資料介紹
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu),將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的,由于一個管芯包括幾千個元胞,故要求線條細(xì),光刻精度高。所以對外延片的電阻率均勻性要求高,對外延片表面的平整度和顆粒度要求也高,我公司的產(chǎn)品是為了功率VDMOS 管專門研制開發(fā)的。
2、創(chuàng)新性和先進(jìn)性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產(chǎn)廠家密切配合,自主開發(fā)的新產(chǎn)品,屬于原始創(chuàng)新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管,它是通過柵極電壓來控制漏極電流的,因而它的一個顯著特點是驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小; 僅由多數(shù)載流子導(dǎo)電,無少子存儲效應(yīng),高頻特性好,工作頻率高達(dá)100kHz 以上,為所有電力電子器件中頻率之最,因而最適合應(yīng)用于開關(guān)電源、高頻感應(yīng)加熱等高頻場合;沒有二次擊穿問題,安全工作區(qū)廣,耐破壞性強。它采用超大規(guī)模集成電路的精細(xì)加工技術(shù),用N/N+外延結(jié)構(gòu),因此對外延片的有特殊的要求和標(biāo)準(zhǔn)。
2、創(chuàng)新性和先進(jìn)性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產(chǎn)廠家密切配合,自主開發(fā)的新產(chǎn)品,屬于原始創(chuàng)新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管,它是通過柵極電壓來控制漏極電流的,因而它的一個顯著特點是驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小; 僅由多數(shù)載流子導(dǎo)電,無少子存儲效應(yīng),高頻特性好,工作頻率高達(dá)100kHz 以上,為所有電力電子器件中頻率之最,因而最適合應(yīng)用于開關(guān)電源、高頻感應(yīng)加熱等高頻場合;沒有二次擊穿問題,安全工作區(qū)廣,耐破壞性強。它采用超大規(guī)模集成電路的精細(xì)加工技術(shù),用N/N+外延結(jié)構(gòu),因此對外延片的有特殊的要求和標(biāo)準(zhǔn)。
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