解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。 憑借逾20億美元的設(shè)計中標收入以及50多
2018-10-26 10:27:22
1409 系列產(chǎn)品。該IP自推出以來，受到業(yè)內(nèi)客戶歡迎，目前在180nm?BCD和90nm?BCD工藝上，已被多家汽車芯片設(shè)計企業(yè)所采用。 ? 使用全新SuperMTP?商標的IP產(chǎn)品，既保留了原本擦寫次數(shù)多，存儲時間長、無需增加額外光罩成本并兼容傳統(tǒng)CMOS工藝或BCD、HV等特色工藝的優(yōu)勢，
2022-05-05 11:55:361311 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
最新的HBM2E+存儲器功能的小芯片（chiplet）類型設(shè)計。隨著目前正在進行的7nm和12nm的工藝制程驗證，SiFive正在將高性能DRAM功能從現(xiàn)有的16nm工藝擴展到前沿技術(shù)?？偨Y(jié)今天，對新型
2020-08-13 15:14:50
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是，ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
擦除，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-10-24 14:31:49
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
電壓即可進行電可擦除和重復(fù)編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash
2020-11-16 14:33:15
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
當系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電
可擦的，可
編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
存儲器。先進的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴展其功能集。Ramtron計劃在2008年年底前推出的其它V系列產(chǎn)品將具有額外的SPI產(chǎn)品密度，以及I2C和并行接口。所有串行F-RAM&
2008-10-08 09:23:16
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標志著國內(nèi)SLCNANDFlash產(chǎn)品正式邁入24nm先進制程工藝時代。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲類產(chǎn)品線，為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲解決方案。
2020-11-26 06:29:11
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
查詢了一些資料，知道了分頻器是鎖相環(huán)電路中的基本單元．是鎖相環(huán)中工作在最高頻率的單元電路。傳統(tǒng)分頻器常用先進的高速工藝技術(shù)實現(xiàn)。如雙極、GaAs、SiGe工藝等。隨著CMOS器件的尺寸越來越小，可用
2021-04-07 06:17:39
閱讀哦?！ ∫?、存儲器卡 存儲器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒有任何的加密保護措施 ，對于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計呢？
2019-08-02 06:49:22
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來自非易失性存儲器。問題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個數(shù)組保存到非易失性存儲器中，這樣我就可以通過電源周期來維護數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊，并考慮使用這一點，但我不確定這個模塊的操作。我試圖做到以下幾點：我想保存到非易失性存儲器陣列
2019-07-24 13:39:00
有一些不確定性，產(chǎn)生的尾位會對精確讀取造成影響。嵌入式閃存是可擴展的，并且可用于眾代工廠的先進技術(shù)節(jié)點通常情況下，嵌入式閃存比領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點晚兩代，因為其主要由非易失性存儲器解決方案需求推動，而諸如
2020-08-14 09:31:37
的同等閃存存儲器更?。ň唧w取決于設(shè)計要求）。 同時，我們期待這一交叉點能在 1T-1C 操作和未來工藝技術(shù)的簡化過程中得到改進。 3.此外，TI 目前尚未將汽車應(yīng)用作為其嵌入式 FRAM 產(chǎn)品的目標
2018-08-20 09:11:18
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
賽靈思Zynq-7000可擴展處理平臺(EPP)將雙ARM Cortex-A9 MPCore處理器系統(tǒng)與可編程邏輯和硬IP外設(shè)緊密集成在一起，提供了靈活性、可配置性和性能的完美組合。圍繞其剛剛推出
2019-05-16 10:44:42
，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-19 11:53:09
，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-21 10:49:57
已被知名汽車芯片廠商采用。銳成芯微的嵌入式存儲IP，經(jīng)過十多年的技術(shù)積累和迭代，已發(fā)展了包括MTP，OTP，eFlash等眾多產(chǎn)品線，不僅在BCD工藝平臺，也適用于更多邏輯工藝平臺。銳成芯微持續(xù)通過
2023-03-03 16:42:42
40nm等工藝節(jié)點推出藍牙IP解決方案，并已進入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:36
25 面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標志認證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09589 德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26521 
本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:551190 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:27754 新思科技公司(Synopsys)與上海集成電路研發(fā)中心有限公司(ICRD)今日宣布： Synopsys與上海集成電路研發(fā)中心共同建立的“ICRD - Synopsys先進工藝技術(shù)聯(lián)合實驗室”今日盛大成立，該實驗室將致
2012-11-15 09:30:421030 艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對我們來說是一項里程碑。基于我們在350nm制程中的成功實踐，新款hitkit設(shè)計套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品。”
2016-07-21 08:51:552227 艾邁斯半導(dǎo)體世界領(lǐng)先的MPW服務(wù)提供180nm和0.35μm兩個工藝節(jié)點的制程，包括最近推出的180nm的CMOS （“aC18”）工藝MPW服務(wù)。
2016-10-24 15:56:241055 汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。
2018-04-29 11:02:007701 
用于汽車事件數(shù)據(jù)記錄儀和Industry 4.0等應(yīng)用的關(guān)鍵數(shù)據(jù)記錄 先進嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列，為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集
2018-03-17 09:40:004456 閃存程序存儲器是可存儲可執(zhí)行代碼的非易失性存儲器。除指令外，它還可用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-03-21 14:35:090 Synopsys設(shè)計平臺用于高性能、高密度芯片設(shè)計 重點： Synopsys設(shè)計平臺獲得TSMC工藝認證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個設(shè)計項目。 針對
2018-05-17 06:59:004461 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計平臺獲得TSMC最新版且最先進的5nm工藝技術(shù)認證，可用于客戶先期設(shè)計。通過與TSMC的早期密切協(xié)作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進汽車設(shè)計規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231518 非易失性存儲器是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357 Kilopass Technology，Inc。宣布其XPM技術(shù)現(xiàn)在可用于ASIC和SoC，使用標準邏輯CMOS 90納米硅工藝，以及目前使用0.18，0.15和0.13微米工藝的產(chǎn)品。
2019-10-06 14:38:002341 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 據(jù)外媒報道稱，美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27490 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16847 
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262，144字8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:16777 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:121516 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費下載。
2020-12-09 08:00:000 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:232385 非易失性存儲器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:20:486 非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915 AN-579：使用帶非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712 FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912 
FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 非易失性存儲器S25FL512S手冊免費下載。
2021-06-10 09:46:242 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:131348 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:350 
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工商網(wǎng)監(jiān)
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