中國(guó)第一條FinFET生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始批量生產(chǎn)14 nm FinFET芯片

作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂(lè)部的公司，中芯國(guó)際已經(jīng)開(kāi)始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開(kāi)發(fā)了依賴(lài)于此類(lèi)晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國(guó)際的FinFET生產(chǎn)線(xiàn)比其他代工廠的生產(chǎn)線(xiàn)要小得多。

中芯國(guó)際的前代制造技術(shù)為28納米，因此14納米工藝切實(shí)提高了晶體管密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產(chǎn)更復(fù)雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

目前，中芯國(guó)際在其300毫米晶圓廠之一中使用其14納米工藝技術(shù)提高了產(chǎn)量，因此初始批量并不高。同時(shí)，中芯國(guó)際的計(jì)劃包括建立一條新的300毫米14納米生產(chǎn)線(xiàn)和更薄的工藝技術(shù)，每月產(chǎn)能為35,000個(gè)晶片。該工廠的建設(shè)已于今年年初完成，該公司目前正在安裝生產(chǎn)設(shè)備。

除了FinFET的平臺(tái)，中芯國(guó)際創(chuàng)新的納米制作成工藝發(fā)展正在有條不紊地進(jìn)行。此外，該公司正在開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的工藝，包括那些將需要在未來(lái)十年使用的極紫外光刻（EUVL）設(shè)備的工藝。實(shí)際上，該公司甚至已經(jīng)從ASML購(gòu)買(mǎi)了EUV設(shè)備，但到目前為止尚未安裝。

作為一家相對(duì)較小的生產(chǎn)商，中芯國(guó)際在技術(shù)開(kāi)發(fā)方面正在逐步縮小自身與大型競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距。同時(shí)，由于每個(gè)新流程的研發(fā)成本都較高，因此公司需要增加產(chǎn)量以使開(kāi)發(fā)在財(cái)務(wù)上可行。因此，中芯國(guó)際（及其他代工廠）及時(shí)購(gòu)買(mǎi)先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備并增加其制造量對(duì)于長(zhǎng)期成功至關(guān)重要。

中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松博士在聯(lián)合聲明中說(shuō)：

“在過(guò)去的兩年中，我們不僅縮小了先進(jìn)技術(shù)的差距，而且擴(kuò)大了全面的成熟節(jié)點(diǎn)技術(shù)平臺(tái)。我們相信，隨著5G應(yīng)用的浪潮，我們將進(jìn)入一個(gè)新的發(fā)展階段。

FinFET技術(shù)的發(fā)展繼續(xù)向前發(fā)展：第一代FinFET已成功開(kāi)始批量生產(chǎn)，并將在第四季度開(kāi)始貢獻(xiàn)收入。同時(shí)，第二代FinFET的發(fā)展穩(wěn)定，客戶(hù)參與度也很平穩(wěn)。我們相信，中芯國(guó)際將受益于即將到來(lái)的5G產(chǎn)品遷移帶來(lái)的廣泛商機(jī)，我們將退出這一過(guò)渡期并重新進(jìn)入增長(zhǎng)?！?/p>