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廣電計(jì)量

廣電計(jì)量一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。專(zhuān)注于為客戶(hù)提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢(xún)與培訓(xùn)等專(zhuān)業(yè)技術(shù)服務(wù)。

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功率器件參數(shù)測(cè)試

型號(hào): MOSFET、IGBT、DIODE、BJT
品牌: GRGTEST(廣電計(jì)量)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 測(cè)試周期: 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定
  • 產(chǎn)品范圍: MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三

--- 產(chǎn)品詳情 ---

服務(wù)介紹

隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來(lái)應(yīng)用潛力巨大,這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平,更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

測(cè)試周期:

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定

產(chǎn)品范圍:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

測(cè)試項(xiàng)目:

靜態(tài)參數(shù)符號(hào)
Drain to Source Breakdown VoltageBVDSS
Drain Leakage CurrentIDSS
Gate Leakage CurrentIGSS
Gate Threshold VoltageVGS(th)
Drain to Source On ResistanceRDS(on)
Drain to Source On VoltageVDS(on)
Body Diode Forward VoltageVSD
Internal Gate ResistanceRg
Input capacitanceCies
Output capacitanceCoes
Reverse transfer capacitanceCres
Transconductancegfs
Gate to Source Plateau VoltageVgs(pl)
動(dòng)態(tài)參數(shù)符號(hào)
Turn-on delay timetd(on)
Rise timetr
Turn-off delay timetd(off)
Fall timetf
Turn-on energyEon
Turn-off energyEoff
Diode reverse recovery timetrr
Diode reverse recovery chargeQrr
Diode peak reverse recovery currentIrrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current
dirr/dt
Total gate chargeQG
Gate-Emitter chargeQGC
Gate-Collector chargeQGE
其他參數(shù)符號(hào)
thermal resistanceRth
Unclamped Inductive SwitchingUIS
Reverse biased safe operating areaRBSOA
Short circuit safe operation areaSCSOA

 

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