外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10447 工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導(dǎo)體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
MEMS器件等工藝咨詢，謝謝！北京方華佳瑞科技有限公司
2016-11-08 14:25:07
，熱量是不能及時(shí)傳導(dǎo),易形成局部高溫,進(jìn)而可能損傷元器件、組件,從而影響系統(tǒng)的可靠性及正常工作周期 。所以慎重選擇電源灌封膠非常重要，可以使用有機(jī)硅材質(zhì)的電源灌封膠，因其優(yōu)良的物理化學(xué)性能和工藝性能成為灌
2019-02-27 17:19:23
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
，特別是近年來碳納米管的發(fā)展令人注目，在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破，但離開實(shí)際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見王陽元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序（2004年1月科學(xué)出版社出版）。 :
2018-08-24 16:30:27
`硅瞬態(tài)抑制器件可分為兩大類：具有固定電壓的硅瞬態(tài)抑制二極管（TVS）和非固定電壓的晶閘管結(jié)構(gòu)瞬態(tài)抑制器件（TSS）。瞬態(tài)抑制器件選用一般遵循以下原則：1）器件反向轉(zhuǎn)折電壓不低于電路的正常工作電壓
2017-06-27 09:30:27
采用印刷臺(tái)手工印刷焊膏的工藝看完你就懂了
2021-04-25 07:06:44
%以上的良品率。雙臺(tái)面的方片可控制硅、觸發(fā)管采用雙臺(tái)面GPP工藝，正背面兩個(gè)對(duì)應(yīng)的溝道內(nèi)均有鈍化玻璃。刀片切割很難兼顧上、下兩層鈍化玻璃，切割成品電性良率低。目前廠商采取降低切割速度來提高切割成品率，刀片
2008-05-26 11:29:13
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
和控制電路、直至接口、通信和電源等集成于一塊或多塊芯片上的微型器件或系統(tǒng)。而MEMS傳感器就是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器。MEMS是用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝和材料，以半導(dǎo)體制造技術(shù)為
2016-12-09 17:46:21
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗(yàn)都可以提，請(qǐng)照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
GaN 襯底上獲得高性能的薄膜器件，必須使 GaN 襯底的表面沒有劃痕和損壞。因此，晶圓工藝的最后一步 CMP 對(duì)后續(xù)同質(zhì)外延 GaN 薄膜和相關(guān)器件的質(zhì)量起著極其重要的作用。CMP 和干蝕刻似乎
2021-07-07 10:26:01
一種用于制造非常薄的 BCB 鍵合層的可靠且可重復(fù)的工藝，不僅將為緊湊型混合硅激光器鋪平道路，還將為其他有前景的光子器件的開發(fā)鋪平道路，例如基于漸逝光的光隔離器或放大器耦合。在以下部分中，我們將介紹
2021-07-08 13:14:11
MOS器件的幾何尺寸已經(jīng)不能滿足器件性能的提高，需要一些額外的工藝技術(shù)來提高器件的電學(xué)性能，例如應(yīng)變硅技術(shù)。應(yīng)變硅技術(shù)是通過外延生長在源漏區(qū)嵌入應(yīng)變材料使溝道發(fā)生應(yīng)變，從而提高載流子遷移率，最終提高器件
2018-09-06 20:50:07
本電路如下圖所示，該逆變電路采用了TL494脈寬調(diào)制集成電路，TL494是一款廣泛用于開關(guān)電源的集成元件，在本電路中用作可控硅的開關(guān)驅(qū)動(dòng)器件，可控硅采用30A/100V的單向可控硅，以獲得足夠的功率輸出，變壓器圖中給出了具體的繞制參數(shù)供參考。
2021-04-23 06:13:41
可控硅是中頻電源 的心臟，它的正確使用對(duì)中頻電源的運(yùn)行至關(guān)重要。一臺(tái)中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經(jīng)常燒硅，電爐停擺，影響生產(chǎn)，就要引起警覺了。可控硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓
2013-10-17 09:37:47
可控硅是中頻電源的心臟，它的正確使用對(duì)中頻電源的運(yùn)行至關(guān)重要。一臺(tái)中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經(jīng)常燒硅，電爐停擺，影響生產(chǎn)，就要引起警覺了?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓通常在
2013-10-14 10:26:02
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
