于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓 ，以及 SiC器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的寄生導(dǎo)通問題 。本文作為系列文章的第三篇，會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:00
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PCB布線設(shè)計(jì)時(shí)寄生電容的計(jì)算方法
在PCB上布兩條靠近的走線，很容易產(chǎn)生寄生電容。由于這種寄生電容的存在，
2009-09-30 15:13:3326465 
電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小，同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。
2013-03-14 11:12:331052 
在被測(cè)點(diǎn)阻抗較高時(shí)，即使該點(diǎn)僅有較小的電容，其帶寬也會(huì)受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中，由于各磁簧繼電器的寄生電容會(huì)在輸出端并聯(lián)，加大了輸出端的電容，使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:4721354 
從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容（100毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì)因寄生問題而提
2019-04-09 13:56:011373 首先，我們介紹設(shè)計(jì)寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生的影響；然后，我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009438 
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時(shí)，漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時(shí)，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容，但其實(shí)并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14868 
MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)
2018-11-21 15:52:43
感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-13 09:48:50
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電容
2019-04-10 06:20:15
感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-18 10:09:10
以及漏極源極電容。這些電容不能直接測(cè)量到，它們是通過測(cè)量輸入、輸出和反向傳輸電容等參數(shù)然后計(jì)算得到。這三類寄生電容之間的關(guān)系如下：10. 反向二極管特性MOSFET都有一個(gè)寄生的反向二極管，這個(gè)二極管
2018-07-12 11:34:11
和熱量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位
2022-07-26 18:06:41
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對(duì)低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止（電容器出現(xiàn)電感）。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32
，各有優(yōu)點(diǎn)。低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對(duì)低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止（電容
2018-09-29 09:22:17
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么？焊接對(duì)無(wú)源器件性能的影響是什么？
2021-06-08 06:05:47
在LTC6268-10芯片手冊(cè)中，為了減小寄生反饋電容的影響，采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請(qǐng)問，在這種工作方式下，為了使寄生電容降到最低，對(duì)電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎？
2023-11-16 06:28:44
二極管所謂二極管－分類與特性所謂二極管－整流二極管的特征比較所謂二極管－肖特基勢(shì)壘二極管的特征所謂二極管－快速恢復(fù)二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂
2018-11-27 16:40:24
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級(jí)結(jié)
2018-11-27 16:38:39
寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51
，各有優(yōu)點(diǎn)。低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對(duì)低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止（電容
2018-09-10 08:16:02
在高壓回路中，正負(fù)極對(duì)地會(huì)產(chǎn)生一個(gè)寄生電容，而寄生電容與回路中的電阻會(huì)組成一個(gè)RC充放電電路。在使用國(guó)標(biāo)電流橋檢測(cè)電路方法時(shí)，正負(fù)極對(duì)地的寄生電容和電阻的大小會(huì)影響到AD采集。在RC充滿的時(shí)間一般為3RC以上，在此過程中如何探討RC電路充滿電壓的時(shí)間？
2020-07-27 23:14:10
從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容（100毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì)因寄生問題而提
2019-05-14 08:00:00
I.引言 高效率已成為開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來(lái)越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來(lái)說(shuō)，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)
2018-10-08 15:19:33
大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對(duì)于該討論主題的第 1 部分，我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況1. 只需
2022-11-22 07:29:30
貼片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢？為什么溫度會(huì)影響晶振頻率呢？
2021-02-26 07:43:28
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17
也是基于電容的特性，下面將從結(jié)構(gòu)上介紹這些寄生電容，然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義，以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結(jié)構(gòu)如圖
2016-12-23 14:34:52
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
;Verdana">磁芯對(duì)電感寄生電容的影響分析</font></strong&
2009-12-23 16:07:01
如何用一種能夠遠(yuǎn)程或者通過一個(gè)大寄生電容降低光電二極管帶寬和噪聲影響的電路？
2021-04-06 07:39:35
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
環(huán)境溫度的影響。圖3 寄生電容引起“振鈴”難道就沒辦法對(duì)付它們了嗎？通過工程師們的不懈努力，發(fā)現(xiàn)這些影響是可以通過合理的電路設(shè)計(jì)來(lái)減少的。下面我們將討論下怎樣“利用二極管的電容特性來(lái)減小高速信號(hào)上
2020-12-15 15:48:52
鐵氧體電感器在較高頻率時(shí)可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián)，該電容的存在對(duì)電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場(chǎng)和3D
2009-04-08 15:45:17
66 PCB板寄生元件的危害:印刷電路板布線產(chǎn)生的主要寄生元件包括：寄生電阻、寄生電容和寄生電感。例如：PCB的寄生電阻由元件之間的走線形成；電路板上的走線、焊盤和平行走線會(huì)
2009-11-15 22:28:470 寄生電容對(duì)電磁干擾濾濾器效能的影響
本文將針對(duì)交換式電源供應(yīng)器在高頻切換所帶來(lái)的傳導(dǎo)性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問題，藉由不同繞
2010-06-19 16:30:3754 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動(dòng)電流小，頻率特性好，跨導(dǎo)高度線性
2009-11-25 17:49:501003 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動(dòng)電流小，頻率特性好，跨
2009-11-27 09:24:23613 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動(dòng)
2010-01-11 10:24:051321 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線構(gòu)之間總是有互容，互
2010-03-23 09:33:552558 每個(gè)通孔都有對(duì)地寄生電容。因?yàn)橥椎膶?shí)體結(jié)構(gòu)小，其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個(gè)數(shù)量
2010-06-11 17:21:491168 
過孔本身存在著寄生的雜散電容，如果已知過孔在鋪地層上的阻焊區(qū)直徑為D2,過孔焊盤的直徑為D1,PCB板的厚度為T,板基材介
