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SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。

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基于CVITEK_CV1810+SOI_K302P的IPC方案

該方案基于主控平臺CVITEK_CV1810和sensor SOI_K302P，運用于智能監(jiān)控IP攝像頭，可用于戶外或室內(nèi)。采用了2688x1520的分...

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材料認(rèn)識：SOI硅片

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2024-05-22 標(biāo)簽：材料硅片 SOI 3834 0

強推！MEMS傳感器芯片是怎樣被制造出來的？（25+高清大圖）

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FinFET工藝之self-heating概念介紹

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2023-12-07 標(biāo)簽：MOS SOI FinFET 2378 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：芯片 SOI 刻蝕 1513 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容 SOI 4358 0

半導(dǎo)體芯片工藝節(jié)點演變路徑

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2023-06-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管 SOI 1369 0

手機SOI開關(guān)不可忽視的射頻開關(guān)設(shè)計

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簡約而不簡單的射頻開關(guān)設(shè)計

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微流控芯片熒光成像系統(tǒng)提高其信噪比

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2022-11-14 標(biāo)簽：PMT 微流控芯片 SOI 1727 0

空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程

常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...

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絕緣體上硅（SOI）硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。

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如何借助高均勻性的 SOI 優(yōu)化襯底在 MEMS 中實現(xiàn)多種設(shè)計創(chuàng)新？

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SOI先進工藝發(fā)展如此迅速的原因在哪？

中國至少已浮出三家晶圓廠將采用SOI工藝先進制程。根據(jù)MarketsandMarkets 最新預(yù)估，SOI市場在2022年市場價值將達18.6億美元，2...

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