通過高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
2023-03-20 09:41:49
2007 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
13um應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱SLD臺(tái)面制作工藝的研究臺(tái)面制作工藝對(duì)１?３μｍ應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺(tái)面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
3591A選擇性電壓表操作和維修手冊
2018-11-05 16:21:21
林頻股份曾為中鋼集團(tuán)各下屬研究所提供鹽霧試驗(yàn)箱、高低溫箱、恒溫恒濕箱、烘箱、振動(dòng)臺(tái)、步入室實(shí)驗(yàn)室、氙燈老化箱等系列環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。近日，再次攜手中鋼集團(tuán)安徽天源股份有限公司，定購一臺(tái)換氣式老化試驗(yàn)
2011-04-07 14:27:46
隨著信息通信技術(shù)日新月異地發(fā)展，信息社會(huì)一步步走向現(xiàn)實(shí)，一種強(qiáng)調(diào)“無所不在”或“ 泛在”通信理念的特征正日漸清晰， “泛在”將是信息社會(huì)重要的特征，泛在網(wǎng)將成為信息社會(huì)的重要載體并已經(jīng)成為信息通信業(yè)
2019-10-10 09:12:14
所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波
2018-09-26 09:44:54
選擇性打開前面板
2013-10-16 15:48:13
焊接應(yīng)運(yùn)而生，成為經(jīng)濟(jì)而有效地完成剩余插裝件的焊接方法，而且與將來的無鉛焊接完全兼容。 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) &
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時(shí)，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
我們使用一個(gè)RAN9514和一個(gè)RPI3計(jì)算模塊。不幸的是，我們沒有配備EEPROM（它在布局中，但沒有放置）。有沒有一種方法可以選擇性地關(guān)閉和返回USB端口，即使沒有EEPROM嗎？作為后備，當(dāng)我
2018-09-07 15:08:00
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括
2013-09-13 10:25:12
的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。
2017-10-31 13:40:44
整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂
2012-10-17 15:58:37
件的焊接方法，而且與將來的無鉛焊接完全兼容。 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊接中
2012-10-18 16:32:47
應(yīng)用中都可以在回流焊接之后采用選擇焊接。這將成為經(jīng)濟(jì)而有效地完成剩余插裝件的焊接方法，而且與將來的無鉛焊接完全兼容。 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間
2012-10-18 16:26:06
PCB下部的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接
2018-09-14 11:28:22
。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊
2018-09-10 16:50:02
如題，比如我設(shè)計(jì)兩個(gè)函數(shù)y＝2*x;y＝x，只有一個(gè)xy顯示面板。如果我選擇y＝2*x，就只顯示該函數(shù)圖像;如果我選擇另外一個(gè)函數(shù)，圖像就變成該函數(shù)的圖像。應(yīng)該怎么做，用哪些指令，叩謝
2017-03-09 14:07:46
我會(huì)冒泡排序，但是我做選擇性排序時(shí)，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問題
2018-03-24 14:13:24
裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。選擇性焊接的流程典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。助焊劑涂布工藝在選擇性焊接
2018-06-28 21:28:53
暴露于OH-離子時(shí)，在刻蝕中硅表面會(huì)變粗糙。鋁膜濕法刻蝕對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可
2018-12-21 13:49:20
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
本帖最后由 lazybear 于 2013-1-17 19:11 編輯
前面板里的按鍵或顯示項(xiàng)目，可以通過程序選擇性顯示嗎？如題，因?yàn)榍懊姘宓陌存I太多了，看起來比較亂。又因?yàn)橛行┌存I是相關(guān)
2013-01-17 19:10:26
如何才能實(shí)現(xiàn)將采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行選擇性保存，一般是讀取數(shù)據(jù)后加保存，可不可以用一個(gè)按鈕選擇保存
2017-05-04 09:21:47
怎么對(duì)labview的數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，按時(shí)間選擇性讀取啊
2016-01-25 13:03:07
怎么對(duì)兩個(gè)寄存器的數(shù)據(jù)進(jìn)行有選擇性的合并，大致電路框圖怎么實(shí)現(xiàn)？
2018-01-30 17:51:36
就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”?！案煞ā保ǖ入x子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
目前手上有個(gè)應(yīng)用程序，生成的數(shù)據(jù)可以復(fù)制到剪貼板中，在Excel中選擇“選擇性粘貼”-》“粘貼鏈接”功能后，excel中顯示的數(shù)據(jù)是前面那個(gè)軟件的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。現(xiàn)在我想把這個(gè)功能在labview里實(shí)現(xiàn)，請(qǐng)大俠們指點(diǎn)。
