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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術(shù)投入量產(chǎn)

三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術(shù)投入量產(chǎn)

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2021-03-10 17:45:41

如何利用賽靈思28納米工藝加速平臺開發(fā)?

一半,而性能提高兩倍。通過選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù),一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu),以及創(chuàng)新的工具,賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值, 為客戶提供具備 ASIC 級功能
2019-08-09 07:27:00

如何設(shè)置三星s5的ble連接?

你好,我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”,比如“FunMe”示例。我有很大的問題,因?yàn)槲业膽?yīng)用程序返回GATT錯(cuò)誤0x85與三星S5,而三星S4工作良好。我該怎么解決呢?有特定的設(shè)置嗎?最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37

展訊稱三星兩款功能機(jī)使用其基帶芯片

  北京時(shí)間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息,展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布,基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機(jī)E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01

提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)總結(jié),不看肯定后悔

如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11

有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請教

ID,但是也沒說針對這個(gè)OTP怎么操作。所以請教一下,有沒有使用過的大神幫忙指導(dǎo)一下,或者有三星flash芯片相關(guān)的技術(shù)支持的聯(lián)系方式,麻煩告知一下。謝謝!
2017-03-21 09:22:02

電子行業(yè)人士帶你入行之納米制程小白篇

的小珠子,使其最后形成一個(gè)10X5比例的長方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出,要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易,由此可以了解到,各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15

電子行業(yè)人士帶你入行之納米制程小白篇

的長方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出,要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易,由此可以了解到,各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET量產(chǎn),并以此為資本爭奪下一iPhone
2016-12-16 18:20:11

美光引領(lǐng)圖像傳感器市場

,美光在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先兩,正在開發(fā)基于0.15微米工藝的產(chǎn)品。在像素尺寸(pixel size)方面,該公司領(lǐng)先于對手五。   “大約在一個(gè)月以前,三星圖像傳感器業(yè)務(wù)部門的一位高管公開聲稱,不可能
2018-11-20 16:03:30

芯片的3D化歷程

月英特爾宣布使用FinFET技術(shù),而后臺積電、三星也都陸續(xù)采用FinFET。晶體管開始步入了3D時(shí)代。在接下來的發(fā)展過程中,FinFET也成為了14 nm,10 nm和7 nm工藝節(jié)點(diǎn)的主要柵極
2020-03-19 14:04:57

英特爾將在2014年推出14納米處理器芯片

Bridge的處理器。這種處理器使用3D(閘)晶體管?! at Bliemer還證實(shí)稱,英特爾的Tick-Tock(工藝年-構(gòu)架年)戰(zhàn)略正在按計(jì)劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55

蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺積電獨(dú)得訂單,恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片,就是由臺積電(16nm制程工藝)和三星14
2016-07-21 17:07:54

請問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

集成電路簡史(最新版),從歷史中看我國到底落后幾年?

?! ?011年臺積電宣布28nm制程工藝正式邁入量產(chǎn)階段,成為芯片代工行業(yè)首個(gè)量產(chǎn)28nm產(chǎn)品的廠商。  2012年:英特爾發(fā)布22納米工藝和第三代處理器。  2014年底,三星宣布了世界
2018-05-10 09:57:19

高價(jià)收購三星字庫

高價(jià)收購三星字庫深圳長期回收三星字庫,大量收購三星字庫。深圳帝歐長期求購三星字庫,帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。東莞回收三星字庫,重慶
2021-02-23 17:54:12

臺積電率先量產(chǎn)40納米工藝

臺積電率先量產(chǎn)40納米工藝 臺積電公司日前表示,40納米泛用型(40G)及40納米低耗電(40LP)工藝正式進(jìn)入量產(chǎn),成為專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司
2008-11-22 18:27:07725

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米 上海2009年10月14日電  -- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約
2009-10-15 08:22:44793

Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片

14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270

三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

新思科技公司日前宣布:該公司與三星FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑,即采用三星14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062

東芝第二代19納米工藝NAND閃存即將投入量產(chǎn)

東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布,該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù),該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。
2013-05-23 10:34:251176

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521049

ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計(jì)算未來

  2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù),此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662

中芯長電將為高通提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工

,中芯長電將為美國高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這是中芯長電繼規(guī)模量產(chǎn)28納米硅片凸塊加工之后,中國企業(yè)首次進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2016-08-04 11:42:23854

格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes

12月13 日,格羅方德公司今天宣布,已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。
2016-12-15 14:03:261344

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580

Cadence數(shù)字、簽核與定制/模擬工具助力實(shí)現(xiàn)三星7LPP和8LPP工藝技術(shù)

2017年6月2日,上?!请娮樱绹?Cadence 公司,NASDAQ: CDNS) 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制/模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237

格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施
2017-06-14 16:24:51877

淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)
2017-10-11 11:13:422372

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日報(bào)道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

7nm芯片成為今年旗艦處理器標(biāo)配 三星宣布5/4/3nm工藝技術(shù)

的一個(gè)關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭,三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產(chǎn),此外,在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:003532

中芯14納米FinFET制程良率達(dá)95%,預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003390

三星7nm LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

基于三星14納米工藝的百度昆侖AI芯片將量產(chǎn)

這是三星電子和百度的首次半導(dǎo)體代工合作。百度昆侖AI芯片結(jié)合百度自主研發(fā)的神經(jīng)處理器架構(gòu)XPU和三星14納米制造工藝,采用I-Cube封裝解決方案,可廣泛用于云計(jì)算和邊緣計(jì)算。
2019-12-19 14:11:232746

中芯國際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據(jù)中國臺灣消息報(bào)道,中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經(jīng)從競爭對手臺積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677

中芯國際從臺積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日報(bào)道稱,中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094

三星電子奮力趕超臺積電,計(jì)劃在2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片

,在 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。該高管透露,三星電子已在與主要合作方開發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。 三星電子向其下一代芯片業(yè)務(wù)投入 1160 億美元,其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領(lǐng)導(dǎo)人李在镕此前曾透露,該公司計(jì)劃采用正在開發(fā)的最新 3 納米全柵極 (gate-all-around,簡稱 GAA)工藝技術(shù)
2020-11-19 11:39:071446

三星投入7608億實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)

據(jù)彭博社報(bào)道,三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù),規(guī)劃投入1160億美元(約合人民幣7608億元),目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn),與臺積電同步,是兩強(qiáng)近年先進(jìn)制程競逐賽中,最接近的一次。業(yè)界認(rèn)為,若三星
2020-11-26 14:44:261862

臺積電 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸,量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱,臺積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:102277

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來說,也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據(jù)外媒報(bào)道,三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:542254

臺積電3nm即將量產(chǎn) 2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

  最近,臺積電總裁魏哲佳出席2022臺積電技術(shù)論壇,他表示臺積電的3納米工藝技術(shù)即將量產(chǎn),2納米工藝保證在2025年量產(chǎn)
2022-08-31 16:40:443076

三星代工廠宣布3納米節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段

三星最新的生產(chǎn)工藝技術(shù)是他們的4nm節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)去年年底提高了產(chǎn)量。這是他們最后一個(gè)基于FinFET的前沿工藝技術(shù),盡管不是他們計(jì)劃中的最后一個(gè)。
2022-09-09 14:27:18433

智原宣布支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)并已上架

ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)已在三星SAFE IP平臺上架,提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021000

三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)

三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示,該公司計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級SF2工藝,以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:331270

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