外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10447 在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動下，外延設(shè)備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于
2020-01-30 09:58:584545 ，熱量是不能及時傳導(dǎo),易形成局部高溫,進而可能損傷元器件、組件,從而影響系統(tǒng)的可靠性及正常工作周期 。所以慎重選擇電源灌封膠非常重要，可以使用有機硅材質(zhì)的電源灌封膠，因其優(yōu)良的物理化學(xué)性能和工藝性能成為灌
2019-02-27 17:19:23
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
本指南提供了有關(guān)Arm SystemReady計劃和SystemReady預(yù)硅啟用的常見問題的答案。
信息分為以下幾個部分：
?SystemReady一般常見問題解答回答了有關(guān)SystemReady
2023-08-08 06:21:04
有被非硅材料逐漸替代的現(xiàn)象，學(xué)術(shù)研究人員現(xiàn)在開始專注于開發(fā)聚合物和紙基微型器件。利用這些材料開發(fā)的器件，不僅工藝環(huán)保，而且制作設(shè)備簡單、成本較低。相對硅材料，它們大幅縮減了研發(fā)經(jīng)費預(yù)算。許多聚合物和紙基
2016-12-09 17:46:21
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
嗨，我繞了一圈想弄清楚RN4871上如何啟用不同的電源模式，以及它們對于設(shè)備行為的意義，所以我在下面列出了電源模式的參考資料。特別是，我試圖進入最低功率模式，根據(jù)數(shù)據(jù)表繪制1至1.7uA。注意，在
2020-04-17 07:48:38
ch9328的USB端可以外延帶屏蔽的標(biāo)準(zhǔn)USB線嗎，有線長要求嗎？
2022-07-07 06:08:49
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
可控硅是中頻電源 的心臟，它的正確使用對中頻電源的運行至關(guān)重要。一臺中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經(jīng)常燒硅，電爐停擺，影響生產(chǎn)，就要引起警覺了。可控硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓
2013-10-17 09:37:47
可控硅是中頻電源的心臟，它的正確使用對中頻電源的運行至關(guān)重要。一臺中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經(jīng)常燒硅，電爐停擺，影響生產(chǎn)，就要引起警覺了?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓通常在
2013-10-14 10:26:02
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體
2018-09-03 09:31:49
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細(xì)工藝
2012-08-06 11:49:37
可控硅電源采用的串聯(lián)諧振，即電壓型諧振頻率跟蹤。因此效率較高、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度?！】煽?b class="flag-6" style="color: red">硅電源前級不可控全橋整流，不會在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角
2014-02-27 11:53:46
通俗的說，可控硅是一個控制電壓的器件，由于可控硅的導(dǎo)通角是可以用電路來控制的，固此隨著輸出電壓Uo的大小變化，可控硅的導(dǎo)通角也隨著變化。加在主變壓器初級的電壓Ui也隨之變化。
2019-10-16 09:01:04
可控硅中頻電源裝置簡稱可控硅中頻裝置,是利用可控硅的開關(guān)特性把50Hz的工頻電流變換成中頻電流的一種電源裝置,主要是在感應(yīng)熔煉,感應(yīng)加熱,感應(yīng)淬火等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。它的優(yōu)點是:1) 效率高可控硅電源
2013-12-27 09:11:10
梁上在10 000gn加速度作用下壓阻元件所受的平均應(yīng)力，如表2所示。 4 壓阻式硅微型加速度傳感器加工工藝 壓阻式傳感器的懸臂梁常采用CVD工藝在硅片上外延生長一層外延層刻蝕而成，文中試用鍵合
2018-11-01 17:23:05
`工廠直銷：13系列，雙向可控硅，單向可控硅，穩(wěn)壓電源聯(lián)系：137-3532-316913系列1300313003D13005D雙向可控硅BT136BT137BT151BT139單向可控硅X04052P4M2P6M穩(wěn)壓電源TL43178M057805L7805CVL7808CVL7809CVL7812CV`
2020-04-08 20:19:00
中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關(guān)于測試儀的機構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
最近在做一個用晶閘管或者可控硅做電源開關(guān)的項目，請問在這個電路里可控硅怎么實現(xiàn)開通和關(guān)斷？非常感謝！
2017-07-11 22:41:13
幾個問題：一是硅的缺陷比較多，它的發(fā)光效率比較差。二是用硅做外延成長時，由于硅本身會吸收光線，因此必須把硅拿掉，用別的基材(不管是用金屬還是其他基材)來做光源的承載體。這里必須做一個基板的轉(zhuǎn)換，這個工藝本身
2012-03-15 10:20:43
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
外延生長法(LPE)外延生長法(epitaxial growth)能生長出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區(qū)域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
非隔離開關(guān)
電源方案，怎樣負(fù)壓驅(qū)動雙向可控
硅?。?/div>
2018-07-30 11:48:27
組件可以通過創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關(guān)，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
