本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的開關(guān)特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:49:588009 
本文就MOSFET的開關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過(guò)程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來(lái)理解其開通關(guān)斷的過(guò)程，以及MOSFET在開關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外
2018-08-27 20:50:45
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
和器件
特性相關(guān)的三個(gè)主要功率
開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)
特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊??！ ?dǎo)通損耗 除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由
2020-06-28 15:16:35
MOSFET是開關(guān)電源中的重要元器件，也是比較難掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC軟開關(guān)的設(shè)計(jì)中，對(duì)于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透徹了，也就應(yīng)用自如了。本文會(huì)從理論上
2018-07-12 11:34:11
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計(jì)算中都會(huì)導(dǎo)致較大誤差。為了適應(yīng)各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測(cè)量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
自1980年代中期以來(lái)，MOSFET一直是大多數(shù)開關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門控整流器時(shí)，MOSFET是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P
2021-04-09 09:20:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
。 MOSFET的優(yōu)點(diǎn)決定了它非常適合高頻且開關(guān)速度要求高的應(yīng)用。在開關(guān)電源 (SMPS) 中，MOSFET的寄生參數(shù)至關(guān)重要，它決定了轉(zhuǎn)換時(shí)間、導(dǎo)通電阻、振鈴 (開關(guān)時(shí)超調(diào)) 和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS
2022-06-28 10:26:31
了門極信號(hào)；如同直通電流一樣，它會(huì)影響到該開關(guān)電源。這會(huì)產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt，有時(shí)會(huì)擊穿MOSFET Q2。這樣就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效，并且當(dāng)采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差
2019-09-17 09:05:04
電場(chǎng)也在增大，兩個(gè)方向的電流相互對(duì)抗，不分彼此時(shí)不能導(dǎo)通，一旦外部電流過(guò)大就反向擊穿了PN結(jié)?！ ?、 PN結(jié)的伏安特性是什么？ 伏安特性的表達(dá)式 id——通過(guò)pn結(jié)的電流 vd——pn結(jié)
2021-01-15 16:24:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 11:09 編輯
CT不是恒值，而是隨V而變化，利用該特性可制作變?nèi)荻O管。2、 擴(kuò)散電容：多子在擴(kuò)散過(guò)程中越過(guò)PN結(jié)成為另一方的少子
2008-09-10 09:26:16
本帖內(nèi)容來(lái)源：《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》2018年3月刊版權(quán)所有，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明來(lái)源及鏈接。 自1980年代中期以來(lái)，MOSFET一直是大多數(shù)開關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門控整流器時(shí)，MOSFET
2018-03-03 13:58:23
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過(guò)，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級(jí)結(jié)MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級(jí)結(jié)
2018-11-27 16:38:39
;  MOSFET的規(guī)格書中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
結(jié)的電流主要是較寬的勢(shì)壘區(qū)（～i型層）中的復(fù)合電流。因此在通過(guò)的電流的性質(zhì)上，與一般pn結(jié)的大不相同。雖然它們的伏安特性基本上都是指數(shù)式上升的曲線關(guān)系，但是上升的速度卻有一定的差別，pin結(jié)的正向
2013-05-20 10:00:38
，在結(jié)構(gòu)上有的采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)，可獲得較高的開關(guān)速度和較低的正向壓降。它從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)，前者的反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)．后者則在100ns以下，大大提高了電源的效率
2020-10-29 08:50:49
和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一
2018-09-03 15:17:57
功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對(duì)應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無(wú)二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
，功率MOSFET很少接到純的阻性負(fù)載，大多數(shù)負(fù)載都為感性負(fù)載，如電源和電機(jī)控制；還有一部分的負(fù)載為容性負(fù)載，如負(fù)載開關(guān)。既然功率MOSFET所接的負(fù)載大多數(shù)為感性負(fù)載，那么上面基于阻性負(fù)載的開關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯?shí)際
2018-11-20 10:52:44
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
MOSFET的開關(guān)特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用MOSFET器件的維護(hù)和存儲(chǔ)
2021-04-22 07:08:48
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來(lái)確定 MOSFET 的開關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開關(guān)過(guò)程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
