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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星突破次世代存儲(chǔ)器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星突破次世代存儲(chǔ)器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

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什么是Altera最新28nm FPGA技術(shù)?

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本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 編輯 三星半導(dǎo)體推出的ARM Cortex-A8架構(gòu)處理,采用45nm低功耗精湛工藝,對(duì)于圖形的處理和多媒體的兼容性都是
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2011-11-28 09:33:011792

降低賽靈思28nm 7系列FPGA的功耗

本白皮書(shū)介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個(gè)方面,其中包括臺(tái)積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗(28nm HPL 或 28 HPL)工藝的選擇。 本白皮書(shū)還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441

28nm時(shí)代,F(xiàn)PGA設(shè)計(jì)取決于應(yīng)用需求

如今FPGA已進(jìn)入到28 nm時(shí)代,在28 nm時(shí)代FPGA的容量足以滿足整個(gè)系統(tǒng)所需,節(jié)省了功率元件和存儲(chǔ)器。
2012-03-16 08:41:58381

賽靈思28nm 超越一代的領(lǐng)先地位

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :賽靈思28nm,實(shí)現(xiàn)了超越一代的領(lǐng)先地位。其產(chǎn)品組合 All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 現(xiàn)已開(kāi)始供貨;在性能、功耗和集成度上該產(chǎn)品組合有著重大突破;此外,
2012-09-28 17:23:17612

臺(tái)積電張忠謀談大陸28nm工藝:增長(zhǎng)很快

已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝,TSMC董事長(zhǎng)張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競(jìng)爭(zhēng),他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長(zhǎng)很快,其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:521538

Xilinx 28nm產(chǎn)品累計(jì)營(yíng)收超10億美元里程碑,市場(chǎng)份額高達(dá)65%

Xilinx 在28nm工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)重大里程碑,比此前任意工藝節(jié)點(diǎn)提前3個(gè)季度實(shí)現(xiàn)累計(jì)營(yíng)收超10億美元 賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其在28nm工藝節(jié)點(diǎn)
2017-02-09 04:26:40581

Chipworks拆解基于臺(tái)積電28nm HPL工藝的賽靈思Kintex

Chipworks制程分析室的研究人員對(duì)使用臺(tái)積電28nm HPL制程工藝(基于gatelast HKMG技術(shù))制作的賽靈思Kintex-7 FPGA芯片進(jìn)行了工藝 解剖,這是分析報(bào)告。
2017-02-11 06:39:112778

次世代嵌入式內(nèi)存十年沉潛 終于到了大放異彩之時(shí)

臺(tái)積電的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)技術(shù)計(jì)劃將在2018和2019年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),號(hào)稱次世代內(nèi)存的產(chǎn)品,終于在十多年的沉潛后大放異彩,物聯(lián)網(wǎng)與AI將再次推升次世代內(nèi)存需求,給我們帶來(lái)更具殺傷力的嵌入式內(nèi)存技術(shù)。
2018-01-26 11:30:021334

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)

超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)
2018-06-05 13:45:003536

臺(tái)積電著手7nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)

臺(tái)積電已經(jīng)在著手將其7nm制程工藝擴(kuò)大到大規(guī)模生產(chǎn),臺(tái)積電的7nm制程工藝被稱作N7,將會(huì)在今年下半年開(kāi)始產(chǎn)能爬坡。
2018-06-12 15:14:413315

三星研發(fā)全新蒸鍍?cè)?,?yīng)用于次世代產(chǎn)線

三星顯示開(kāi)發(fā)出新的蒸鍍?cè)矗A(yù)計(jì)將在新的次世代產(chǎn)線應(yīng)用。新的技術(shù)是否能帶來(lái)OLED更高分辨率4K(UHD)備受業(yè)界市場(chǎng)矚目。
2018-08-22 08:41:384156

神鋼電氣工業(yè)宣布投資16億日元建次世代PBGA基板產(chǎn)線 2019年下半年啟用生產(chǎn)

Semi Additive Process)工藝次世代塑膠球閘陣列(PBGA)基板,將投資16億日元在新井工廠內(nèi)興建次世代PBGA基板產(chǎn)線,且預(yù)計(jì)于2019年度下半年(2019年4-9月期間)啟用生產(chǎn)
2018-10-30 16:37:293380

嵌入式存儲(chǔ)器新發(fā)展,三星大規(guī)模量產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品

三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964

三星大規(guī)模生產(chǎn)磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM,或?qū)⒏淖儼雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局?

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝生產(chǎn)線上,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:27886

三星大規(guī)模量產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM,更凸顯互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)

據(jù)報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝生產(chǎn)線上,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:512985

瑞薩電子發(fā)布了業(yè)界第一款使用28nm工藝的集成閃存微控制器

繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開(kāi)發(fā)公布后,瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU,將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:032715

三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90% 待機(jī)狀態(tài)下完全不會(huì)耗電

今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 08:57:08494

三星1Gb容量eMRAM內(nèi)存寫(xiě)入壽命高達(dá)1萬(wàn)億次

今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 08:46:402965

三星開(kāi)始生產(chǎn)1Gb容量的eMRAM內(nèi)存 最新良率已經(jīng)達(dá)到90%

今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 09:23:222336

三星量產(chǎn)1GB eMRAM內(nèi)存,良率已經(jīng)達(dá)到90%

今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 16:07:533649

格芯22FDX技術(shù)將用于批量生產(chǎn)eMRAM磁阻非易失性存儲(chǔ)器芯片

據(jù)外媒報(bào)道稱,美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM,新型存儲(chǔ)機(jī)會(huì)來(lái)臨

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺(tái),新型存儲(chǔ)器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器)已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512095

三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝
2020-04-08 14:41:142500

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力,中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719

