應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 上一篇我們先就SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓做了一定的分析及探討（SiC設(shè)計(jì)分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討）。本
2022-06-16 07:00:00
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本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)
2015-10-14 09:38:542606 
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時(shí)，漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時(shí)，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915831 
本文作為系列文章的第三篇，會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計(jì)算過(guò)程，供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考！
2022-07-06 18:10:021885 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí)，將產(chǎn)生JFET效應(yīng)，從而增加通態(tài)電阻;同時(shí)，這種結(jié)構(gòu)的寄生電容也較大。
2023-02-12 16:03:093214 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
的技術(shù)、項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 本文作為系列文章的第五篇，主要針對(duì)SiC MOSFET相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案做一些探討。 對(duì)設(shè)計(jì)人員而言，成功應(yīng)用 SiC MOSFET 的關(guān)鍵在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001211 
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通（ZVS），MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿(mǎn)足以下三個(gè)基本條件
2018-11-21 15:52:43
感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-13 09:48:50
感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-18 10:09:10
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過(guò)尾電流，因此相應(yīng)的開(kāi)關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動(dòng)電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數(shù)hFE較低，因而不會(huì)發(fā)生電流放大，截至目前的調(diào)查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發(fā)生這種損壞模式。關(guān)于體二極管快速恢復(fù)時(shí)的dV/dt，一般認(rèn)為
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開(kāi)發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪?b class="flag-6" style="color: red">電源電路的最佳布局實(shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-03-14 06:20:14
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-25 06:20:09
SiC 電路中的寄生電感和電容首先，SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生電容（CGD、CDS、CGS）。這種特性支持高開(kāi)關(guān)頻率，因此有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。但是，與這種好處如影隨形的是，在布局中
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
是，容許相同的發(fā)熱與損耗時(shí)，開(kāi)關(guān)工作可以更高速。以開(kāi)關(guān)電源為例，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率，將能夠使用更小型的線圈（電感）與電容器，從而可實(shí)現(xiàn)小型化，更節(jié)省空間。 實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的溫度特性SiC的溫度特性的變動(dòng)比Si
2018-12-04 10:26:52
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢(shì)而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來(lái)說(shuō)，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實(shí)際應(yīng)用中需要加強(qiáng)散熱才可以。不過(guò)，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測(cè)試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字
電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對(duì)比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊，憑借其低損耗、高工作溫度等特點(diǎn)，器件的開(kāi)關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計(jì)中，作者考慮到了高開(kāi)關(guān)頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
、SiC SBD開(kāi)關(guān)損耗低，可提高系統(tǒng)效率
下圖為相同規(guī)格的Si FRD和SiC SBD在不同溫度下的反向恢復(fù)電流對(duì)比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD產(chǎn)品，Si FRD是國(guó)際一線品牌主流
2023-10-07 10:12:26
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
摘要 本文介紹了碳化硅（SiC）器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。此類(lèi)轉(zhuǎn)換器可用于母線轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)充電機(jī)、服務(wù)器電源和儲(chǔ)能系統(tǒng)。在開(kāi)關(guān)頻率較高的情況下，LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
的輸出電容依然會(huì)分壓，當(dāng)回路中存在電壓震蕩時(shí)，低壓Si MOSFET依然有被擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。SiC MOSFET溝槽柵的主要優(yōu)勢(shì)來(lái)源于縱向溝道，這不但提高了載流子遷移率（這是由于SiC（1120）晶面
2022-03-29 10:58:06
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進(jìn)化，最新產(chǎn)品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)—緩沖電容器。在高速開(kāi)關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開(kāi)關(guān)
2018-11-27 16:39:33
二極管（Si FRD）的IGBT相比，開(kāi)通損耗顯著降低。 在用于車(chē)載充電應(yīng)用的案例中，開(kāi)關(guān)損耗降低了67%，整體損耗降低了56%。此外，在與通常被認(rèn)為比IGBT損耗更少的SJ-MOSFET進(jìn)行比較
2022-07-27 10:27:04
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
650V SiC MOSFET 的功率損耗低，可以在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（例如 EV 的 OBC）中實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
I.引言 高效率已成為開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來(lái)越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開(kāi)發(fā)了快速開(kāi)關(guān)器件，舉例來(lái)說(shuō)，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)
2018-10-08 15:19:33
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-12 03:43:18
勵(lì)磁電流ILM開(kāi)始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí)，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過(guò)2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個(gè)固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-05-07 06:21:51
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
也是基于電容的特性，下面將從結(jié)構(gòu)上介紹這些寄生電容，然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義，以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結(jié)構(gòu)如圖
2016-12-23 14:34:52
來(lái)看看圖1中的產(chǎn)品組合?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在查看該產(chǎn)品組合解決的電壓范圍時(shí)，很明顯，SiC MOSFET與Si MOSFET競(jìng)爭(zhēng)，并且存在與IGBT競(jìng)爭(zhēng)的范圍。在較低的電壓范圍內(nèi)，Si MOSFET確實(shí)與SiC器件
2023-02-24 15:03:59
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
–節(jié)能化和小型化，比如有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率，可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化，可高頻工作從而實(shí)現(xiàn)變壓器和電容器的小型化等。右圖是在AC/DC轉(zhuǎn)換器中SiC-MOSFET與Si-MOSFET的效率比較。如圖所示
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器為67 kHz，CLLC諧振轉(zhuǎn)換器為150-300 kHz。通過(guò)將功率半導(dǎo)體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上，由于650V SiC MOSFET的低功率損耗，因此在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（例如EV的OBC）中可以實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:11:50
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:38
13 Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)
2020-09-29 10:44:009 電力電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開(kāi)關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而在高開(kāi)關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車(chē)快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開(kāi)發(fā)的接近頂峰，SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51957 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
繼前篇的Si晶體管的分類(lèi)與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒(méi)有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
EN-1230A可對(duì)各類(lèi)型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間
2023-02-23 09:20:462 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開(kāi)啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開(kāi)通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)
2023-02-27 14:41:099 驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開(kāi)啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類(lèi)型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開(kāi)關(guān)
2023-12-21 11:27:13687 
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