3月15日，在深圳福田會展中心的論壇上，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢和中國第三代半導(dǎo)體的最新市場規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:27
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5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569 確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長期。而國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
出來之后，材料質(zhì)量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止，碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過程中展現(xiàn)的可靠性，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來說，第三代手機(jī)是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過一個透鏡來進(jìn)行光傳遞，是通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場場紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展，給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無限技術(shù)，無限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語音幫車主解決很多行車問題。行車
2019-01-08 15:44:58
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復(fù)：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上?？梢哉f第三代半導(dǎo)體就是未來功率器件的發(fā)展方向。全國兩會近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應(yīng)用，未來應(yīng)用潛力巨大，這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關(guān)時間。測試周期：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗條件及被測樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢，最后分析了了我國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
認(rèn)為通過第三代半導(dǎo)體的發(fā)展就能解決芯片卡脖子是誤解，第三代半導(dǎo)體更多應(yīng)用在器件方面。對這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個股投資時，建議對該領(lǐng)域的市場空間與企業(yè)情況充分了解。 據(jù)不完全統(tǒng)計，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553812 8月28日，在2018“芯集坪山”中國集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。
2018-08-29 15:22:004563 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
日前，科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計劃重點支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)項目驗收會。通過項目的實施，中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02478 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 據(jù)南通廣播電視臺報道，中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院由烏克蘭國家科學(xué)院（單晶研究院）、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體發(fā)起成立，研究院將聯(lián)合中國、烏克蘭、德國等產(chǎn)業(yè)專家，共同開展第三代半導(dǎo)體晶體
2019-10-28 16:46:283474 近幾年，國內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響？國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328667 “萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點，特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351470 7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因為生意有多么的大，是因為國防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時，這是一個增量市場，也是企業(yè)可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:004865 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會專家紛紛表示，近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時，我國在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃之中，計劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 目前，國家2030計劃和十四五國家研發(fā)計劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國星光電舉辦了2020第一屆國星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 2020年，第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國產(chǎn)化替代、新基建的熱潮，無疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352344 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我國將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 ，什么材料會再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。 據(jù)青銅劍集團(tuán)消息，深圳青銅劍技術(shù)有限公司曾成功研發(fā)中國首款大功率IGBT驅(qū)動ASIC芯片，推出IGBT標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動
2021-01-20 13:47:363814 2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力，第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為
2021-03-15 17:08:072161 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，整個行業(yè)漸入佳境，未來可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321551 
第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點，越來越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別?？梢钥吹?，傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立
器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、
技術(shù)最成熟的
半導(dǎo)體材料，但硅材料
技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在
功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢，
第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2022-08-02 08:56:191263 
、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:291446 
近年來，「第三代半導(dǎo)體」這個名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長，使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件，從而提高電子設(shè)備的性能。
2023-02-16 15:29:259966 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以
突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以
突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 成長期。而國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強(qiáng)，整體競爭實力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛，于是第三代半導(dǎo)體市場應(yīng)運(yùn)而生。近年國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43698 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國列入301管制清單。檢測是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障，廣電計量作為國有檢測機(jī)構(gòu)，在我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展過程中，秉承國企擔(dān)當(dāng)，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 ? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03244 
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