在未來，第三代半導體的發(fā)展趨勢主要具備以下幾方面特征：半導體照明將側重于降低成本和向更廣闊的市場拓展；由國防推動的射頻領域應用需要更高的功率密度以實現(xiàn)降低成本；功率應用有著最大的增長潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關。
2013-09-11 10:45:27
2913 3月15日，在深圳福田會展中心的論壇上，中國第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長趙靜分享2022年全球半導體產業(yè)發(fā)展趨勢和中國第三代半導體的最新市場規(guī)模和應用進展。
2023-03-17 08:33:275138 
5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局
2021-05-10 16:00:572569 器件產業(yè)鏈重點公司及產品進展：歐美出于對我國技術發(fā)展速度的擔憂及遏制我國新材料技術的發(fā)展想法，在第三代半導體材料方面，對我國進行幾乎全面技術封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機構和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ≡诠怆娮印⒏邷卮?b class="flag-6" style="color: red">功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發(fā)展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
公司標準8.5cm棒狀天線，在錢塘江邊的馬路上，在離地面2米高的地方，實測距離達700-1000米?。。∵@也是第三代無線模塊必須具備的典型特征之一?。。。o線模塊配置參數(shù):434Mhz，空中
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術——EDGE作者：項子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標準。當前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。 顧名思義，陣列式紅外攝像機是采用多芯片排列發(fā)光設計原理實現(xiàn)夜間監(jiān)控。而陣列紅外攝像機的光源，通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，其實發(fā)熱量與功耗大家可想而知。其實，第三代陣列
2011-02-19 09:35:33
的5-10倍，5年內光衰小于等10%。在產品使用壽命上，IR-III紅外攝像機有明顯的優(yōu)勢，是普通紅外攝像機無法比擬的。產品功耗低：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機最高功率不超過15W，激光紅外的最高功率
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無限技術，無限流量隨便使用。擁有強大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語音幫車主解決很多行車問題。行車
2019-01-08 15:44:58
DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術1、半導體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內權威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起，UMTS網(wǎng)絡的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術，根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
已經將產業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導體身上?？梢哉f第三代半導體就是未來功率器件的發(fā)展方向。全國兩會近日剛落下帷幕，第三代半導體（GaN和SiC）再度成為兩會的關鍵詞之一。伴隨著第三代半導體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動通信系統(tǒng)標準的ALC控制方案的設計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
，很多業(yè)內的研究者感到前途茫茫。我們通過整理發(fā)現(xiàn)關于后摩爾定律業(yè)內人士提出了兩種不同的觀點：一種是繼續(xù)推進摩爾定律，在新型材料、工藝制成和器件結構上努力，將摩爾定律再推進一步；另一種是超越摩爾定律，即通過
2017-06-27 16:59:36
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機關鍵技術與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設計和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
產品范圍：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊測試項目：靜態(tài)參數(shù)符號Drain to Source Bre
2022-05-25 14:26:58
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡、安全和IoT工作負載進行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。預測2018年是第三代半導體產業(yè)化準備的關鍵期，第三代半導體設備行業(yè)將迎來景氣拐點。到2025年，第三代半導體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 本文首先介紹了第三代半導體的材料特性，其次介紹了第三代半導體材料性能應用及優(yōu)勢，最后分析了了我國第三代半導體材料發(fā)展面臨著的機遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先介紹了第3代半導體主要應用領域的發(fā)展概況，其次介紹了第三代半導體電力電子器件和產業(yè)趨勢，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 14:38:3116356 
認為通過第三代半導體的發(fā)展就能解決芯片卡脖子是誤解，第三代半導體更多應用在器件方面。對這一概念相關領域的個股投資時，建議對該領域的市場空間與企業(yè)情況充分了解。 據(jù)不完全統(tǒng)計，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553812 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 近幾年，國內不少地區(qū)都紛紛建設第三代半導體生產線，種種跡象表明，第三代半導體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產業(yè)帶來哪些影響？國內發(fā)展第三代半導體應注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328667 “萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午，第三代半導體產業(yè)技術研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進氮化鎵射頻及功率器件產業(yè)化項目，促進第三代半導體產業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 從技術發(fā)展來看，隨著硅基器件的趨近成本效益臨界點，近年來主流功率半導體器件廠商紛紛圍繞碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料進行探索。第三代半導體材料具備寬禁帶、低功率損耗等特性，迅速在高壓高頻率等新場景下發(fā)展壯大，成為功率半導體器件領域未來的重要發(fā)展趨勢之一。
2020-07-06 12:52:102471 摩爾定律”為產業(yè)發(fā)展帶來新機遇。第三代半導體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內容。與Si材料相比，第三代半導體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點，特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導體產業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。
2020-09-02 11:56:351469 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導體的產業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147242 
7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導體面前，第三代半導體的產值非常的小。國外發(fā)展第三代半導體不是因為生意有多么的大，是因為國防和科技信息技術的發(fā)展需要用到第三代半導體。同時，這是一個增量市場，也是企業(yè)可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:004865 在日前于南京舉辦的世界半導體大會第三代半導體產業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會專家紛紛表示，近年來我國第三代半導體產業(yè)發(fā)展進程較快，基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)制造的完整產業(yè)鏈。同時，我國在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 目前，國家2030計劃和十四五國家研發(fā)計劃已明確第三代半導體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國星光電舉辦了2020第一屆國星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導體。那么到底什么是第三代半導體
