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開源數(shù)據(jù)庫MySQL和PostgreSQL占據(jù)全球數(shù)據(jù)庫市場格局TOP2。開源數(shù)據(jù)庫正在重構(gòu)企業(yè)核心系統(tǒng)。同時為確保業(yè)務(wù)平穩(wěn)運行,分布式數(shù)據(jù)庫存算分離架構(gòu)正在成為事實標(biāo)準(zhǔn)。...
不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了?從高速先生和最近眾多客戶的配合來看,從一個通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限,從單個顆粒的容量,很多已經(jīng)從8Gb提升到了16Gb,運行速率也從typical的2400M拉到3200M了。...
通過 SDRAM 的 7 個模式寄存器,可以對 SDRAM 的特性,功能以及設(shè)置進行編程。這些寄存器本身通過 MRS 命令編輯。模式寄存器一般在初始化期間進行設(shè)定,但也可以在后續(xù)正常工作期間進行修改。...
SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價格會隨著時間的推移而下降,讓SSD能夠在單價上與HDD競爭。事實上,NAND閃存的價格一直在下降。...
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險,同時還能降低缺陷率。...
SD卡類似于MMC卡(實際上是從MMC卡衍生而來的),但是SD卡略厚(2.1毫米對MMC的1.4毫米),并被開發(fā)為添加DRM(數(shù)字版權(quán)管理)功能以打擊音樂盜版。一般來說,SD卡向后兼容MMC卡,這意味著MMC卡可以在支持SD卡的地方使用(但不一定反過來)。MMC和SD繼續(xù)共存,SD更受可移動存儲器的...
“與MRAM相比,ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的堆疊,所有這些都需要非常精確地控制,才能形成匹配的晶體蛋白。...
DRAM測試發(fā)生在晶圓探針和封裝測試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動了測試流程,包括ATE要求和相關(guān)測試內(nèi)容。...
2023年第三季度全球智能手機出貨量約為2.90億部,同比下降約1.6%,中國大陸市場出貨量約為6640萬部,同比下降約1.8%,不管是全球還是中國大陸市場,需求均持續(xù)向好,季度同比降幅持續(xù)收窄,市場復(fù)蘇信號漸近。...
SAN 存儲的轉(zhuǎn)型,不僅涉及存儲本身,還涉及光纖交換機,業(yè)內(nèi)目前還沒有很好的替代,目前只能以 IP SAN 模式為主,配合高速的以太網(wǎng)并引入 NVMe-oF 技術(shù)后,才能有效降低鏈路的訪問延遲;如上分析,彈性擴展能力等架構(gòu)本身的局限性依舊存在。...
在同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate, DDR) SDRAM 和四倍數(shù)據(jù)速率 ( Quad Data Rate, QDR)SDRAM,如圖 ...
NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì), 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲 存在浮柵中,在無電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點。...
左邊的client可以看成是客戶端,客戶端有很多,像我們經(jīng)常你使用的CMD黑窗口,像我們經(jīng)常用于學(xué)習(xí)的WorkBench,像企業(yè)經(jīng)常使用的Navicat工具,它們都是一個客戶端。右邊的這一大堆都可以看成是Server(MySQL的服務(wù)端),我們將Server在細(xì)分為sql層和存儲引擎層。...
計算機是處理數(shù)字格式信息的電子機器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱為二進制(有時稱為“二進制代碼”)。...
在計算機中,各個部件之間傳遞信息,是通過總線(公共通信干線,類似于高速公路)進行傳輸?shù)?。根?jù)傳遞信息的類型可分為數(shù)據(jù)總線(DB)、地址總線(AB)、控制總線(CB);根據(jù)連接設(shè)備的類型,又可以分為主存總線、I/O總線。...
元宇宙的數(shù)據(jù)存儲需求與現(xiàn)有數(shù)據(jù)存儲需求有所不同,它需要更高的穩(wěn)定性、安全性、低延遲和持久性。 數(shù)字資產(chǎn)的價值也使得元宇宙的數(shù)據(jù)保護成為不可忽視的問題,需要超乎尋常的安全性和可靠性。...
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。...
當(dāng)CPU訪問虛擬地址0的時候,MMU會去查上面頁表的第0行,發(fā)現(xiàn)第0行沒有命中,于是無論以何種形式(R讀,W寫,X執(zhí)行)訪問,MMU都會給CPU發(fā)出page fault,CPU自動跳到fault的代碼去處理fault。...
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)達(dá)到了極限。那么DRAM的小型化又如何呢?...