5月9日，浙江湖州南太湖新區(qū)與安徽源芯微電子有限責(zé)任公司簽署協(xié)議，計(jì)劃投建一個(gè)年產(chǎn)量達(dá)20億顆車規(guī)級(jí)芯片制造基地及碳化硅車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)中心。
據(jù)南太湖新區(qū)官方透露，該企業(yè)在車規(guī)級(jí)中/低壓MOS、車規(guī)級(jí)高壓MOS和SIC MOS的汽車電子領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，成功實(shí)現(xiàn)了汽車MOS芯片的進(jìn)口取代。此次簽約項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資10億元，分兩期進(jìn)行建設(shè)，全面建成后年產(chǎn)值可達(dá)到約18億元。
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