士蘭微募集65億元，布局IGBT、SiC和車規(guī)級封裝

伴隨新興市場的應用需求，士蘭微擬擴充12英寸芯片和SiC功率器件產能，加快深入電動汽車、光伏等領域。

10月15日，士蘭微發(fā)布公告，公司計劃非公開發(fā)行股票募集資金65億元，其中30億元用于年產36萬片12英寸芯片生產項目建設;7.5億元用于SiC功率器件生產線建設項目建設;11億元用于汽車半導體封裝項目(一期)建設;16.5億元用于補充流動資金。

據(jù)了解，士蘭微此次投建年產36萬片12寸晶圓產線項目，達產后將新增年產12萬片F(xiàn)S-IGBT、12萬片T-DPMOSFET、12萬片SGT-MOSFET功率芯片產能;SiC功率器件產線建設項目達產后將實現(xiàn)年產12萬片SiC-MOSFET和年產2.4萬片SiC-SBD6寸晶圓產能;汽車半導體封裝項目(一期)達產后將形成年產720萬塊汽車級功率模塊產能。此次擴建晶圓和封裝產線是士蘭微長遠發(fā)展的重要一步，將為公司后續(xù)在IGBT、SiC和車規(guī)級功率模塊領域的長期發(fā)展奠定基礎，并提供產能保障。

近年來公司產能穩(wěn)健增長，此次12寸晶圓擴產將進一步提升公司IGBT和MOS晶圓產能。封裝方面，公司目前已具備月產7萬只汽車級PIM模塊的生產能力，已經向比亞迪、零跑、匯川等下游廠商實現(xiàn)批量供貨。當前國內汽車主驅模塊供給仍然緊張，公司前瞻布局該領域，目前已成為國內IGBT主驅模塊主流供應商之一。SiC方面，公司目前已突破并掌握平面柵SiC-MOSFET和SiC-SBD關鍵技術。隨著士蘭微IGBT、SiC和車規(guī)級封裝穩(wěn)步推進，長期成長空間將進一步打開。

另外，士蘭微憑借強勁的研發(fā)實力，上半年公司基于8寸平臺Trench 1200V IGBT芯片，完成了10A-200A全系列研發(fā)工作，對應IGBT系列模塊同步投放市場;第二顆SJ MOS進入流片階段，預計年底產出工程樣品;SiC方面，公司SiC SBD產品完成批量出貨，SiC 1200V 80mohm系列產品實現(xiàn)量產，1200V 40mohm產品將在今年第四季度推出。經過進一步的產能規(guī)劃，士蘭微研發(fā)進展順利，伴隨IGBT、SiC等產品發(fā)展節(jié)奏，產品力有望穩(wěn)健提升。

功率器件是電動汽車逆變器的核心能量轉換單位。隨著高動力性能電動汽車市場的發(fā)展，高端的SiC和IGBT等功率器件的需求量也會得到迅速增長。士蘭微作為上游器件供應商，提前布局IGBT、SiC和車規(guī)級封裝產能，想必下游應用市場的需求已具有預見性。電動汽車、光伏等賽道目前依舊火熱。

據(jù)公告，募投項目投產后，公司12英寸芯片和SiC功率器件的產能將得到提升，有利于擴大市場份額，提高公司主營業(yè)務盈利水平，增加公司資產規(guī)模和增強抗風險能力，提升和鞏固公司的行業(yè)地位，促進公司的可持續(xù)發(fā)展。

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審核編輯 黃昊宇