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      標(biāo)簽　>　襯底

      襯底

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      襯底資訊

      可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解

      可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解

      該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個(gè)插指單元，每個(gè)單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別在外延層內(nèi)形成；第一N+區(qū)和第...

      2024-05-20 標(biāo)簽：可控硅保護(hù)器件襯底 404 0

      合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產(chǎn)能將大幅提升

      據(jù)了解，世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破，成功開(kāi)發(fā)出可重復(fù)生長(zhǎng)出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過(guò)10mm的晶體的8寸SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)。

      2024-04-23 標(biāo)簽：晶體SiC襯底 1137 0

      華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

      華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

      此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層，并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極；同時(shí)，在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來(lái)。

      2024-04-13 標(biāo)簽：GaN襯底華潤(rùn)微電子 506 0

      碳化硅降本關(guān)鍵：晶體制備技術(shù)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底是價(jià)值量最大的部分，在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%，相比之下，硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成...

      2024-01-21 標(biāo)簽：襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 2660 0

      江蘇丹陽(yáng)延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

      在這次考察中，考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣，其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至...

      2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2028 0

      2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

      2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年里，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天...

      2024-01-08 標(biāo)簽：SiC襯底碳化硅 3560 0

      華為新增多條芯片封裝專利信息

      華為新增多條芯片封裝專利信息

      該專利提出了一種全新的封裝結(jié)構(gòu)，由第一芯片搭配第一混合鍵合結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能有效地連接不同芯片，提升芯片間信號(hào)傳輸性能。具體而言，混合鍵合結(jié)構(gòu)包含第一...

      2023-12-21 標(biāo)簽：芯片封裝襯底 605 0

      超芯星完成數(shù)億元C輪融資，助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升

      自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái)，超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際...

      2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 900 0

      華為一種裸芯片、芯片和電子元件專利獲得授權(quán)

      華為一種裸芯片、芯片和電子元件專利獲得授權(quán)

      據(jù)專利概述內(nèi)容顯示，此項(xiàng)專利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)是由襯底、有源層、波導(dǎo)層及緩沖結(jié)構(gòu)疊加組成。其中，有源層介于襯底與波導(dǎo)層之間，波導(dǎo)層為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，...

      2023-12-11 標(biāo)簽：華為波導(dǎo)微電子 1172 0

      中微投資！芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

      中微投資！芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

      芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦，上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導(dǎo)體等先后進(jìn)行了投資，并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過(guò)5年多的潛心研發(fā)，芯元...

      2023-12-10 標(biāo)簽：晶圓級(jí)襯底Micro LED 1222 0

      碳化硅龍頭優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大，預(yù)計(jì)24年襯底維持供不應(yīng)求

      23Q3，9家碳化硅器件廠商實(shí)現(xiàn)營(yíng)收/凈利潤(rùn)180億元/16億元，同比+13%/-35%，環(huán)比+0.3%/-11%。行業(yè)整體毛利率環(huán)比下降0.44pct...

      2023-11-21 標(biāo)簽：功率器件襯底碳化硅 787 0

      國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

      在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、...

      2023-10-27 標(biāo)簽：SiC襯底碳化硅 2100 0

      匯頂科技“芯片及芯片的制造方法”專利獲授權(quán)

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      　根據(jù)專利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本體（10）。芯片本體（10）包括：襯底（101）、器件層（102）和多孔硅結(jié)構(gòu)，器件層（102）位于...

      2023-10-20 標(biāo)簽：芯片襯底匯頂科技 776 0

      碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億

      碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億 在新能源汽車、充電樁、光伏發(fā)電、高壓輸電市場(chǎng)如火如荼之際，三安光電正持續(xù)加大投入；這次...

      2023-06-08 標(biāo)簽：晶圓ST襯底 1274 0

      Soitec成立30年，優(yōu)化襯底煥發(fā)新生，迎通信、汽車、智能設(shè)備強(qiáng)勁增長(zhǎng)

      Soitec成立30年，優(yōu)化襯底煥發(fā)新生，迎通信、汽車、智能設(shè)備強(qiáng)勁增長(zhǎng)

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      2022-12-28 標(biāo)簽：襯底FD-SOISOITEC 2635 0

      ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

      雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體...

      2022-12-08 標(biāo)簽：ST意法半導(dǎo)體襯底 799 0

      二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù)

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      二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生...

      2022-10-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超級(jí)計(jì)算襯底 1836 0

      一種穿過(guò)襯底的通孔蝕刻工藝

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      通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...

      2022-06-23 標(biāo)簽：工藝蝕刻襯底 693 0

      鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

      鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

      具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對(duì)于Ge或GeOI CMOS...

      2022-05-25 標(biāo)簽：工藝蝕刻襯底 523 0

      5G、AI、汽車加持，半導(dǎo)體用量驟增，聽(tīng)聽(tīng)材料廠商怎么說(shuō)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）5G、人工智能以及能源效率對(duì)半導(dǎo)體芯片的需求增長(zhǎng)已經(jīng)是趨勢(shì)，現(xiàn)時(shí)出現(xiàn)的芯片缺貨現(xiàn)象也離不開(kāi)這些新興應(yīng)用需求的影響。追溯到芯...

      2021-03-12 標(biāo)簽：襯底FD-SOISoitec 5526 0

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      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
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        加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • OBD
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        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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        盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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        識(shí)別技術(shù)
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        所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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