大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:34
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在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:49446 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個(gè)應(yīng)用整合在一起，在一個(gè)尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實(shí)現(xiàn)了三個(gè)一系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，具有重要
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
（BOM）中的組件更少，同時(shí)還能提供具有高可靠性的高密度解決方案，但可提供的功率相對(duì)有限。諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以
2019-07-31 04:45:11
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
是優(yōu)化效率。通過控制轉(zhuǎn)子電流的幅度和相角，使得提供一個(gè)真正的無功功率組件成為可能。通常情況下，通過磁場(chǎng)矢量控制可做到這一點(diǎn)。為此，轉(zhuǎn)子電流按照笛卡兒坐標(biāo)系統(tǒng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，隨后再轉(zhuǎn)換成復(fù)雜數(shù)值范圍。該復(fù)雜
2018-12-04 09:57:08
可靠性是什么？充實(shí)一下這方面的知識(shí) 產(chǎn)品、系統(tǒng)在規(guī)定的條件下，規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力稱為可靠性。 這里的產(chǎn)品可以泛指任何系統(tǒng)、設(shè)備和元器件。產(chǎn)品可靠性定義的要素是三個(gè)“規(guī)定”：“規(guī)定
2015-08-04 11:04:27
可靠性是我們在開展電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關(guān)的可靠性預(yù)計(jì)報(bào)告，客戶需要我們的產(chǎn)品提供相應(yīng)的可靠性試驗(yàn)報(bào)告，或者企業(yè)內(nèi)部需要控制產(chǎn)品質(zhì)量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術(shù)確實(shí)能夠提供許多優(yōu)勢(shì)，加上在硬開關(guān)應(yīng)用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優(yōu)勢(shì)更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
區(qū)域。氮化鋁的導(dǎo)熱系數(shù)幾乎是氧化鋁的五倍，用于熱跳線芯片，以保持緊湊電子組件冷卻，從而提高產(chǎn)品的可靠性?！皩?duì)需要板級(jí)熱管理的緊湊型大功率組件的需求正在不斷增長(zhǎng)，”TT Electronics應(yīng)用與營(yíng)銷
2019-05-05 10:27:10
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計(jì)工
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
，此時(shí)由于二極管反向恢復(fù)所產(chǎn)生的峰值電壓要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他型號(hào)MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓?fù)潆娫?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)發(fā)生啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過載，短路等異常情況下表現(xiàn)出更高的可靠性。圖8圖9同時(shí)我們在圖
2018-12-05 09:56:02
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計(jì)人
2012-04-28 10:21:32
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
qualification recipe）即可。由于長(zhǎng)期的業(yè)界經(jīng)驗(yàn)和可靠性模型的驗(yàn)證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-09-10 14:48:19
功率密度 12V VIN 至 24V/7A 倍壓器如圖 2 所示，該解決方案的大致尺寸為 23mm x 16.5mm x 5mm，而功率密度高達(dá) 1500W/in3。圖 2：估計(jì)的解決方案尺寸高效率由于在
2018-10-31 11:26:48
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
，采用了的全新的封裝技術(shù)，以及芯片技術(shù)。這使得PrimePACK模塊的可靠性大大提高。尤其在雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，由于其轉(zhuǎn)子側(cè)變換器特殊的工況，PrimePACK模塊的壽命能大大提高，尤其是功率周次，并且
2018-12-04 09:59:11
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
些情況下，也觀察到最小偏差，證實(shí)了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關(guān)鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評(píng)估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時(shí)間
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
單元和三角函數(shù)加速器等特性，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和高瞬態(tài)響應(yīng)，能夠處理復(fù)雜的對(duì)時(shí)間要求嚴(yán)格的計(jì)算。靈活的高分辨率控制在大功率服務(wù)器 PSU 系統(tǒng)中，即使在高頻下，實(shí)現(xiàn)更大的電源容量并保持相位間同步也
2022-11-03 06:45:41
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
。能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫聦?shí)證明，得益于零電壓開關(guān)（ZVS）和無緩沖損耗，諸如有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器等半橋（HB）拓?fù)?，即?b class="flag-6" style="color: red">在很高開關(guān)頻率下也能實(shí)現(xiàn)高能效
2022-06-14 10:14:18
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
泛的現(xiàn)代電子系統(tǒng)?，F(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性表現(xiàn)為，在規(guī)定條件下，系統(tǒng)準(zhǔn)確無誤運(yùn)行的能力．突出了可靠性的軟件和運(yùn)行中的失誤概率。可靠性設(shè)計(jì)則是在產(chǎn)品開發(fā)過程中，保證運(yùn)行可靠的全部設(shè)計(jì)手段，甚至包括了產(chǎn)品
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計(jì)必不可少的設(shè)計(jì)內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設(shè)計(jì)、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
，但經(jīng)過多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試，GaN定會(huì)成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對(duì)GaN裝置進(jìn)行了2000萬小時(shí)的加速可靠性測(cè)試。在此測(cè)試時(shí)間內(nèi)，遠(yuǎn)程
2019-03-01 09:52:45
，輸出功率高等出色的電化學(xué)性能。而可穿戴MSC及其陣列需要拉伸至大于30％的應(yīng)變以適應(yīng)人體運(yùn)動(dòng)，如何在具備拉伸性的情況下保持其高的面電容和能量密度是一個(gè)難題。目前常用的兩種策略是：1、在剛性MSC組件之間...
