失效分析是指研究產(chǎn)品潛在的或顯在的失效機理，失效概率及失效的影響等，為確定產(chǎn)品的改進措施進行系統(tǒng)的調(diào)查研究工作，是可靠性設(shè)計的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:23
3510 節(jié)能燈功率管失效機理分析
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1引言
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的
2009-07-29 12:20:19824 到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
2017-09-18 10:35:309798 
失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。 1、電阻器的主要失效模式與失效機理為 1) 開路：主要失效機理為電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線
2018-01-16 08:47:1129569 
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
2022-10-24 16:10:442332 半導(dǎo)體元器件在整機應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。
2023-01-06 13:36:251931 失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。
2023-09-06 10:28:051332 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:081123 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
MOSFET的失效機理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對機械產(chǎn)品可按照其相應(yīng)規(guī)定功能來分類。 2.2 按材料損傷機理分類 根據(jù)機械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學(xué)的本質(zhì)機理不同和過程特征差異
2011-11-29 16:46:42
分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件，會對失效樣品進行初步電測判斷，再次會使用良品替換確認(rèn)故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進行交流，詳細了解原始數(shù)據(jù)，這是開展失效分析工作關(guān)鍵一步。確認(rèn)其失效機理，失效機理是指失效
2020-08-07 15:34:07
失效分析方法---PCB失效分析該方法主要分為三個部分，將三個部分的方法融匯貫通，不僅能幫助我們在實際案例分析過程中能夠快速地解決失效問題，定位根因；還能根據(jù)我們建立的框架對新進工程師進行培訓(xùn)，方便
2020-03-10 10:42:44
`v失效：產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析：為確定和分析失效器件的失效模式，失效機理，失效原因和失效性質(zhì)而對產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式：失效的表現(xiàn)形式。v失效機理：導(dǎo)致器件失效的物理，化學(xué)變化
2011-11-29 17:13:46
丟失、數(shù)據(jù)寫入出錯、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問題，嚴(yán)重影響了IC卡的廣泛應(yīng)用。因此，有必要結(jié)合IC卡的制作工藝及使用環(huán)境對失效的IC卡進行分析，深入研究其失效模式及失效機理，探索引起失效
2018-11-05 15:57:30
IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的失效機理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
`對于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來看，光輸出功率以及電性能隨著時間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對產(chǎn)品可靠性的要求，研究失效機理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對負電極脫落開展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
分析對象的背景，確認(rèn)失效現(xiàn)象，接著制定LED失效分析方案，研究LED失效原因與機理，最后提出后續(xù)預(yù)防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例，將LED芯片失效原因歸納為以下幾類： 1.封裝
2020-10-22 09:40:09
分析對象的背景，確認(rèn)失效現(xiàn)象，接著制定LED失效分析方案，研究LED失效原因與機理，最后提出后續(xù)預(yù)防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例，將LED芯片失效原因歸納為以下幾類： 1.封裝
2020-10-22 15:06:06
高壓MOSFET datasheet里面對dv/dt的AMR規(guī)格如，所謂AMR就是absolute maximum rating，就是說超過這個參數(shù)范圍，MOSFET就有可能損壞。 我們發(fā)現(xiàn)有兩個限制
2016-12-12 15:26:49
`請問SMT焊點的主要失效機理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
本文先對mos失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1,2重點進行分析：1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致
2018-08-15 17:06:21
進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全
2019-08-28 07:30:00
經(jīng)常碰到電源板上MOSFET失效，煩?。。。。〈蠹叶际窃趺唇鉀Q的呢？
2015-08-31 11:31:46
次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象，就越是本質(zhì)的失效原因。基本概念 1.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。 判斷失效的模式,查找失效原因和機理,提出預(yù)防再失效
2011-11-29 16:39:42
元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復(fù)出現(xiàn)。3、失效
2016-10-26 16:26:27
失效分析基本概念定義：對失效電子元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效
2016-12-09 16:07:04
的失效機理可以分為兩類：過應(yīng)力和磨損。過應(yīng)力失效往往是瞬時的、災(zāi)難性的；磨損失效是長期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著才是器件失效。失效的負載類型又可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負載等
2021-11-19 06:30:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
`以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應(yīng)用，但廣泛的應(yīng)用場景也意味著可能會出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況，進而導(dǎo)致機械設(shè)備發(fā)生故障！因此，正確分析電力電子器件的失效情況，對于
2019-10-11 09:50:49
就會縮短。其次，環(huán)境條件中如高溫、高濕、空氣中的塵埃和腐蝕性化學(xué)物質(zhì)、ESD等都會影響元器件的壽命。常見的元器件失效如下：（見附件）而按照導(dǎo)致的原因可將失效機理分為以下六種:1、設(shè)計問題引起的劣化 指
2020-12-07 17:03:41
`電容器的常見失效模式和失效機理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
`電容器的常見失效模式和失效機理【下】3.2.6鋁電解電容器的失效機理鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負極是黏稠狀的電解液，工作時相當(dāng)一個電解槽。鋁電解電容器常見失效
2011-11-18 13:19:48
`電容器的常見失效模式和失效機理【中】3.2電容器失效機理分析3.2.1潮濕對電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說
2011-11-18 13:18:38
、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。3.1失效模式的失效機理3.1.1 引起電容器擊穿的主要失效機理3.1.2 引起電容器開路的主要失效機理3.1.3
2011-12-03 21:29:22
請問一下元器件失效機理有哪幾種？
2021-06-18 07:25:31
節(jié)能燈功率管的失效機理分析
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的應(yīng)用，國內(nèi)節(jié)能燈的生產(chǎn)
2009-05-13 15:25:19677 
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 
通過剖析一晶體管的失效機理, 給出了對此類晶體管失效分析的方法和思路。討論了晶體管存在異物、芯片粘結(jié)失效和熱應(yīng)力失效等失效模式。
2012-03-15 14:18:08
30 判斷失效的模式, 查找失效原因和機理, 提出預(yù)防再失效的對策的技術(shù)活動和管理活動稱為失效分析。
2012-03-15 14:21:36121 本文共討論了MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法（通過建模和測量）和設(shè)計改進。排除了封裝應(yīng)力作為高壓滅菌器失效的根源。
2013-01-24 10:39:191261 
基于集成電路應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機理中文版
