8吋SiC外延設(shè)備首次亮相 已經(jīng)完成首輪工藝驗(yàn)證

6月29日，中國(guó)電科48所宣布，他們自主研制的8吋SiC外延設(shè)備首次亮相，并且已經(jīng)完成首輪工藝驗(yàn)證。

在SEMICON China 2023上海展上，中國(guó)電科集團(tuán)攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相，全面展示了最新實(shí)踐和成果。

展會(huì)期間，48所重磅發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備。該設(shè)備將進(jìn)一步推進(jìn)SiC電力電子器件制造降本增效，牽引SiC行業(yè)向低成本、規(guī)?；较虬l(fā)展。

48所黨委書(shū)記王平介紹，“當(dāng)前主流的SiC單晶與外延生長(zhǎng)還處于6吋階段，擴(kuò)大尺寸成為產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的主要路徑。48所聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求和瓶頸問(wèn)題，搶灘布局，奮力開(kāi)展8吋SiC外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)突破及工藝研發(fā)，目前該設(shè)備已完成首輪工藝驗(yàn)證，為48所駛?cè)隨iC產(chǎn)業(yè)‘快車(chē)道’打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。”

經(jīng)過(guò)一年的技術(shù)攻關(guān)，48所研發(fā)團(tuán)隊(duì)在6吋SiC外延設(shè)備基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化水平進(jìn)氣裝置設(shè)計(jì)、熱壁式反應(yīng)室構(gòu)型等設(shè)計(jì)，克服了大尺寸外延生長(zhǎng)反應(yīng)源沿程損耗突出、溫流場(chǎng)分布不均等問(wèn)題，滿足了大尺寸、高質(zhì)量外延生長(zhǎng)需求，實(shí)現(xiàn)了外延裝備從6吋到8吋的技術(shù)迭代。

目前，48所自研的8吋SiC外延設(shè)備核心技術(shù)指標(biāo)取得了關(guān)鍵性突破，8英寸生長(zhǎng)厚度均勻性＜1.5%，摻雜濃度均勻性＜4%，表面致命缺陷＜0.4個(gè)/cm2，這些技術(shù)指標(biāo)的突破，標(biāo)志著48所已成功掌握8吋SiC外延設(shè)備相關(guān)技術(shù)。

48所表示，作為我國(guó)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的“國(guó)家隊(duì)”，他們將始終致力于半導(dǎo)體微細(xì)加工設(shè)備的技術(shù)研究，堅(jiān)持在創(chuàng)新實(shí)踐中奮進(jìn)領(lǐng)跑，加速推進(jìn)產(chǎn)品迭代升級(jí)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為實(shí)現(xiàn)我國(guó)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)自立自強(qiáng)作出積極貢獻(xiàn)。

編輯：黃飛