材料，將常規(guī)集成電路工藝和微機(jī)械加工獨(dú)有的特殊工藝相結(jié)合，全面繼承了氧化、光刻、擴(kuò)散、薄膜、外延等微電技術(shù)，還發(fā)展了平面加『[技術(shù)、體硅腐蝕技術(shù)、固相鍵合技術(shù)、LIGA技術(shù)等，應(yīng)用這些技術(shù)手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
本文將討論瑞能半導(dǎo)體的高壓可控硅及其應(yīng)用和工藝技術(shù)?！ ⊥芨邏嚎煽?b class="flag-6" style="color: red">硅 SCR 或可控硅整流器被定義為具有四層 p-n-p-n 結(jié)構(gòu)的開關(guān)器件，導(dǎo)致雙穩(wěn)態(tài)行為，可以在高阻抗、低電流關(guān)斷狀態(tài)和低
2023-02-24 15:34:46
級(jí)設(shè)計(jì)、器件級(jí)仿真、工藝模擬和版圖設(shè)計(jì)。在工藝模擬功能方面，目前的商業(yè)軟件，雖然都支持三維工藝模擬，但是工藝的模擬和實(shí)現(xiàn)都是比較簡單和理想化的，并且缺乏工藝設(shè)計(jì)能力。而目前很多MEMS研究人員對(duì)工藝
2019-06-25 06:41:25
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
`智興豐科技是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商,與配套方案提供商。驅(qū)動(dòng)IC主要應(yīng)用于吸頂燈，筒燈，球泡燈等LED照明行業(yè)可控硅又叫做晶閘管，是一種常用的半導(dǎo)體器件，是一種能像閘門一樣控制電流大小的半導(dǎo)體
2020-05-08 10:39:14
可控硅電源采用的串聯(lián)諧振，即電壓型諧振頻率跟蹤。因此效率較高、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度。 可控硅電源前級(jí)不可控全橋整流，不會(huì)在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角
2014-02-27 11:53:46
通俗的說，可控硅是一個(gè)控制電壓的器件，由于可控硅的導(dǎo)通角是可以用電路來控制的，固此隨著輸出電壓Uo的大小變化，可控硅的導(dǎo)通角也隨著變化。加在主變壓器初級(jí)的電壓Ui也隨之變化。
2019-10-16 09:01:04
裝置具有相當(dāng)高的變換效率(90-95%),輸出功率低時(shí),電源轉(zhuǎn)換效率并不降低,特別是在熱處理行業(yè)中,有些被加熱工件需要分段加熱,頻繁開機(jī)和停機(jī),在停機(jī)狀態(tài)下無損耗。因此,在感應(yīng)加熱行業(yè)中采用可控硅中頻
2013-12-27 09:11:10
梁上在10 000gn加速度作用下壓阻元件所受的平均應(yīng)力，如表2所示?！ ? 壓阻式硅微型加速度傳感器加工工藝 壓阻式傳感器的懸臂梁常采用CVD工藝在硅片上外延生長一層外延層刻蝕而成，文中試用鍵合
2018-11-01 17:23:05
本文采用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59
IR2132驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)是什么 IR2132內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其工作原理采用IR2132器件實(shí)現(xiàn)單芯片電源供電的三相逆變器的驅(qū)動(dòng)
2021-04-12 06:07:00
中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
增加效率(PAE:poweraddedefficiency)，非常的適用于高層(hightier)的無線通訊中長距離、長通信時(shí)間的需求。砷化鎵元件因電子遷移率比硅高很多，因此采用特殊的工藝，早期為
2016-09-15 11:28:41
，優(yōu)化退火工藝，可一次性成膜一次性退火完成。 平面光波導(dǎo)器件 平面光波導(dǎo)器件是采用平面光波導(dǎo)技術(shù)制造而成的器件，分為無源器件、有源器件以及有源/無源混合集成器件。無源平面光波導(dǎo)器件，顧名思義，無需能
2018-02-22 10:06:53
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關(guān)于測試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
最近在做一個(gè)用晶閘管或者可控硅做電源開關(guān)的項(xiàng)目，請(qǐng)問在這個(gè)電路里可控硅怎么實(shí)現(xiàn)開通和關(guān)斷？非常感謝！
2017-07-11 22:41:13
這種工藝技術(shù)的芯片并不常見，但是只要這種將硅基芯片與載體PCB直接連接的IC存在：并且在設(shè)計(jì)方案中可行，那么采用這樣的IC器件就是較好的選擇?！ ∫话銇碚f，在匯封裝設(shè)計(jì)中，降低電感并且增大信號(hào)與對(duì)應(yīng)回路
2017-09-19 10:59:22
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
大家好，有沒有人看到過，半導(dǎo)體器件按照工藝進(jìn)行分類的資料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 體硅CMOS NMOS TTL等這樣的分類。先謝謝了
