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      標(biāo)簽　>　GAA

      GAA

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      半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來(lái)了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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      GAA簡(jiǎn)介

      　　半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來(lái)了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

      　　目前臺(tái)積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，F(xiàn)inFET幾乎已經(jīng)達(dá)到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應(yīng)，鰭片的寬度應(yīng)該小于柵極長(zhǎng)度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內(nèi)部應(yīng)力的作用下維持直立形態(tài)。

      　　業(yè)內(nèi)各大廠商和著名的研究機(jī)構(gòu)都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環(huán)繞式柵極技術(shù)，簡(jiǎn)稱為GAA橫向晶體管技術(shù)，也可以被稱為GAAFET。在應(yīng)用了GAA技術(shù)后，業(yè)內(nèi)估計(jì)基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導(dǎo)體制造問(wèn)題。

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      gaa技術(shù)

      數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

      數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

      DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工...

      2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管FinFET數(shù)字后端 2655 0

      GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

      GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

      GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡(jiǎn)單介紹一下GA...

      2023-08-22 標(biāo)簽：工藝晶體管FET 9367 0

      遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

      遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

      為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...

      2023-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子FET 2259 0

      芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了

      雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

      2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 1808 0

      泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis

      微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲(chǔ)單元）從來(lái)都不是容易的事情，但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件成為現(xiàn)實(shí)，就需要在原子級(jí)的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)...

      2023-01-31 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器泛林集團(tuán) 653 0

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      三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重

      據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策...

      2024-12-10 標(biāo)簽：芯片制程GAA 201 0

      2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

      2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對(duì)于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級(jí)的晶圓廠而言，GAA和背面供電似乎都成了逃不開(kāi)的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿足芯片性...

      2024-06-14 標(biāo)簽：供電技術(shù)2nmGAA 3664 0

      美國(guó)擬對(duì)中國(guó)實(shí)施尖端AI芯片技術(shù)出口限制

      6月12日，國(guó)際科技界和商界再次因一則新聞而震動(dòng)。據(jù)國(guó)外權(quán)威媒體報(bào)道，美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)實(shí)施新的出口限制措施，這一措施直指當(dāng)前人工智能（AI）領(lǐng)域的...

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      據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

      2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 251 0

      三星電子開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

      據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。

      2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子SoC芯片EDA軟件 607 0

      Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

      Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游，半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來(lái)反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...

      2024-05-02 標(biāo)簽：應(yīng)用材料ASML季度財(cái)報(bào) 3867 0

      三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

      近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

      2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1107 0

      三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

      三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來(lái)首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)...

      2024-02-22 標(biāo)簽：AI芯片GAA三星 670 0

      Arm和三星電子將合作開(kāi)發(fā)2nm制程

      Arm和三星電子將合作開(kāi)發(fā)2nm制程

      與Arm擴(kuò)大合作是否會(huì)對(duì)三星電子的代工業(yè)務(wù)帶來(lái)提振，備受關(guān)注。

      2024-02-21 標(biāo)簽：arm三星電子晶圓 1047 0

      三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

      三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

      增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過(guò)晶體管，從而增強(qiáng)其開(kāi)關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好...

      2023-11-24 標(biāo)簽：cpugpu晶體管 693 0

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      • 電子發(fā)燒友網(wǎng)
        電子發(fā)燒友網(wǎng)
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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
      • 無(wú)人駕駛
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        +關(guān)注
        提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國(guó)無(wú)人駕駛開(kāi)發(fā)者社區(qū)
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        京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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        +關(guān)注
        eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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        6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展 。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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      • 高頻電容
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        +關(guān)注
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        wifi6
        +關(guān)注
        WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
      • dcdc轉(zhuǎn)換器
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        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
      • 汽車
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        +關(guān)注
      • 檢測(cè)電路圖
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        +關(guān)注
      • 過(guò)流保護(hù)電路
        過(guò)流保護(hù)電路
        +關(guān)注
        電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
      • 過(guò)零檢測(cè)電路
        過(guò)零檢測(cè)電路
        +關(guān)注
        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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        +關(guān)注
        特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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        VHF
        +關(guān)注
      • VDD
        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
      • HarmonyOS
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