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 近年來，隨著半導體市場的飛速發(fā)展，第三代半導體材料也成為人們關注的重點。第三代半導體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287782 2020年，第三代半導體站在了產業(yè)風口。國產化替代、新基建的熱潮，無疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352344 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導體產業(yè)是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術變革？ 為了回答這些問題，小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我國將把發(fā)展第三代半導體產業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導體？發(fā)展第三代半導體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296 ，什么材料會再領風騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來區(qū)分不同代際半導體的關鍵參數(shù)。? 作為第三代半導體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 近期，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢，“第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出，第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場。未來5年，基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。
2021-01-13 10:16:082362 ? 近期，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢，“第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出，第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場。未來5年，基于第三代半導體材料的電子器件
2021-01-15 14:24:561919 2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力，第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為
2021-03-15 17:08:072161 半導體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個關鍵領域，整個行業(yè)漸入佳境，未來可期。 第三代半導體可提升能源轉換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
，以期實現(xiàn)產業(yè)快速發(fā)展。在應用升級和政策驅動的雙重帶動下，我國第三代半導體產業(yè)將迎來發(fā)展熱潮。 ? 01產業(yè)發(fā)展環(huán)境日趨良好 過去幾十年，“摩爾定律”一直引領著半導體產業(yè)的發(fā)展。但隨著半導體工藝演進到今天，每前進一代，
2021-06-17 09:11:0410310 5月14日，中國國務院副總理劉鶴即主持召開國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設領導小組第十八次會議，討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術。近期的市場表現(xiàn)也讓材料創(chuàng)新的第三代半導體呼聲漸高。2020
2021-06-21 13:31:151916 
第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
2021-10-11 14:35:321551 
第三代半導體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點，越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術的功率器件的性能區(qū)別?？梢钥吹?，傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 
日前，基于SiC和GaN的第三代半導體技術蓬勃發(fā)展，其對應的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭，以其優(yōu)越的160dB
2022-05-12 14:54:171309 
、新架構的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著性能優(yōu)勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?【導讀】在集成電路和分立器件領域，硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料，但硅材料技術的成熟
2022-08-02 15:12:291442 
近年來，「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發(fā)式增長，使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263 第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-01-31 10:28:21627 
第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 、射頻應用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 第一代、第二代、第三代半導體之間應用場景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導體應用場景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 、射頻應用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 成長期。而國內第三代半導體產業(yè)經過前期產能部署和產線建設，國產第三代半導體產品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術穩(wěn)步提升，產能不斷釋放，國產碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強，整體競爭實力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對相關器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，于是第三代半導體市場應運而生。近年國內的第三代半導體產業(yè)發(fā)展如火如荼，同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43697 
第三代半導體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半導體具有廣泛的應用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國列入301管制清單。檢測是提高半導體器件質量與可靠性的重要保障，廣電計量作為國有檢測機構，在我國第三代半導體發(fā)展過程中，秉承國企擔當，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導體三大應用領域構筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866 
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-03-13 17:42:58495 
第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
當前，第三代半導體中的碳化硅功率器件，在導通電阻、阻斷電壓和結電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
據(jù)藍色空港消息，先進半導體制造項目主要從事第三代半導體功率器件的設計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅動產品應用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設，一期投資2億元，計劃建設6條clip先進包裝生產線。
2023-06-27 10:31:18602 能與成本?未來有何發(fā)展目標?...... 前言： 憑借功率密度高、開關速度快、抗輻照性強等優(yōu)點，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料被廣泛應用于電力電子、光電子學和無線通信等領域，以提高設備性能和效率，并成為當前半導
2023-09-18 16:48:02365 ? 新能源汽車和光伏、儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產業(yè)的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導體材料物理限制，成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03244 
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