IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。
2014-08-05 09:42:43
2065 大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:301195 摘 要：針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對(duì)象，對(duì)功率模塊
2023-12-14 09:37:05472 
轉(zhuǎn)眼2024年的第一個(gè)周末了，也許只有到了隆冬，我們才會(huì)知道，我們身上有著一個(gè)不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時(shí)，我們聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17433 
SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
技術(shù)取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無(wú)需再使用更為復(fù)雜的IGBT結(jié)構(gòu)。在電動(dòng)汽車、軌道交通領(lǐng)域
2023-02-16 15:36:56
2011年內(nèi)可完成產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。三星計(jì)劃2012年第2季投入IGBT量產(chǎn)，并正式展開(kāi)電力芯片事業(yè)?！ ∪菍⒀芯糠秶鷶U(kuò)大至氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估電力芯片事業(yè)將會(huì)成為非內(nèi)存事業(yè)的一大
2012-03-19 15:16:42
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
效率，并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上，有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過(guò)去25年?！ 【拖穸兰o(jì)八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說(shuō)，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動(dòng)電壓要比
2018-11-30 11:34:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過(guò)采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來(lái)改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開(kāi)關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開(kāi)關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。而Si材料中，為了改善伴隨高耐壓化而引起的導(dǎo)通電阻增大的問(wèn)題，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar
2019-07-23 04:20:21
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有待優(yōu)化，價(jià)格較高，但肯定是未來(lái)的方向。 SiC投資陸續(xù)開(kāi)花結(jié)果功率器件是電動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)的“心臟”，承擔(dān)著對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換和控制的作用，電動(dòng)汽車對(duì)其需求巨大。電動(dòng)汽車飛速發(fā)展，也給了
2022-12-27 15:05:47
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
陣營(yíng)，將會(huì)大大推動(dòng)LTE技術(shù)的發(fā)展，LTE在后3G時(shí)代也將延續(xù)2G時(shí)代GSM的主流地位。沃達(dá)豐CEO阿倫·薩林在巴塞羅那的移動(dòng)世界大會(huì)上表示，該集團(tuán)將與中國(guó)移動(dòng)和Verizon攜手推進(jìn)LTE技術(shù)，LTE將成為行業(yè)未來(lái)發(fā)展的明確方向。
2019-08-26 07:12:39
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
項(xiàng)目名稱：特種電源開(kāi)發(fā)試用計(jì)劃：在I項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中，有一個(gè)關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對(duì)開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來(lái)越高，計(jì)劃把IGBT開(kāi)關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模塊，對(duì)比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預(yù)計(jì)成果：在性能滿足要求，價(jià)格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。通過(guò)將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
隨著可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的升溫，醫(yī)療電子技術(shù)以及相關(guān)產(chǎn)品也正以前所未有的速度進(jìn)入這一市場(chǎng)。智慧醫(yī)療概念的提出同樣也佐證了這一市場(chǎng)趨勢(shì)未來(lái)的方向，更加便捷，小巧以及親民的醫(yī)療電子設(shè)備將成為市場(chǎng)的熱門。
2019-10-11 06:26:50
就功率半導(dǎo)體而言，高規(guī)格輔助電源發(fā)展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有關(guān)。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關(guān)分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
學(xué)習(xí)C語(yǔ)言未來(lái)的發(fā)展方向是怎樣的？
2021-11-11 08:04:24
嵌入式系統(tǒng)開(kāi)源軟件的現(xiàn)狀及未來(lái)的發(fā)展方向
2021-04-28 06:25:59
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
`在中美貿(mào)易戰(zhàn)持續(xù)發(fā)酵的同時(shí),LED行業(yè)的未來(lái)發(fā)展也到了瓶頸期。然而，隨著我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)與云計(jì)算熱潮的不斷升溫，智慧城市建設(shè)浪潮席卷而來(lái)。在國(guó)家政策支持下，智慧城市需求規(guī)模大幅增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2022年
2018-10-29 11:57:51
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
，相應(yīng)地IGBT關(guān)斷時(shí)拖尾電流更短。更薄的晶片和因此而縮短的通道，帶來(lái)了三重效益——通態(tài)損耗降低大約40%；開(kāi)關(guān)損耗未增加；生產(chǎn)成本比早期器件降低10%（圖1c）。這十年，IGBT制造商的重點(diǎn)一直是
2018-12-03 13:47:00
眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大
2019-03-05 09:46:471867 直到最近，功率模塊市場(chǎng)仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來(lái)了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:5317040 SiC SBD和 MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn)，第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284190 文章來(lái)源：電子工程世界 作者：湯宏琳 就在我們還沉浸在Si器件帶來(lái)的低成本紅利時(shí)，很多關(guān)鍵型應(yīng)用已經(jīng)開(kāi)始擁抱SiC了。 雖然SiC成本還有些略高，但它卻有著自己得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：與Si相比，SiC