美國(guó)允許臺(tái)積電向華為供貨28nm芯片

據(jù)外媒最新報(bào)道,近日美國(guó)政府允許了臺(tái)積電向華為供貨芯片,但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品,即:28nm工藝或以上的產(chǎn)品! 臺(tái)積電從美國(guó)商務(wù)部獲得許可證,能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:442708

DigiTimes :臺(tái)積電 28nm產(chǎn)能罕見(jiàn)滿載 中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵

),博通(Broadcom)將原在中芯 28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái),成為臺(tái)積電 28nm 產(chǎn)能利用率達(dá) 100% 的主要原因。 與目前的 5nm、7nm 工藝相比,28nm、40/45nm 盡管已推出較長(zhǎng)時(shí)間,但它們?nèi)栽诶^續(xù)發(fā)揮作用,并在臺(tái)積電營(yíng)收中占有較大比重。 責(zé)任編輯:PSY
2020-11-04 10:24:271509

臺(tái)積電對(duì)2nm工藝2024年大規(guī)模投產(chǎn)非常樂(lè)觀

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在 5nm 工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,芯片代工商臺(tái)積電制程工藝的研發(fā)重點(diǎn)就將轉(zhuǎn)向了更先進(jìn)的 3nm 和 2nm 工藝,3nm 工藝是計(jì)劃在 2021 年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022 年下
2020-11-17 17:34:021415

臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能將更緊張

獲得5nm工藝的產(chǎn)能。 從外媒的報(bào)道來(lái)看,不只是7nm、5nm等先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電成熟工藝,目前也有強(qiáng)勁的的需求,已有外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電先進(jìn)工藝和成熟工藝都有強(qiáng)勁的產(chǎn)能需求。 從相關(guān)媒體的報(bào)道來(lái)看,在芯片制程工藝方面,28nm及以上工
2020-11-19 16:50:151673

鼎龍股份:客戶端28nm全制程測(cè)試進(jìn)展順利

近日,鼎龍股份接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、中芯國(guó)際對(duì)公司產(chǎn)品的評(píng)價(jià)較高。在存儲(chǔ)和先進(jìn)邏輯領(lǐng)域持續(xù)突破,客戶端28nm全制程測(cè)試進(jìn)展順利,部分制程已獲得訂單,拋光墊的技術(shù)研發(fā)已全面進(jìn)入14nm階段。
2020-11-27 10:23:071670

28nm目前全球的晶圓代工狀況

28nm目前國(guó)內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來(lái)5年可能會(huì)導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:093845

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝。 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252414

復(fù)旦微去年上半年28nm工藝制程FPGA的毛利率水平分別為98.48%和99.6%

集微網(wǎng)消息,日前,復(fù)旦微在回復(fù)上交所問(wèn)詢函中表示,公司28nm大規(guī)模億門(mén)級(jí)FPGA產(chǎn)品于2019年初開(kāi)始量產(chǎn)。2019年和2020年1-6月,公司28nm工藝制程FPGA實(shí)現(xiàn)的收入分別為
2021-01-11 18:06:012371

臺(tái)積電和聯(lián)華電子28nm工藝將滿負(fù)荷運(yùn)行

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,雖然目前最先進(jìn)的芯片制程工藝已經(jīng)達(dá)到5nm,但成熟的28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺(tái)積電的第4大收入來(lái)源,貢獻(xiàn)了去年四季度臺(tái)積電營(yíng)收的11%,是4項(xiàng)營(yíng)收占比超過(guò)10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:481810

中芯國(guó)際回應(yīng)14、28nm工藝設(shè)備獲美國(guó)許可允許進(jìn)口

日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 09:39:361997

傳中芯國(guó)際已獲14/28nm許可,官方回應(yīng)

日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 11:22:221635

中芯國(guó)際產(chǎn)能擴(kuò)張,主要生產(chǎn)28nm及以上工藝

這一年來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,國(guó)內(nèi)的晶圓廠也開(kāi)說(shuō)產(chǎn)能擴(kuò)張。繼位于北京的中芯京城之后,中芯國(guó)際今晚宣布在深圳投資建廠,主要生產(chǎn)28nm及以上工藝。
2021-03-18 10:39:193981

曾經(jīng)被28nm改寫(xiě)的半導(dǎo)體市場(chǎng)

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見(jiàn)于報(bào)端。 一方面,臺(tái)積電日前宣布,將斥資約800億元新臺(tái)幣,把在南京廠建置28納米制程,目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬(wàn)片月產(chǎn)能。除此之外,市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322770

俄羅斯計(jì)劃耗資3.2萬(wàn)億盧布,在2030年實(shí)現(xiàn)28nm芯片的自主生產(chǎn)

,預(yù)計(jì)投資4600億盧幣,可能在今年開(kāi)始生產(chǎn)90nm制程工藝的芯片。 不過(guò)90nm制程的芯片技術(shù)早在2003年就被英特爾研發(fā)出來(lái)了,而28nm的技術(shù)也只相當(dāng)于臺(tái)積電2011年的水平,由于基礎(chǔ)薄弱的原因,俄羅斯不得不投入大量資金和時(shí)間來(lái)彌補(bǔ)芯片上的技術(shù)缺失。 綜
2022-04-17 17:14:372831

22nm28nm芯片性能差異

據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看,目前22nm28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了,很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多,主要原因就是價(jià)格便宜,那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢?
2022-06-29 09:47:467987

基于28nm工藝制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中,每個(gè)輸入/輸出區(qū)域(I/O Bank)包含50個(gè)輸入/輸出管腳,其中有4對(duì)(8個(gè))全局時(shí)鐘管腳,稱之為CCIO(Clock-capable IO)。
2023-03-03 09:46:491323

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開(kāi)張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433

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