2014-01-12 11:43:58
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程
2013-09-23 14:32:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
我對(duì)如何設(shè)置 AUTOEND 和其他 I2C 參數(shù)以執(zhí)行所附時(shí)序圖中所示的選擇性讀取感到困惑。我需要在寫入模式下寫入要讀取的地址，然后立即輸出另一個(gè) START 條件，然后我才能在讀取模式下讀取內(nèi)存
2022-12-29 09:30:14
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專業(yè)技術(shù)知識(shí)。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
通過DAQ不同采集卡采集了多個(gè)通道的波形數(shù)據(jù)，現(xiàn)通過一個(gè)寫入測量文件保存數(shù)據(jù)，請(qǐng)問如何做到對(duì)通道的選擇性保存呢？如圖中所示，有四個(gè)通道，我想任意搭配保存其中的任意通道的數(shù)據(jù)。
2017-12-10 09:32:38
除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機(jī)械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ?，它同時(shí)提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽，這也省去
2013-11-04 11:51:00
本文以兩分支電網(wǎng)為例，分析了零序直流選擇性漏電保護(hù)原理及其保護(hù)判據(jù)特性。介紹了以單片機(jī)為核心的零序直流選擇性漏電保護(hù)原理的實(shí)現(xiàn)。關(guān)鍵詞：零序直流；選擇性；
2009-07-30 14:16:39
51 基于嵌入式隱馬爾可夫模型(Embedded Hidden Markov Model, E-HMM)的人臉識(shí)別方法的識(shí)別性能依賴于模型參數(shù)的合理選擇。提出了一種基于E-HMM的多模型選擇性集成人臉識(shí)別算法，選擇出個(gè)體
2009-11-24 15:40:598 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡單、形象、直觀，并以
2010-01-12 17:19:5933 該文提出一種“選擇性寄存”的方法用于解決同步雙端口存儲(chǔ)器IP 同時(shí)對(duì)同一地址進(jìn)行讀寫操作時(shí)造成的讀出數(shù)據(jù)丟失的問題。利用該方法，通過使用同步雙端口存儲(chǔ)器IP 和標(biāo)準(zhǔn)單
2010-02-10 15:06:0119 摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:4517 選擇性焊接的工藝流程及特點(diǎn)
插裝元件的減少以及表面貼裝元件的小型化和精細(xì)化，推動(dòng)了回流焊工藝的不斷進(jìn)步，目
2009-04-07 17:16:461872
電池修復(fù)的可選擇性 電池
2009-11-09 17:35:14497 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性
2010-09-20 01:07:22690 焊接工藝
選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。
2010-10-22 15:45:091873 一、概述 數(shù)字選擇性呼叫DIGITAL SELECTIVE CALLING, 簡稱DSC. 1、DSC的功能： （1）完善的遇險(xiǎn)呼叫功能； （2）日常用于溝通MF/HF/VHF臺(tái)間通信聯(lián)絡(luò)； （3）代替人工進(jìn)行連續(xù)DSC值守和船舶查詢功能。
2011-03-11 15:19:3149 在以數(shù)據(jù)為中心的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)中，當(dāng)惡意節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)并發(fā)起選擇性轉(zhuǎn)發(fā)攻擊時(shí)，出現(xiàn)的問題是惡意節(jié)點(diǎn)未能轉(zhuǎn)發(fā)來到的信息，而丟掉部分和全部的關(guān)鍵信息，會(huì)嚴(yán)重破壞數(shù)據(jù)的收集，
2011-11-15 10:14:1621 為提高諧波檢測的精確性和實(shí)時(shí)性，通過對(duì)濾波器邊帶選擇性的分析，提出了一種同時(shí)滿足精確性和實(shí)時(shí)性的濾波器優(yōu)化方法。理論分析、仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明了該方法的正確性和有
2012-05-02 14:45:5938 SLM選擇性激光融化
2016-12-25 22:12:070 基于選擇性集成徑向基神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的來波方向估計(jì)_羅爭
2017-01-07 16:24:520 晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 閉項(xiàng)集的模式挖掘方法應(yīng)用于分類器的選擇過程，利用垂直數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、頻繁閉項(xiàng)集及模式挖掘方法的優(yōu)勢，提出一種預(yù)測性能更好、更加高效的選擇性集成分類算法。
2017-11-14 17:15:038 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最顯著的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊接中，僅有部門特定區(qū)域與焊錫波接觸。
2019-11-18 17:39:331380 選擇性波峰焊與傳統(tǒng)波峰焊，兩者間最明顯的差異在于傳統(tǒng)波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性波峰焊接中，僅有部分特定區(qū)域與焊料接觸。在焊接過程中，焊料頭的位置固定，通過機(jī)械手帶動(dòng)PCB
2019-09-17 16:18:462163 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊接中，僅有部分特定區(qū)域與焊錫波接觸。
2020-04-10 16:52:581174 在 PCB 組裝過程中，很多時(shí)候，由于一種或多種原因，更傳統(tǒng)的工具或方法（例如波峰焊）并非總是最佳選擇。組裝技術(shù)人員可能會(huì)花費(fèi)大量時(shí)間來嘗試使這些傳統(tǒng)過程正常運(yùn)行?；蛘?，他們可以使用專門針對(duì)當(dāng)前
