

2013韓國(guó)首爾納米技術(shù)展NANO KOREA

)和韓國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所(KISTI)承辦,從2003開(kāi)始舉辦,每年一屆,至今已經(jīng)成功的舉辦了10。同期將舉辦第六屆國(guó)際微型技術(shù) / 微機(jī)電系統(tǒng)展、第四屆激光技術(shù)展、第四屆印刷電子技術(shù)展和第
2013-02-24 13:52:34

三階段充電器的關(guān)鍵參數(shù)疑點(diǎn)

最近在研究蓄電池的充電 看了一些資料學(xué)習(xí)三階段充電。三階段充電:恒流 恒壓 浮充其中恒流階段充電器的輸出電壓是怎樣的?恒壓階段充電器的輸出電流是怎樣的?浮充階段充電器的輸出電流是怎樣的? 好像很多資料都沒(méi)提到“ 恒流 恒壓 浮充”的另外一個(gè)參數(shù),希望有經(jīng)驗(yàn)的師傅能夠解答 謝謝
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納米編碼器 NG-B超精密納米編碼器

NG-B超精密納米編碼器NG-B內(nèi)容摘要:最近,我公司立足于市場(chǎng)需求,特推出用于XY二維定位的超精密納米編碼器。NG在制造柵格的過(guò)程,能夠保證其達(dá)到激光干涉儀的精度,并且以一個(gè)更經(jīng)濟(jì)的價(jià)格、更
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中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米 上海2009年10月14日電  -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約
2009-10-15 08:22:44793

臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品

臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品 外電引用分析師資訊指出,聯(lián)電大客戶賽靈思(Xilinx)3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作;臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551058

中芯國(guó)際與IBM達(dá)成28納米技術(shù)合作

 3月29日上午消息,中芯國(guó)際宣布公司與IBM于2012年3月28日簽訂一項(xiàng)協(xié)議,雙方將就行業(yè)兼容28納米技術(shù)的要素進(jìn)行合作。
2012-03-29 12:46:53796

蘋(píng)果合作伙伴臺(tái)積電TSMC加速量產(chǎn)28納米芯片

臺(tái)積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開(kāi)始從28納米芯片獲得營(yíng)收,目前28納米工藝芯片占有公司總營(yíng)收的額5%。在今年晚些時(shí)候,TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830

Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片

14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270

三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術(shù)投入量產(chǎn)

三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE (Low-Power Early) 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器,成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927

中芯國(guó)際推出28納米HKMG制程,與聯(lián)芯打造智能手機(jī)SoC芯片

納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程已成功流片,基于此平臺(tái),聯(lián)芯科技推出適用于智能手機(jī)等領(lǐng)域的28納米SoC芯片,包括高性能應(yīng)用處理器和移動(dòng)基帶功能,目前已通過(guò)驗(yàn)證,準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2016-02-17 14:00:301396

中芯長(zhǎng)電將為高通提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工

,中芯長(zhǎng)電將為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這是中芯長(zhǎng)電繼規(guī)模量產(chǎn)28納米硅片凸塊加工之后,中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2016-08-04 11:42:23854

傳臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)卡關(guān)

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)階段,然近期卻陸續(xù)傳出量產(chǎn)卡關(guān)消息,半導(dǎo)體業(yè)者透露,臺(tái)積電為蘋(píng)果(Apple)生產(chǎn)新一代iPad處理器A10X,出現(xiàn)良率不如預(yù)期情況
2016-12-22 10:17:15686

什么是FinFET?FinFET的工作原理是什么?

功耗低,面積小的優(yōu)點(diǎn),臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開(kāi)始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管[4],為未來(lái)的移動(dòng)處理器等提供更快,更省電的處理器。從2012年起,FinFET已經(jīng)開(kāi)始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00119524

臺(tái)積電2019年10納米及7納米年總產(chǎn)能較今年將增加3倍

晶圓代工龍頭臺(tái)積電7納米已進(jìn)入量產(chǎn),第四季可望再爭(zhēng)取到超微(AMD)中央處理器及高通智能手機(jī)芯片訂單,并在明年放量投片。外資圈指出,臺(tái)積電2019年10納米及7納米年總產(chǎn)能將上看110萬(wàn)片,較今年增加3倍。
2018-06-21 14:24:002744