沒(méi)有問(wèn)題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和溫度對(duì)其轉(zhuǎn)移特性的影響，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET的正溫度系數(shù)只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)完全導(dǎo)通后的狀態(tài)下才能成立，在開關(guān)瞬態(tài)的過(guò)程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
MOSFET的熱阻特性所以，連續(xù)漏極電流ID是基于硅片最大允許結(jié)溫的計(jì)算值，不是一個(gè)真正的測(cè)量值，而且是基于TC=25℃的計(jì)算值。RqJC，TC，這里的C: Case，是裸露銅皮，不是塑料外殼，實(shí)際
2016-08-15 14:31:59
，還通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級(jí)結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲干擾。通過(guò)減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時(shí)的障礙，提高設(shè)計(jì)靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級(jí)結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲干擾。通過(guò)減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時(shí)的障礙，提高設(shè)計(jì)靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
更優(yōu)的雪崩耐量，提高了器件應(yīng)用中的可靠性。同時(shí)，采用自主創(chuàng)新先進(jìn)的多層外延技術(shù)，優(yōu)化了器件開關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優(yōu)勢(shì) 效率高
2023-06-13 16:30:37
范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
`·隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
采用快速體二極管的全新超結(jié)器件的優(yōu)點(diǎn)。 1. 引言隨著功率密度不斷提高，半橋（例如HID半橋或LLC）和全橋（例如ZVS全橋）等軟開關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt 和dv/dt
2018-12-03 13:43:55
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)600V20A超結(jié)MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結(jié)MOS SVS20N60FJD2關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:51:08
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)
2010-11-11 15:36:3853 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過(guò)程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過(guò)程。開關(guān)過(guò)程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過(guò)程
2011-09-14 17:39:1765 為了使MOSFET整個(gè)開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 
MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45204 基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解mosfet開關(guān)過(guò)程資料
2018-05-10 10:53:114 電力MOSFET開關(guān)概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
在本文中，我們將討論與瞬態(tài)條件和開關(guān)模式操作有關(guān)的MOSFET特性。 在上一篇有關(guān)低頻MOSFET的文章中，我們研究了控制MOSFET穩(wěn)態(tài)工作的參數(shù)，例如閾值電壓，導(dǎo)通狀態(tài)電阻和最大漏極電流。這些
2021-03-09 09:49:242355 近幾年來(lái)，開關(guān)電源市場(chǎng)對(duì)高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動(dòng)下，設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹WM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓?fù)?，能夠在大功率條件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)（ZVS）轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
MOSFET的開關(guān)特性解析|必看 MOS管最顯著的特點(diǎn)也是具有放大能力。不過(guò)它是通過(guò)柵極電壓uGS控制其工作狀態(tài)的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關(guān)元件。 1、靜態(tài)特性 MOS管作為開關(guān)
2021-07-23 09:44:397320 
電力電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見，您可以將這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭，您逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)水龍頭，水開始流出水龍頭，順時(shí)針旋轉(zhuǎn)水停止
2022-08-03 16:31:0511995 
MOSFET特性參數(shù)說(shuō)明
2022-08-22 09:54:471705 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 16:13:002571 關(guān)于IGBT、MOSFET、BJT的開關(guān)工作特性的基本思想 最近一直在弄實(shí)驗(yàn)室一個(gè)金屬離子源的控制板，其中有一個(gè)模塊需要完成一個(gè)恒流源的可控輸出，其負(fù)載是金屬離子源的遠(yuǎn)控電流輸入口，考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過(guò)渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概
2023-01-04 10:02:071115 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:03991 寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電
2023-07-13 17:47:02309 
寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間
2023-07-13 17:50:52551 碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
用的是n型MOSFET。在使用MOSFET作為開關(guān)時(shí)，它的控制端被連接到一個(gè)邏輯電平信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以把MOSFET的導(dǎo)電特性 "打開" 或 "關(guān)閉"。然而，MOSFET的"打開"和"關(guān)閉"并不是瞬間發(fā)生
2023-09-05 14:56:291590 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 
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