2010-06-13 15:33:523751 電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？這里，我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入
2018-05-18 01:17:002785 
二極管以其單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">特性，在整流開關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用；其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結(jié)電容，能夠有效地減少信號(hào)線上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個(gè)運(yùn)用。
2017-03-21 11:31:303813 
升壓設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件，可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關(guān)聯(lián)可引起大共鳴開關(guān)電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導(dǎo)致調(diào)節(jié)器顯示表現(xiàn)為義務(wù)的不穩(wěn)定的操作
2017-05-02 14:15:4019 走線越長(zhǎng)對(duì)開關(guān)的寄生電容效用越明顯，過大的寄生電容會(huì)使開關(guān)不能正常工作。如果寄生電容太大，當(dāng)手指與觸摸開關(guān)接觸時(shí)，過大的寄生電容使MCU不能檢測(cè)到開關(guān)狀態(tài)的變化。通常，根據(jù)不同的開關(guān)圖形與所用的材料不同，觸摸開關(guān)感應(yīng)電容一般控制在2~15pF之間是比較合理的。
2017-05-31 09:02:123194 
和電容乘積的平方根成反比，開關(guān)總輸出電容（增加的電容與初始寄生電容之和）增加四倍。因此，寄生電容Cp為外部所增加電容值的1/3?，F(xiàn)在，式通過下可獲得寄生電感Lp：
2017-06-01 10:48:4011789 
大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦裕O管如何減少寄生電容。正向接入方法，二極管接在信號(hào)線與附件功能模塊之間，這表示附加功能模塊使能時(shí)是高電平輸出的。
2017-09-23 09:40:099656 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會(huì)看到它的極板是用長(zhǎng)達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5537300 
本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049 
區(qū)大。因此，不論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的開關(guān)速度是在高頻應(yīng)用時(shí)的一個(gè)重要的參數(shù)，因此提出一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)。
2019-07-08 08:17:002675 
ADI公司的Matt Duff講解為什么運(yùn)算放大器反相引腳的寄生電容會(huì)引起不穩(wěn)定。
2019-06-11 06:11:004700 本文首先介紹了寄生電容的概念，其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因，最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性，指不是專門設(shè)計(jì)成電容，卻有著電容作用的效應(yīng)，比如三極管極間電容。單點(diǎn)說(shuō)，兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容，元器件間在高頻下表現(xiàn)出來(lái)的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019503 
減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體，首先：
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001 寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中，過孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來(lái)簡(jiǎn)單地計(jì)算一個(gè)過孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含義就是本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673 寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。
2020-10-09 12:04:1734949 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:48:3511 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供二極管是如何減少寄生電容的？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:40:343 功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)
2021-05-02 11:41:003017 
AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:254 之間或電路模塊之間，由于相互靠近所形成的電容，是設(shè)計(jì)時(shí)不希望得到的電容特性，一般來(lái)說(shuō)在低頻應(yīng)用中我們一般不考慮，但是對(duì)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路來(lái)說(shuō)，寄生電容的存在是個(gè)不可繞過的考慮因素。
2022-04-07 09:27:124967 
本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容 寄生電容： 本質(zhì)上還是電容，滿足i=c*du/dt。 電容是用來(lái)衡量?jī)?chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292 
每個(gè)通孔都有對(duì)地寄生電容，通孔寄生電容會(huì)使數(shù)字信號(hào)的上升沿減緩或變差，不利于高頻信號(hào)的傳輸，這是通孔寄生電容主要的不利影響。一般情況下，通孔寄生電容的影響極小，可以忽略不計(jì)。通孔直徑越小，寄生電容越小。
2022-08-17 15:51:06515 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282 過孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是寄生電容和寄生電感。 過孔本身存在著對(duì)地的寄生電容，如果已知過孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2，過孔焊盤的直徑為D1，PCB板的厚度為T，板基材介電常數(shù)為ε，則過孔的寄生電容可以
2022-10-30 13:15:182725 前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
作者：泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容
2023-03-28 17:19:08559 
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者：Sumant Sarkar, 泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 使用Coventor SEMulator3D? 創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬
2023-06-02 17:31:46305 
本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲時(shí)，你可能會(huì)想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體，從宿主身上吸取食物。從這個(gè)意義上說(shuō)，寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:011733 
AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用由授權(quán)一級(jí)代理分銷KOYUELEC光與電子0755-82574660，82542001為ODM研發(fā)設(shè)計(jì)工程師提供技術(shù)選型和方案應(yīng)用支持。
2023-07-05 09:28:47530 
使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02187 
寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
2023-07-13 14:13:31241 
寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電
2023-07-13 17:47:02309 寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間
2023-07-13 17:50:52551 寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容，但其實(shí)并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440 
pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展，隨之而來(lái)的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對(duì)于電路性能的影響不同，而其中最常見的問題之一就是 PCB 連線寄生電容。這種
2023-08-27 16:19:441608 寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備，如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35591 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05507 
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 
電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小，同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。
2024-03-17 15:45:39243 
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