2016-02-25 16:08:1110 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)
2017-03-09 01:43:231760 元器件長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-19 08:37:3432 對電子元器件的失效分析技術(shù)進行研究并加以總結(jié)。方法 通過對電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機理等故障現(xiàn)象進行分析。
2018-01-30 11:33:4110912 電容器的常見失效模式有：――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液；部分功能失效――引線腐蝕或斷裂；致命失效――絕緣子破裂；致命失效――絕緣子表面飛??；
2018-03-15 11:00:1026174 
到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓
2018-05-06 09:13:2614531 本文通過大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法，針對不同環(huán)境應(yīng)力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機理進行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:456951 
本文主要對變壓器線圈常見的三種失效機理進行了介紹，另外還對電感和變壓器類失效機理與故障進行了分析。
2018-05-31 14:41:529637 
或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間，有時甚至炸機。今天主要說的是電容器，電阻器和電感。 電容器失效模式與機理 電容器的常見失效模式有：擊穿短路；致命失效開路；致命失效電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗
2018-06-07 15:18:137239 LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結(jié)構(gòu)上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么， LED失效的模式和物理機制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進行討論。
2018-07-12 14:34:007820 電容器在工作應(yīng)力與環(huán)境應(yīng)力綜合作用下，工作一段時間后，會分別或同時產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理，同一失效機理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機理之間的關(guān)系不是一一對應(yīng)的。
2018-08-07 17:45:565294 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓，并且超越到達了一定的才能從而招致MOSFET失效。 2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET平安工作
2023-03-20 16:15:37231 ? 磁珠磁環(huán)的主要失效機理是機械應(yīng)力和熱應(yīng)力。作為導(dǎo)磁材料，磁珠磁環(huán)的脆性較強，在受到外部機械應(yīng)力（如沖擊、碰撞、PCB翹曲）的時候，磁珠本體易出現(xiàn)裂紋。因此磁珠和磁環(huán)的使用需要注意以下事項： 1.
2019-12-19 10:21:251592 
外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。
2020-03-06 14:30:351913 LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。
2020-03-22 23:13:001910 
或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間，有時甚至炸機。 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。 電阻器失效 失效模式：各種失效的
2020-06-29 11:15:216642 再說維護問題吧，電池的失效分正常失效(電池壽命終結(jié))和非正常因素失效。正常失效就購買新電池更換！ 電瓶修復(fù)， 非正常因素失效都是電池使用不當(dāng)造成的，比如充電、放電、保存等，對用戶而言有可控和不可
2020-09-08 15:35:501998 本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效
2021-06-22 15:53:297504 或斷裂；致命失效 ――絕緣子破裂；致命失效 ――絕緣子表面飛??；部分功能失效 引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。 各種常見失效模式的主要產(chǎn)
2021-12-11 10:13:532688 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 MOSFET的失效機理 本文的關(guān)鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889 
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2022-05-16 15:05:583621 
摘要：常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免
2022-10-11 10:05:014603 失效分析是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析
2022-10-12 11:08:484175 講述了電子器件的失效進行分類 、對失效的機理行闡失效的評估方法等制 。
2022-10-17 14:26:287 PCB失效的機理，必須遵守基本的原則及分析流程。一般的基本流程是，首先必須基于失效現(xiàn)象，通過信息收集、功能測試、電性能測試以及簡單的外觀檢查，確定失效部位與失效模式，即失效定位或故障定位。
2022-11-09 14:35:48691 失去原有的效力。在各種工程中，部件失去原有設(shè)計所規(guī)定的功能稱為失效。失效簡單地說就是“壞了”，但是“壞了”也有很多種情況。
2022-11-30 10:47:53268 MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:071144 
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩
2023-02-13 09:30:071298 
MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 實際應(yīng)用中，IGBT常見的兩種失效機理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測的失效，隨著時間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過
2023-02-24 15:08:582 介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu)，失效機理和質(zhì)量因素，希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571 MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 失效率是可靠性最重要的評價標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041120 
常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞．這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483682 
為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機理，封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315 
集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26722 集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同，可將失效機理劃分為電應(yīng)力失效機理、溫度-機械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603 
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機理；并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932 PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01546 
電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為：外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層，在內(nèi)部電場作用下，發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水，加速了電阻膜的水解反應(yīng)，致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102 
肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 晶振失效了？怎么解決？
2023-12-05 17:22:26233 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53295 
保護器件過電應(yīng)力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30333 ▼關(guān)注公眾號：工程師看海▼ 失效分析一直伴隨著整個芯片產(chǎn)業(yè)鏈，復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)鏈中任意一環(huán)出現(xiàn)問題都會帶來芯片的失效問題。芯片從工藝到應(yīng)用都會面臨各種失效風(fēng)險，筆者平時也會參與到失效分析中，這一期就對失效
2023-12-20 08:41:04531 
ESD失效和EOS失效的區(qū)別 ESD（電靜電放電）失效和EOS（電壓過沖）失效是在電子設(shè)備和電路中經(jīng)常遇到的兩種失效問題。盡管它們都涉及電氣問題，但其具體產(chǎn)生的原因、影響、預(yù)防方法以及解決方法
2023-12-20 11:37:023071
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