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封裝技術(shù)

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所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。

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封裝技術(shù)技術(shù)

新思科技3DIO平臺(tái)助力2.5D/3D封裝技術(shù)升級(jí)

對(duì)高性能計(jì)算、下一代服務(wù)器和AI加速器的需求迅速增長，增加了處理更大工作負(fù)載的需求。這種不斷增加的復(fù)雜性帶來了兩個(gè)主要挑戰(zhàn)：可制造性和成本。從制造角度來...

2024-12-13 標(biāo)簽：soc 封裝技術(shù)新思科技 258 0

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階，解鎖SiC性能上限

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲(chǔ)充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽：充電器安森美封裝技術(shù) 222 0

一文理解2.5D和3D封裝技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 1153 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展階段和相關(guān)設(shè)備

本文介紹了半導(dǎo)體工藝及設(shè)備中的封裝工藝和設(shè)備。

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)封裝工藝 362 0

先進(jìn)封裝的技術(shù)趨勢(shì)

半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計(jì)發(fā)展到晶圓級(jí)的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個(gè)位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達(dá) 1000 GB/s，同時(shí)保...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 282 0

MFIT多保真度熱建?？蚣艿慕M成部分

隨著人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的快速發(fā)展,對(duì)計(jì)算能力的需求不斷增加。傳統(tǒng)的2D芯片設(shè)計(jì)方法在滿足這些性能需求方面已達(dá)到極限。使用2.5D硅中介層和3D封裝技...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)chiplet 233 0

先進(jìn)封裝技術(shù)的類型簡述

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì)，正日益受到廣泛關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等下游強(qiáng)勁需求，半...

2024-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 554 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的類型和區(qū)別

半導(dǎo)體封裝技術(shù)是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝，以保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能，并實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝...

2024-10-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1063 0

CoWoS工藝流程說明

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)，指的是將多個(gè)裸片(die)集成在一個(gè)TSV轉(zhuǎn)換板(interposer)上，然后將這...

2024-10-18 標(biāo)簽：封裝技術(shù)工藝流程 CoWoS 469 0

半導(dǎo)體封裝的主要作用和發(fā)展趨勢(shì)

本文解釋了封裝技術(shù)的不同級(jí)別、不同制造，和封裝技術(shù)演變過程。

2024-10-16 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體封裝技術(shù) 495 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1224 0

晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)封裝等多種封裝工藝。晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)已被廣泛應(yīng)...

2024-10-16 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)封裝工藝 696 0

Vishay突破性封裝技術(shù)DFN3820A的優(yōu)勢(shì)

隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的興起，汽車配備的系統(tǒng)越來越復(fù)雜，所需的電子組件也轉(zhuǎn)向要求極致的小型化及穩(wěn)定高效的性能，在此條件下，封裝技術(shù)扮演著關(guān)鍵角色。

2024-10-11 標(biāo)簽：二極管 Vishay 封裝技術(shù) 247 0

淺談?dòng)⑻貭栐谙冗M(jìn)封裝領(lǐng)域的探索

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，英特爾也在不斷推進(jìn)下一代封裝技術(shù)的發(fā)展。對(duì)高性能硅需求與工藝節(jié)點(diǎn)開發(fā)相結(jié)合，創(chuàng)造了一種新的方案，即處理器不再是單片硅，而是依賴于多個(gè)...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片英特爾封裝技術(shù) 441 0

芯片封裝技術(shù)中不同術(shù)語的基本定義

在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中，"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件，尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...

2024-10-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)芯片封裝 HBM 861 0

芯片堆疊封裝技術(shù)實(shí)用教程(52頁P(yáng)PT）

芯片堆疊封裝技術(shù)實(shí)用教程

2024-11-01 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)芯片堆疊 3101 0

GigaModule系列產(chǎn)品特性簡介

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密架構(gòu)中，高性能封裝基板（High-Performance Packaging Substrate）扮演著舉足輕重的角色，它不僅是芯片與...

2024-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)基板 661 0

什么是CoWoS封裝技術(shù)？

CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，它結(jié)合了芯片堆疊與基板連接的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了高度集成、高性能和...

2024-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)CoWoS 3385 0

如何控制先進(jìn)封裝中的翹曲現(xiàn)象

在先進(jìn)封裝技術(shù)中，翹曲是一個(gè)復(fù)雜且重要的議題，它直接影響到封裝的成功率和產(chǎn)品的長期可靠性。以下是對(duì)先進(jìn)封裝中翹曲現(xiàn)象的詳細(xì)探討，包括其成因、影響、控制策...

2024-08-06 標(biāo)簽：封裝技術(shù)翹曲先進(jìn)封裝 1069 0

扇入型和扇出型晶圓級(jí)封裝的區(qū)別

晶圓級(jí)封裝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，被廣泛應(yīng)用在存儲(chǔ)器、傳感器、電源管理等對(duì)尺寸和成本要求較高的領(lǐng)域中。在這些領(lǐng)域中，這種技術(shù)能夠滿足現(xiàn)代對(duì)電子設(shè)備的...

2024-07-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1645 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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