2012-07-02 10:09:49
突破工藝對(duì)器件最小尺寸的限制
2021-01-06 06:30:08
幾個(gè)問題：一是硅的缺陷比較多，它的發(fā)光效率比較差。二是用硅做外延成長時(shí)，由于硅本身會(huì)吸收光線，因此必須把硅拿掉，用別的基材(不管是用金屬還是其他基材)來做光源的承載體。這里必須做一個(gè)基板的轉(zhuǎn)換，這個(gè)工藝本身
2012-03-15 10:20:43
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
外延生長法(LPE)外延生長法(epitaxial growth)能生長出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區(qū)域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
的標(biāo)準(zhǔn)表面工藝發(fā)展：由于機(jī)械結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，僅采用單層結(jié)構(gòu)往往不能制備出所需構(gòu)件，多層化是表面硅MEMS工藝必然的發(fā)展趨勢。美國的MUMPs是典型的民用標(biāo)準(zhǔn)表面工藝線，該工藝可以實(shí)現(xiàn)多達(dá)4層的犧牲層和多晶硅層
2018-11-05 15:42:42
請(qǐng)問各大神硅光電池在AD里有現(xiàn)有的元器件庫嗎
2016-05-08 21:08:45
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
采用EEPROM 工藝設(shè)計(jì)通用陣列邏輯器件——遇到的問題與解決方案深圳市國微電子股份有限公司 裴國旭電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）工藝可廣泛運(yùn)用于各種消費(fèi)產(chǎn)品中，像微
2009-12-14 11:41:35
51 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2440 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54539 ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精
2010-01-23 09:32:32795 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 濟(jì)寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461043 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 1月9日晚間，國星光電(002449)發(fā)布公告，宣布投資10億擴(kuò)產(chǎn)新一代LED封裝器件及配套外延芯片。
2019-01-14 15:05:403112 看到一些新聞，表示某國高科技企業(yè)開發(fā)了一種新型襯底材料，與GaN晶格匹配，可以良好生長GaN。(備注：GaN體單晶制備難度非常大，因此此處所提的GaN是外延層，此處暴露了外延層存在的意義之一
2021-01-11 11:18:0823512 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變?cè)囼?yàn)設(shè)計(jì)的“世界觀”。基板襯底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:444802 本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機(jī)物，此外，該過程是在原位進(jìn)行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗罐。結(jié)果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:49559 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:426159 
通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210569 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342703 
列陣探測器引起了人們的廣泛關(guān)注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對(duì)碲鎘汞p型摻雜與激活進(jìn)行專項(xiàng)研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進(jìn)行摻雜，As很難占據(jù)Te位，一般作為間隙原子或者占據(jù)金屬位，
2023-09-26 09:18:14284 
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2023-11-03 09:42:540 半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281513 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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