2021-09-10 08:27:03
設(shè)計(jì)帶來更低的溫升更高的可靠性?！ ∧敲矗?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計(jì)過程中如何才能提高電源模塊產(chǎn)品的功率密度呢?工程師可以從下面三個(gè)方向入手：第一，工程師可以在線路設(shè)計(jì)過程中采用先進(jìn)的電路拓樸和轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
壓縮機(jī)、油泵、冷卻泵、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和加熱器等。相比而言，混合動(dòng)力/電動(dòng)車 因?yàn)榧闪烁邏簞?dòng)力電池（通常 144V 或 336V），將上述輔助系統(tǒng)電源從 12V 總線接入高壓總線， 相同功率情況下，采用高壓
2018-12-06 09:47:30
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
星期二海報(bào)對(duì)話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
工作情況下，單片機(jī)系統(tǒng)的可靠性。必要的話可以放置在高溫，高壓以及強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下測(cè)試?！ ?、ESD和EFT等測(cè)試?？梢允褂酶鞣N干擾模擬器來測(cè)試單片機(jī)系統(tǒng)的可靠性。例如使用靜電模擬器測(cè)試單片機(jī)系統(tǒng)的抗靜電ESD能力；使用突波雜訊模擬器進(jìn)行快速脈沖抗干擾EFT測(cè)試等。
2020-07-16 11:07:49
的占地面積，并以現(xiàn)有的管理成本創(chuàng)造出更多的價(jià)值。本文分析了追求能源轉(zhuǎn)換效率在節(jié)能、采集/處理成本和機(jī)柜/工廠車間利用率中所占百分比的實(shí)際成本，并與增加功率密度和系統(tǒng)效率進(jìn)行了比較。
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%。對(duì)損耗的改善情況顯示在圖4中，尤其是在15A的峰值電流下的損耗降低得非常明顯。結(jié)論：TrenchFET IV產(chǎn)品用在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，能夠提高整體的系統(tǒng)效率和功率密度。這些產(chǎn)品的更高性能還能夠?qū)崿F(xiàn)更小
2013-12-31 11:45:20
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
我想問一下高速電路設(shè)計(jì)，是不是只要做好電源完整性分析和信號(hào)完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達(dá)到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗(yàn)的望給點(diǎn)提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
的計(jì)算能力、感應(yīng)能力和功能集提出了更高要求。 然而，分配于執(zhí)行上述任務(wù)的空間并未增加，并且在很多情況下還要求減少占用的空間。這種形勢(shì)不斷提高了市場(chǎng)對(duì)密度更大和集成度更高的解決方案的需求，供電系統(tǒng)也不
2018-12-03 10:00:34
請(qǐng)問一下嵌入式無線系統(tǒng)應(yīng)用中可靠性和功耗的優(yōu)化方法是什么？
2021-06-03 06:11:48
解決方案是英飛凌應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的方案：全新的汽車級(jí)Easy 1B/2B功率模塊提供適用于高壓和低功率應(yīng)用（6kW以下）的靈活平臺(tái)，采用多種半導(dǎo)體器件以降低系統(tǒng)成本。聯(lián)系人：英飛凌公司Carlos Castro
2018-12-07 10:13:16
的情況下無縫更換這些模塊。非穩(wěn)壓可變 5-8V 電壓也可由 5-8V 穩(wěn)壓代替，不會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)造成任何干擾，從而可以保持互操作性。第二級(jí)第二級(jí)完全取決于所分配的電源。在1毫安負(fù)載情況下，第二級(jí)就像
2021-05-26 19:13:52
開發(fā)人員來說，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
如果您想根據(jù)功率密度比較電源，則需要對(duì)這個(gè)簡(jiǎn)單的定義作出充分的說明。這里的輸出功率是指轉(zhuǎn)換器在最壞的環(huán)境條件下可以提供的連續(xù)輸出功率。環(huán)境溫度、最大可接受外殼溫度、方向、海拔高度和預(yù)期壽命都可能會(huì)影響相關(guān)功率能力…
2022-11-07 06:45:10
對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:132672 2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003685 
。該模塊分別針對(duì)CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點(diǎn)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達(dá)48 kHz的開關(guān)頻率，適用于新一代1500V光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用。
2019-09-14 10:56:003727 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:022084 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 中的牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術(shù)之上，能夠在高性能應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:471317 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:112783 
基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款
2023-06-22 10:14:43333 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對(duì)稱溝槽
2023-11-28 08:13:57372 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">更高能效和功率密度的不斷增長(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45210 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3567
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