非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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我有個應(yīng)用設(shè)計(jì)，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴(kuò)了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
和電動工具配件到醫(yī)療器械、主要電器產(chǎn)品、數(shù)字消費(fèi)設(shè)備及辦公自動化設(shè)備。FM3 CY9BFx1xS/T系列Arm Cortex-M3微控制器系統(tǒng)是高性能組，工作電壓范圍為 2.7V 至 5.5V。FM
2024-02-26 10:08:43
與主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10743 1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 作為當(dāng)今存儲技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，非易失性存儲器（FeRAM）正逐漸成為市場上的主流存儲解決方案。
2024-01-11 17:13:27795 
如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
明渠流量計(jì)廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測量。智能明渠流量計(jì)系統(tǒng)的測量是通過旋槳式流速傳感器來測量流速；通過壓力傳感器測量水位；采用鐵電存儲器實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設(shè)備的需求，這些設(shè)備能夠即時捕獲關(guān)鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲數(shù)據(jù)長達(dá)數(shù)十年。
2023-10-13 16:34:32450 怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動外部的存儲器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-21 10:03:500 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中，根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標(biāo)簽，使消費(fèi)者能夠體驗(yàn)數(shù)字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應(yīng)用，包括品牌保護(hù)和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進(jìn)的RF性能以及強(qiáng)大的保護(hù)功能，例如block lock機(jī)制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 本參考手冊面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會
2023-08-16 10:30:26
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
BCR25FM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:550 BCR25FM-12LB 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:020 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
SPI 接口 12Mbit/s
--兩路 I2C 接口 1Mbit/s
--IR 調(diào)制器
?串行調(diào)試接口 (SWD)
?80 位唯一 ID
?所有封裝兼容 ECOPACK 2
綜述：CW32F030C8資源比XX32更強(qiáng)大，功耗更低，性價比更高。
2023-06-07 11:04:28
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。 FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CH32V208開發(fā)板提供了對兩類外部存儲器件的支持，即AT24CXX系列和W25QXX系列。
由于在開發(fā)板上并沒有提供這兩類器件，因此在測試時是以外掛模塊的形式來進(jìn)行。
1）AT24C02測試
2023-04-21 18:13:47
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實(shí)時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06676 存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FLASH存儲器 1MBIT SPI 104MHZ SOIC8_150MIL
2023-03-28 18:28:05
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存儲器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
FRAM（鐵電體 RAM） 存儲器 IC 1Mb I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
2023-03-27 13:44:55
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:23:11
FRAM存儲器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
1 Mbit（128 K × 8） 串行 （SPI） F-RAM
2023-03-27 11:55:16
FLASH - NOR 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O 104 MHz SOP8_200MIL
2023-03-27 11:14:10
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