中芯國(guó)際推進(jìn)14納米產(chǎn)量_中芯國(guó)際面臨本土市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

中芯國(guó)際14納米將正式啟動(dòng)大展拳腳。30日晚間,中芯國(guó)際宣布,由中芯控股、國(guó)家“大基金”、上海集成電路基金共同注資“中芯南方”。注資后,中芯南方注冊(cè)資本增至35億美元,同時(shí)中芯南方未來(lái)也將肩負(fù)配合中芯14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,打造月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片12吋晶圓廠。
2018-02-01 10:58:307505

三星曾落后于臺(tái)積電,想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)

三星電子準(zhǔn)備調(diào)整鑄造技術(shù)藍(lán)圖2019年下半年開(kāi)始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來(lái)的計(jì)劃,三星本打算在2019年試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術(shù)上,三星落后于臺(tái)積電,現(xiàn)在它想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)。
2018-03-14 16:41:425337

中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009

中芯國(guó)際放大招-"14nm工藝晶圓2019量產(chǎn)"

替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:354975

臺(tái)積電7nm量產(chǎn)情況最新進(jìn)展 臺(tái)積電CEO說(shuō)7納米芯片已量產(chǎn)

在臺(tái)積電舉行的一次技術(shù)研討會(huì)上透露這一消息的,他在會(huì)上表示,他們已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7納米芯片,但在會(huì)上并未透露是為哪一家廠商生產(chǎn)7納米芯片。 對(duì)于5納米工藝,魏哲家當(dāng)時(shí)是透露將在2019年年底或者2020年初開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。
2018-06-29 12:23:015747

中芯14納米FinFET制程良率達(dá)95%,預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003390

中芯國(guó)際再獲技術(shù)重大突破

中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日,中芯國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達(dá)到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:003773

格芯退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110

中芯國(guó)際14nm明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2018年第二季度,第一代14納米FinFET技術(shù)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,明年上半年將進(jìn)入量產(chǎn)。明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2018-09-17 16:48:526173

英特爾宣布追加10億美元用于14納米制程擴(kuò)產(chǎn)后 10納米制程量產(chǎn)或?qū)⑻嵩绨肽?/a>

華力28納米低功耗工藝平臺(tái)芯片進(jìn)入量產(chǎn)階段

近日,華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段
2018-12-12 15:15:012029

上海華力28納米低功耗工藝進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780

臺(tái)積電2020年上半年7納米+制程進(jìn)入量產(chǎn)的消息獲得證實(shí)

的加強(qiáng)版的 7 納米 + 制程將在 2019量產(chǎn)之外,更先進(jìn)的 5 納米制程,日前也傳出在 2019 年上半年流片(Tape out), 2020 年上半年就能正式進(jìn)入量產(chǎn)的消息,如今獲得證實(shí)。
2019-01-22 16:00:292086

基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的芯片進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段
2019-01-07 14:15:453224

三星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021年量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊,全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面,根據(jù)三星高層表示,將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程,而 2021 年量產(chǎn)更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443262

中芯國(guó)際14納米制程將于2019量產(chǎn) 未來(lái)首個(gè)14納米制程客戶將來(lái)自手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)

制程研發(fā)。不過(guò),技術(shù)水平與業(yè)界至少差了兩代以上,已量產(chǎn)的最先進(jìn)制程還是在 28 納米制程上。對(duì)此,參與投資中芯國(guó)際的上海市政府日前在工作報(bào)告中表示,中芯國(guó)際14 納米制程將于 2019量產(chǎn)。
2019-01-29 15:27:027284

中芯國(guó)際發(fā)布2018年第4季財(cái)報(bào)并表示12納米的技術(shù)開(kāi)發(fā)也開(kāi)始有所突破

外,在技術(shù)研發(fā)方面,中芯國(guó)際表示,第一代 FinFET 14 納米技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段,產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí),12 納米的技術(shù)開(kāi)發(fā)也開(kāi)始有所突破。
2019-02-18 17:03:103076

中芯國(guó)際2019年的起步時(shí)刻,正式敲定了14納米芯片!

