（GaAs）晶圓上實現(xiàn)的。光電子驅動砷化鎵（GaAs）晶圓市場增長GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術領域幾十年的老朋友了，主要應用有復印機、DVD播放器甚至激光指示器。近年來，LED推動了化合物半導體
2019-05-12 23:04:07
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗規(guī)范，還有不知道在大陸有誰在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術
2023-03-15 11:09:59
近年來，隨著顯示屏lcd液晶顯示屏的使用率越來越高，不同尺寸規(guī)格需求的lcd液晶顯示屏也越來越旺盛。這其中4英寸顯示屏幕屏的需求量也十分大，今天瑞翔數(shù)碼作為4英寸顯示屏幕屏廠家來給大家介紹一下大家
2023-02-02 11:37:35
陸續(xù)復工并維持穩(wěn)定量產(chǎn)，但對硅晶圓生產(chǎn)鏈的影響有限。只不過，4月之后新冠肺炎疫情造成各國管控邊境及封城，半導體材料由下單到出貨的物流時間明顯拉長2～3倍?！ 齑婊匮a力道續(xù)強 包括晶圓代工廠、IDM
2020-06-30 09:56:29
有沒有能否切割晶圓/硅材質濾光片的代工廠介紹下呀
2022-09-09 15:56:04
），之后再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產(chǎn)生碰撞，而有利于搬運過程。此實驗有助于了解切割機的構造、用途與正確之
2011-12-02 14:23:11
、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一
2011-12-01 15:43:10
整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同.三、晶片分片將晶棒橫向切成厚度基本一致的晶圓片，Wafer。四、Wafer拋光進行晶圓外觀的打磨拋光。五、Wafer鍍膜通過高溫，或者其他方式，使晶圓上產(chǎn)生
2019-09-17 09:05:06
之一。由于硅的物理性質穩(wěn)定，是最常被使用的半導體材料，近年又研發(fā)出第 2 代半導體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
有人又將其稱為圓片級-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學或物理的方法將兩片晶圓結合在一起，以達到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
充充電器：1、ANKER安克30W氮化鎵充電器2、ANKER安克42W氮化鎵PD超極充3、ANKER安克45W氮化鎵充電器4、ANKER 60W雙USB-C口氮化鎵充電器5、ANKER 65W氮化鎵
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價也從原本數(shù)百元天價到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動氮化鎵快充價格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業(yè)發(fā)展已為硅基氮化鎵在商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)、庫存維護、適應需求激增等方面打下了堅實的基礎，緩解了供應短缺的擔憂。只要碳化硅基氮化鎵繼續(xù)依賴耗時、高成本的制造工藝，這種擔擾就將
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
激光器生長在氮化鎵/藍寶石模板上，位錯密度在108cm-2量級，如今氮化鎵激光器都生長在位錯密度為106cm-2量級或更低的氮化鎵自支撐襯底上，如圖3所示。 圖4、（a）由于外延結構各層生長
2020-11-27 16:32:53
和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃，這標志著氮化鎵供應鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\營完美結合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現(xiàn)有射頻應用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
范圍；4.Vgs信號上升時間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)）▲圖4：測試結果截屏結論1.客戶目標板設計合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
現(xiàn)已上市，計劃2009年3季度開始量產(chǎn)，VD6803和VD6853提供兩種封裝選擇：COB（板上芯片）裸片和TSV（硅通孔）晶圓級封裝。:
2018-12-04 15:05:50
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。更高密度和更大尺寸芯片的發(fā)展需要更大直徑的晶圓供應。在20世紀60年代開始使用的1英寸直徑的晶圓。在21世紀前期業(yè)界轉向300mm（12英寸）直徑的晶圓
2018-07-04 16:46:41
% 的能源浪費，相當于節(jié)省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內普遍認為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。`
2011-12-01 11:40:04
4.18）。電測器在電源的驅動下測試電路并記錄下結果。測試的數(shù)量、順序和類型由計算機程序控制。測試機是自動化的，所以在探針電測器與第一片晶圓對準后（人工對準或使用自動視覺系統(tǒng)）的測試工作無須操作員
2011-12-01 13:54:00
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
組件來實現(xiàn)產(chǎn)品設計。也因為消費性市場存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過，氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
×728pixels7.設備重量：1200Kg8.外形尺寸：長×寬×高 1160mm×1250mm×2000mm（含報警燈，顯示器）倒裝參數(shù)型號：LDM-08適用于2-4英寸倒裝（Flip Chip）LED晶圓
2018-05-24 09:58:45
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
英寸SiC晶圓的SiC二極管，符合JEDEC標準，2018Q2每月生產(chǎn)超過100片6寸SiC晶圓，2019年在國內率先量產(chǎn)了車規(guī)級SiC二極管。SiC二極管可在更高的開關頻率和更小的尺寸下提供更高效的解決方案，并提高效率和穩(wěn)定性。原作者：充電頭網(wǎng)編輯部 充電頭網(wǎng)
2023-02-22 15:27:51
安森美半導體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點開設了一個新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
on top of the wafer.底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎。Bipolar - Transistors that are able to use both
2011-12-01 14:20:47
哪些 MCU 產(chǎn)品以裸片或晶圓的形式提供？
2023-01-30 08:59:17
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。
穩(wěn)懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩(wěn)懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商，自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應用的優(yōu)勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因為內置了氮化鎵元器件，體型可以做的非常的纖薄，只有0.63英寸（約1.6cm）厚，并且是可折疊插腳設計，可以輕松裝進
2021-04-16 09:33:21
PCB布局設計的最佳工程實踐。介紹了以下四種電路配置的布局指南： 用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅動器電路 用于并聯(lián)氮化鎵E-HEMT的隔離式柵極驅動器電路 半橋自舉柵極驅動器電路
2023-02-21 16:30:09
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內部采用兩路PI的電源芯片，對應兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
在硅頂部生長氮化鎵外延層，可以使用現(xiàn)有的硅制造供應鏈而免于使用昂貴的特定生產(chǎn)地點。供應鏈利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓以低成本進行量產(chǎn)，并與具備豐富經(jīng)驗的合作伙伴進行大批量后端生產(chǎn)。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中
2011-12-02 14:30:44
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
這個要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
12英寸晶圓片的外觀檢測方案？那類探針臺可以全自動解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
例外。氧化鎵的另一個優(yōu)點是，實際上很容易根據(jù)需要制造氧化鎵晶體大晶圓。 雖然氧化鎵晶體有幾種類型，但最穩(wěn)定的是β，其次是ε和α。其中，有關β-氧化鎵的綜合性質的研究最多，這主要得益于日本筑波的日本國
2023-02-27 15:46:36
長期收購藍膜片.藍膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
集成電路(IC)常用基本概念有:晶圓,多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓
2013-01-11 13:52:17
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍 ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質晶圓的量測。WD4000國產(chǎn)晶圓幾何形貌量測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單
2024-03-15 09:22:08
英諾賽科的產(chǎn)品采購、資料下載、技術支持等服務內容均可由世強元件電商支持。 英諾賽科的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率器件與5G射頻器件。特別值得一提的是，英諾賽科擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，這條產(chǎn)品線的的通線投產(chǎn)，不僅填補了我國第
2019-01-16 18:16:01
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