表面組裝技術(shù)是以工藝為中心的制造技術(shù)。產(chǎn)品種類、功能、性能和品質(zhì)要求決定工藝，工藝決定設(shè)備。不同產(chǎn)品設(shè)計要求采用相應(yīng)的工藝，而不同工藝要求相應(yīng)的設(shè)備。 ?。?）貼裝工藝與設(shè)備，如同計算機軟件
2018-09-06 10:44:00
兩方面： ?。?）工藝質(zhì)量 其關(guān)鍵做法在于分清工藝和設(shè)備特性和參數(shù)。對任何一個產(chǎn)品，首先應(yīng)該有明確的工藝要求，再從工藝要求中推出什么設(shè)備特性參數(shù)會影響這些工藝特性，明確如何設(shè)置和控制這些設(shè)備特性參數(shù)
2018-09-07 15:18:04
NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:41
21 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
IR收購ATMI硅外延服務(wù)部
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)宣布收購ATMIInc.(納斯達克：ATMI)的特殊硅外延服務(wù)部。目
2009-07-06 08:45:27934 ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精
2010-01-23 09:32:32795 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 國內(nèi)光伏企業(yè)啟用零污染節(jié)能新工藝
3月24日早間消息，總部設(shè)在保定的太陽能公司英利綠色能源宣布，今年擴展400兆瓦產(chǎn)能，將總產(chǎn)
2010-03-24 08:35:08482 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 濟寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461043 如何啟用USB主機到主機設(shè)備的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 對于禁用和啟用網(wǎng)卡，找到控制面板的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置里面就可以搞定的，但他們偏偏不，就要用批處理實現(xiàn)，好吧，微軟的 DevCon 工具就可以命令行禁用或啟用網(wǎng)卡，下面是兩個批處理的例子。
2017-09-20 14:37:355 一般來說，GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會進行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；2. 開始：Pad ox
2018-03-16 10:40:16108618 
LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司（以下簡稱“聚力成半導(dǎo)體”）一期廠房正式啟用，計劃10月開始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線達21條，年產(chǎn)能達12萬片。
2019-06-10 16:43:314390 晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:321817 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設(shè)計的“世界觀”?；逡r底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
組件可以通過創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關(guān)，例如CPU頻率、單/雙核模式、是否需要進行頻率切換等（CPU 頻率為 240 MHz 且未啟用頻率調(diào)節(jié)時，最小額外延遲
2022-01-05 14:38:443 本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗罐。結(jié)果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:49559 
CMOS工藝流程介紹，帶圖片。
n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2027 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096935 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210569 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
如何計算啟用4個內(nèi)核的T4241的功率？ 要計算T4241啟用4個內(nèi)核的功率，需要知道以下信息： 1. T4241的額定電源電壓和電流 2. T4241啟用一個內(nèi)核的功耗 3. T4241啟用四個
2023-06-01 15:12:47278 在SEMICON China 2023上海展上，中國電科集團攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相，全面展示了最新實踐和成果。
2023-07-24 10:29:45797 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47914 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
列陣探測器引起了人們的廣泛關(guān)注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對碲鎘汞p型摻雜與激活進行專項研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進行摻雜，As很難占據(jù)Te位，一般作為間隙原子或者占據(jù)金屬位，
2023-09-26 09:18:14284 
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2023-11-03 09:42:540 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
預(yù)計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01217 襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:2965 
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