2020-10-26 10:12:252654 
SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒(méi)有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決，下面我們就來(lái)看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:295850 成果展示：SiC基IGBT模型（ver.1.0） 作為十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)中科技前沿領(lǐng)域重點(diǎn)攻關(guān)方向，碳化硅（SiC）基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）肩負(fù)眾望。盡管目前碳化硅功率
2021-04-07 14:09:25627 
IGBT 和 SiC 電源開(kāi)關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn)，大功率應(yīng) 用的效率越來(lái)越高并且尺寸越來(lái)越小。此類器件包括
2022-03-18 12:07:166422 超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū)，相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極（Emitter）。背面 P+ 區(qū)域定義為漏區(qū)，相應(yīng)的電極稱為集電極（Collector）。
2022-06-17 09:25:411002 比亞迪IGBT，IPM，F(xiàn)RD,SIC，應(yīng)用領(lǐng)域，微型電動(dòng)車，新能源汽車， 審核編輯 黃昊宇
2022-07-18 09:48:183031 
Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過(guò)采用具有更少部件和更簡(jiǎn)單控制方案的兩電平拓?fù)淇朔?IGBT 的困難。沒(méi)有開(kāi)關(guān)限制，功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺寸和重量，為更多充電站騰出空間，并延長(zhǎng)重型汽車、電動(dòng)公交車和其他電池供電的商用車的續(xù)航里程和運(yùn)行時(shí)間。
2022-08-03 09:12:251029 近幾年來(lái)，電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增，特別是電動(dòng)汽車的興起，讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài)，且未來(lái)幾年都沒(méi)有緩解的跡象。此時(shí)，SiC器件也乘勢(shì)而起，開(kāi)啟了汽車領(lǐng)域的滲透之路，那么，未來(lái)這兩種功率器件將誰(shuí)主沉浮呢？
2022-09-07 09:41:4410946 近幾年來(lái)，電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增，特別是電動(dòng)汽車的興起，讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài)，且未來(lái)幾年都沒(méi)有緩解的跡象。此時(shí)，SiC器件
2022-09-07 10:19:233541 
萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè);7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目建設(shè);11億元用于汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一期)建設(shè);16.5億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。 據(jù)了解，士蘭微此次投建年產(chǎn)36萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)12萬(wàn)片F(xiàn)S-IGBT、12萬(wàn)片T-DPMOSFET、12萬(wàn)片SGT
2022-10-19 16:02:141168 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間
2023-02-23 09:20:46
2 作為十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)中科技前沿領(lǐng)域重點(diǎn)攻關(guān)方向，碳化硅（SiC）基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）肩負(fù)眾望。
盡管目前碳化硅功率MOSFET的阻斷電壓已經(jīng)可以做到10 kV，但作為一種
2023-02-24 10:33:510 本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀，并對(duì) IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡(jiǎn)要闡述；最 后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 相關(guān)問(wèn)題，最后對(duì) IGBT 未來(lái)的發(fā)展方向做了總結(jié)展望。
2023-02-24 09:45:072816 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者M(jìn)OSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 所有類型的電動(dòng)汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)實(shí)現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:501694 各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優(yōu)秀原廠——索力德普，貞光科技是索力德普代理商和解決方案供應(yīng)商，負(fù)責(zé)索力德普IGBT、高壓FRD、特種MOS、Power IC及寬禁帶SiC功率器件等產(chǎn)品的銷售和技術(shù)服務(wù)。
2022-08-11 14:29:17626 
，無(wú)法修復(fù)。IGBT損壞意味著逆變器必須更換或大修。因此，IGBT是功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象。逆變器核心部件IGBT介紹以上就是IGBT失效的三種模式。電氣故障最為常
2023-03-30 10:29:45992 
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在汽車行業(yè)的應(yīng)用趨勢(shì)碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。在電動(dòng)汽車中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個(gè)方向，一個(gè)
2023-08-17 16:41:23817 
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
SiC與GaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:226 本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
在經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場(chǎng)和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而，在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？
2023-11-30 16:12:41243 
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
一、產(chǎn)品介紹 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-12-13 16:36:19135 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
從行業(yè)趨勢(shì)看，SiC上車是大勢(shì)所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會(huì)上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來(lái)發(fā)展前景不明的猜測(cè)，但后續(xù)汽車市場(chǎng)和供應(yīng)商都用實(shí)際行動(dòng)表達(dá)了對(duì)SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182 
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