金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源產品優(yōu)勢

基于國內外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導體應用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。

金升陽致力于為客戶提供更優(yōu)質的電源解決方案，基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源QA_(T)-R3G系列產品，同時為結合充電樁市場應用需求，打造了全新的滿足元器件100%國產化、高可靠的R3代驅動電源產品。

產品優(yōu)勢

優(yōu)勢特點

01高可靠隔離電壓：5000VAC（加強絕緣）

R3代驅動電源產品基于自主IC設計平臺，在可靠性上相較于R1代和競品有了極大的提升，隔離電壓高達5000VAC（R1產品/競品為3750VAC），滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

02滿足1700VDC長期絕緣要求

作為現(xiàn)階段主流的半導體器件，應用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3代驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現(xiàn)長期絕緣電壓（持續(xù)放電）滿足1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT器件。

03元器件100%國產化，多項性能指標提升

R3代驅動電源相較于R1代產品，在整體性能上得到了很大提升。

效率提升：80%→86%

紋波下降：75mVpp→50mVpp

強帶載能力：220uF→2200uF

靜電性能提升：±6kV→±8kV

優(yōu)勢對比

表1 QA-R3G系列性能對比表

產品特點

QA-R3G系列

超小型SIP封裝

CMTI>200kV/μs

局部放電1700V

隔離電壓5000VAC（加強絕緣）

最大容性負載2200μF

超小隔離電容3.5pF(typ.)

工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

可持續(xù)短路保護

QA_T-R3G系列

CMTI>200kV/μs

局部放電1700V

隔離電壓5000VAC（加強絕緣）

最大容性負載2200μF

超小隔離電容2.5pF(typ.)

工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

SMD封裝

效率高達86%

可持續(xù)短路保護

產品應用

作為IGBT/SiC MOSFET的專業(yè)驅動電源，該系列產品在應用上基本覆蓋相對應的行業(yè)，包含充電樁、光伏等領域。

QA_(T)-R3G系列應用電路圖

產品選型

表2 QA-R3G系列選型表

表3 QA_T-R3G系列選型表

審核編輯：湯梓紅