美國或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對華出口

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國政府正考慮深化對華出口管制措施，旨在阻礙中國獲取先進(jìn)的全柵場效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)，這兩項(xiàng)技術(shù)均為高端芯片制造的關(guān)鍵要素，尤其影響人工智能加速器的效能。

GAA晶體管設(shè)計(jì)因能顯著增加晶體管集成度并帶來功耗與性能上的優(yōu)化而備受矚目，當(dāng)前僅三星電子在其最先進(jìn)的3納米制程中實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化應(yīng)用。英特爾和臺積電分別規(guī)劃于Intel 20A節(jié)點(diǎn)和2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA技術(shù)。此番限制若實(shí)施，無疑將為中國獲取最前沿的半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)置更多障礙。

盡管美、日、歐已有的出口控制策略已對中國獲取16/14納米以下的半導(dǎo)體制造設(shè)備構(gòu)成限制，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍舊展現(xiàn)出韌性，通過各種途徑提升既有工藝水平，包括實(shí)現(xiàn)7納米芯片的規(guī)?；a(chǎn)，并探索在無須極紫外光刻(EUV)設(shè)備的情況下推進(jìn)至5納米制程的可能性。

業(yè)內(nèi)人士指出，中國半導(dǎo)體制造商或可嘗試將GAA技術(shù)融入現(xiàn)有的7納米工藝中，盡管這無法完全比肩3納米及以下GAA技術(shù)的優(yōu)越性，但仍有望在能效與性能上取得一定進(jìn)步。借助現(xiàn)有的芯片制造設(shè)施，中國可能利用單步圖案化技術(shù)克服難關(guān)。

華為云計(jì)算部門負(fù)責(zé)人張平安近期發(fā)聲，預(yù)判中國短期內(nèi)難以獲取3.5納米及以下級別的芯片制造裝備，強(qiáng)調(diào)應(yīng)側(cè)重于挖掘和優(yōu)化當(dāng)前7納米工藝的潛力。

截至目前，關(guān)于加強(qiáng)對GAA技術(shù)出口限制的具體條款尚未見諸官方公告，相關(guān)傳言均源自匿名信源，其真實(shí)度有待驗(yàn)證。相比之下，針對HBM技術(shù)出口的新增約束似乎更為緊迫，鑒于HBM技術(shù)對推動人工智能芯片創(chuàng)新及生成式AI模型發(fā)展的重要性，而人工智能恰為美國嚴(yán)格管控并針對中國實(shí)施限制的核心技術(shù)領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