2020-09-23 20:39:176748 摘要：對(duì)比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點(diǎn)?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領(lǐng)域的研究進(jìn)展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292909 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588547 
頻率選擇性表面（FSS）功能上就是對(duì)空間中傳播的平面波的“濾波器”，物理上多通過周期結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，屬于典型的電磁散射問題。
2021-06-07 10:21:405 引言 隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，特別是基于納米或微米結(jié)構(gòu)的制造，已經(jīng)研究出了具有強(qiáng)光學(xué)限制的各種制造工藝.兩種最廣泛使用的基于擴(kuò)散的制造波導(dǎo)的方法已經(jīng)在超導(dǎo)材料中得到了很好的確立，即鈦熱擴(kuò)散和質(zhì)子交換
2021-12-24 16:24:52400 
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:51564 
北京時(shí)間2022年2月10日，泛林集團(tuán) （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。
2022-02-10 14:45:401102 
等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對(duì)穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形成揮發(fā)性產(chǎn)物。等離子體蝕刻可分為單晶片和分批
2022-02-14 15:22:071612 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同時(shí)保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰(zhàn)是如何保持Si3N4對(duì)二氧化硅的高蝕刻選擇性，以獲得更長的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592557 
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。
2022-03-22 09:26:071836 
推出三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品：Argos?、Prevos?和Selis?。這些突破性產(chǎn)品旨在補(bǔ)充和擴(kuò)展泛林集團(tuán)行業(yè)領(lǐng)先的刻蝕解決方案組合，使芯片制造商能夠以超高的選擇性和埃米級(jí)的精度刻蝕和修改薄膜，以實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的集成電路（IC）性能
2022-03-22 14:35:592667 我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:451683 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 （也稱為 HNA 腐蝕劑）；對(duì)硅的刻蝕速率和對(duì)掩模材料的刻蝕選擇性可通過各組分比例的不同來調(diào)節(jié)。目前，各向同性濕法刻蝕的實(shí)際應(yīng)用較少。
2022-10-08 09:16:323581 選擇性波峰焊的出現(xiàn)主要是為了替代傳統(tǒng)的手工焊接，主要用于PCB板其他元器件組裝完成后對(duì)個(gè)別插腳元器件進(jìn)行焊接。選擇性波峰焊的優(yōu)點(diǎn)是它的適用性很強(qiáng)，可以點(diǎn)焊、線焊和雙面焊接，可以很好的焊接不同位
2022-10-18 15:52:093882 
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 摘要 一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時(shí)以低于
2023-02-20 15:57:343 對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271462 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時(shí)帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會(huì)引入很多新材料（如高介電常數(shù)和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調(diào)整刻蝕對(duì)多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011598 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質(zhì)
2022-07-12 15:49:251454 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392859 刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊接中，僅有部分特定區(qū)域與焊錫波接觸。由于PCB本身就是一種不良的熱傳導(dǎo)介質(zhì)，因此焊接時(shí)它不會(huì)加熱熔化鄰近元器件和PCB區(qū)域的焊點(diǎn)。
2023-10-20 15:18:46256 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
選擇性波峰焊是一種廣泛應(yīng)用于電子制造業(yè)的焊接技術(shù)，它具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和一些不足之處。本文將詳細(xì)介紹選擇性波峰焊的優(yōu)缺點(diǎn)，幫助讀者全面了解該技術(shù)的特點(diǎn)及適用范圍。 選擇性波峰焊的優(yōu)點(diǎn)之一是高效
2024-01-15 10:41:03165 我們知道SMT貼片廠都能做后焊插件，后焊插件的話一般會(huì)用到波峰焊，近年來SMT加工廠用選擇性波峰焊的也越來越多了，選擇性波峰焊有什么優(yōu)點(diǎn)嗎？
2024-03-21 11:04:2890
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