為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
1169 
在本文中，我們將討論一些設(shè)計技術(shù)，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 和信號完整性以提高系統(tǒng)級保護和精度。 ? 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業(yè)趨勢，如果能在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:001328 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
達100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計中，采用了GaNSense功率ic，以實現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求。 圖8：不同輸入電壓和負載條件下的ACF評估板能效曲線總結(jié)如今的高功率密度充電器和適配器應(yīng)用常常使用GaN HEMT，因為相比于硅MOSFET
2022-04-12 11:07:51
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求?！ D8：不同輸入電壓和負載條件下的ACF評估板能效曲線總結(jié)如今的高功率密度充電器和適配器應(yīng)用常常使用GaN HEMT，因為相比于硅MOSFET
2022-06-14 10:14:18
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
;第二，工程師可以通過減小各部件體積的方式使其適應(yīng)新型的封裝形式，利用緊湊型工藝結(jié)構(gòu)有效縮小其體積;第三個方法是改進熱設(shè)計，使高功率密度條件下達成散熱平衡成為可能?！ 〕酥猓陔娐返脑O(shè)計中我們還可
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機驅(qū)動器參考設(shè)計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
能量轉(zhuǎn)換效率是一個重要的指標，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓撲，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高
功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能
提升功率密度?！?/div>
2019-08-06 07:20:51
%和39%。改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM），不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率。為驗證從TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓撲結(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
的需求是希望將每個機架的功率密度能提高到100kW，從而減少整體尺寸。其實，完全可以通過使用 48V 背板和配電來實現(xiàn)這一需求，然而這種方法卻存在諸多挑戰(zhàn)，因為它無法依靠傳統(tǒng)同步 Buck 降壓調(diào)節(jié)器將
2021-05-26 19:13:52
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
，上世紀80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計算機的開關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:025987 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:20
20 正弦振幅轉(zhuǎn)換器拓撲在中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)應(yīng)用中實現(xiàn)了一流的效率和功率密度
2016-06-02 15:41:090 自適應(yīng)單元轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)有助于實現(xiàn)高功率密度、 帶功率因數(shù)校正之通用輸入AC-前端的恒定效
2016-06-02 16:15:110
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 TI高功率密度電源設(shè)計中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:007217 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:004845 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 英國倫敦大學學院研究人員克服了大功率、快速充電的超級電容器面臨的普遍問題，設(shè)計了一款既可快速充電又具備高能量和功率密度的超級電容器。
2020-03-26 16:57:478249 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:005477 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15579 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓撲和控制選擇，有效的散熱，通過機電
2020-11-19 15:14:0011 從物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的數(shù)據(jù)服務(wù)器到電動汽車 （EV），電源系統(tǒng)設(shè)計人員總會面臨的共同壓力是如何實現(xiàn)更高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率。盡管人們將更多精力放在實現(xiàn)這些改進目標的半導(dǎo)體開關(guān)器件上，但多層陶瓷
2020-12-17 21:26:0036 適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC／DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。
2020-12-04 14:18:432228 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:342465 
高功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 12:38:3810 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:285 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓撲和控制選擇
有效
2022-01-14 17:10:261733 功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
?
為何選擇GaN？
當涉及功率密度時，GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優(yōu)點和優(yōu)勢，
2021-12-09 11:08:161428 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。
2022-05-31 09:47:061906 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46487 (MOSFET)，因為它能夠驅(qū)動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設(shè)計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:112783 
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 和信號完整性以提高系統(tǒng)級保護和精度。 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業(yè)趨勢，如果能在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:10700 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。
2023-02-06 14:24:201160 
對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49711 
點擊藍字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51202 
點擊 “東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例
2023-12-05 15:06:06375 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
2023-11-23 09:08:35284 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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