中芯國(guó)際14納米芯片的量產(chǎn),意味著:在今年上半年,我們國(guó)產(chǎn)手機(jī)就能用上中端性能的國(guó)產(chǎn)芯片了!要知道,華為榮耀8XMax、紅米note7、vivo X21用的都是14納米芯片。
2019-02-25 13:54:5818116

三星或從2019年6月份開(kāi)始量產(chǎn)7納米EUV制程

,現(xiàn)在有韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),三星將從 2019 年的 6 月份開(kāi)始,量產(chǎn) 7 納米 EUV 制程,首項(xiàng)產(chǎn)品就是自家的 Exynos 9825 處理器,并且用于 2019 年下半年的預(yù)計(jì)推出的旗艦型 Galaxy Note 10 系列智能型手機(jī)。
2019-04-12 16:48:423306

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光(EUV)技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代,預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨。同時(shí),英特爾將加速支援EUV技術(shù)的7納米制程研發(fā),預(yù)期2021年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段,首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463239

中芯國(guó)際宣布將大規(guī)模量產(chǎn)14納米芯片 良品率已經(jīng)達(dá)到了95%

中芯國(guó)際宣布:今年上半年將大規(guī)模量產(chǎn)14納米芯片,良品率已經(jīng)達(dá)到了95%,其首個(gè)訂單來(lái)自手機(jī)領(lǐng)域。
2019-05-20 16:40:5912612

關(guān)于中芯14nm的性能分析和介紹

在昨日的財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上,中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士說(shuō):“中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。
2019-08-30 16:07:447132

智原科技28/40納米單芯片ASIC設(shè)計(jì)量三年倍增

28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上的主流工藝,無(wú)論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟,成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446

國(guó)內(nèi)首條,中芯國(guó)際14納米生產(chǎn)線正式投產(chǎn)

根據(jù)中芯國(guó)際官方網(wǎng)站的消息,中芯南方廠投產(chǎn)國(guó)內(nèi)首條14納米生產(chǎn)線,該工廠也是中芯國(guó)際最先進(jìn)的生產(chǎn)基地。
2020-01-13 09:49:364154

中芯國(guó)際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣消息報(bào)道,中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際已經(jīng)從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677

中芯國(guó)際從臺(tái)積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094

中芯國(guó)際14nm量產(chǎn)大規(guī)模出貨 國(guó)產(chǎn)化取得階段性勝利

近日,芯片代工廠商——中芯國(guó)際發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)。這是中芯國(guó)際14納米產(chǎn)品貢獻(xiàn)營(yíng)收后的首份年報(bào)。
2020-04-20 09:32:553935

武漢新芯50納米NOR Flash存儲(chǔ)芯片已全線量產(chǎn)

  據(jù)了解,武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破,隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備。從65納米到50納米的躍升,武漢新芯用了18個(gè)月。
2020-07-17 08:19:444077

中芯國(guó)際N+1 代芯片可望于2021年量產(chǎn)

第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產(chǎn);第二代FinFET N+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,可望于2020年底小批量試產(chǎn)。 據(jù)集微網(wǎng)2月報(bào)道,在中芯國(guó)際2019第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上,梁孟松博士透露了中芯國(guó)際下一代N+1工藝的詳細(xì)數(shù)據(jù)。 梁孟松博士透露,中芯國(guó)際的下一代
2020-09-30 10:49:592771

中芯國(guó)際第二代FinFET N+1工藝已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段

710A 芯片等進(jìn)行代工。 對(duì)此,中芯國(guó)際回應(yīng)稱,公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。在沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)的情況下,中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝,不能不說(shuō)
2020-09-30 14:24:188395

中芯國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱,中芯國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:151858

中芯國(guó)際稱第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn),第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到,中芯國(guó)際2019 年實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn),并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份,投資者向中芯國(guó)際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息,中芯國(guó)際回答表示:中芯國(guó)際第二代
2020-12-07 11:23:372570

臺(tái)積電將于2022年量產(chǎn)3納米芯片

臺(tái)積電3納米芯片計(jì)劃將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn),此前三星電子也已正式宣布將在臺(tái)積電之前于2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體。
2021-10-20 16:43:207784

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片?

據(jù)悉,臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)
2022-09-06 16:00:202998

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