功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計算所需的重要說明.
2022-05-19 09:08:06
9055 
恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:542960 假定我們設(shè)計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運(yùn)行。假定MOSFET的結(jié)到外殼的熱阻為3K/W，那么我們?nèi)绾未_定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:086324 
。對于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和 650 V GaN 功率場效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK 封裝，可以提供更佳散熱性能。
2022-08-30 11:25:511297 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)，來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。源極底置是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:081494 器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設(shè)計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用，特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 ? 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK
2022-11-21 15:54:18541 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-29 03:28:004586 
全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松 簡化設(shè)計和制造，同時保證性能 ? 荷蘭埃因霍溫 ——2023 年 6 月 9 日 —— 恩智浦半導(dǎo)體
2023-06-09 15:13:22526 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431205 
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來
2023-12-01 14:11:45406 
AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝，可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的散熱性能，提供可靠性更高的設(shè)計 日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega
2024-01-25 15:18:42617 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
0805封裝尺寸/0402封裝尺寸/0603封裝尺寸/1206封裝尺寸封裝尺寸與功率關(guān)系：0201 1/20W0402 1
2008-07-02 14:05:50
用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
設(shè)計是選取封裝最基本的要求不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升
2017-11-15 08:14:38
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅(qū)動電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
。通過摻雜或離子注入，可以實(shí)現(xiàn)任何所需的閾值電壓。 功率MOSFET具有較大的輸入、反向和輸出電容，可超過10nF，因此快速開關(guān)需要相當(dāng)大的峰值電流。重要的是要注意，在從關(guān)閉到打開和反向切換期間
2023-02-20 16:40:52
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
的電感僅為0.5 nH，功耗降至0.1 W以下。更低的封裝電感也可有助于避免MOSFET在快速瞬變條件下，因源端管腳電感導(dǎo)致的誤打開。另一個與封裝相關(guān)的課題是散熱問題。采用改進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)封裝或選用新型封裝
2018-12-07 10:21:41
器件導(dǎo)線和封裝各個面散發(fā)出去。只有不到 1% 的熱量通過封裝頂部散發(fā)。就這些裸焊盤式封裝而言，良好的 PCB 散熱設(shè)計對于確保一定的器件性能至關(guān)重要。圖 1 PowerPAD 設(shè)計 可以提高
2018-09-12 14:50:51
地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時有助于器件冷卻，并提高器件可靠性?！ ‘?dāng)今的功率MOSFET封裝 采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1
2018-09-12 15:14:20
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
，個人感覺很不錯。基本參數(shù)：4A/50V/32細(xì)分。封裝：HSSOP36，大功率封裝，改善了東芝之前QFN封裝產(chǎn)品焊接難的問題。散熱窗朝上，安裝散熱片非常方便導(dǎo)通電阻：0.49Ω。耗散功率相對于之前的產(chǎn)品
2016-10-25 10:13:51
TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標(biāo)準(zhǔn)的序號。常見的TO-247AC和TO-247AD應(yīng)該都是vishay的名稱。TO-247封裝尺寸介于模塊與單管之間，能封裝大部分
2020-09-24 15:57:31
的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。<
2009-01-07 16:01:44
sot-23封裝尺寸/標(biāo)準(zhǔn)尺寸圖 SOT-23封裝圖
2008-06-11 14:34:29
今的高密度和高復(fù)雜度的系統(tǒng)中日漸流行，設(shè)計精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。
把熱量從封裝頂部引至空氣中
高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入
2019-07-22 06:43:05
) 的 TI SMD MOSFET，實(shí)現(xiàn)小外形尺寸和高效率的解決方案。通過在全橋功率級的每個橋臂上并聯(lián)使用兩個器件，該功率級消除了散熱器需求，從而降低了總體系統(tǒng)成本。主要特色專為 100VA 至 850VA
2018-10-18 15:10:58
不太理解封裝的含義，封裝是否表示一個標(biāo)準(zhǔn)，一個封裝有且僅對應(yīng)一中器件尺寸。比如說LM7815的封裝是TO-220，另外一個3端元件的封裝也是TO-220，那么這兩個封裝表示焊盤尺寸大小是否是一樣的，兩個封裝可以互換嗎？
2015-03-31 09:45:36
`目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
設(shè)計是選取封裝最基本的要求不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和系統(tǒng)
2019-04-04 06:30:00
將 MOSFET 和電感器的熱量傳導(dǎo)到封裝頂部，這是非常有用的，可以將封裝內(nèi)部的熱量從封裝頂部快速傳遞到封裝外部，并最終傳遞到空氣中，這種散熱器是一種冷卻板或稱無源散熱器。不過，這種方法適用于尺寸
2018-10-16 06:10:07
相位節(jié)點(diǎn)軌道長度 卓越的散熱性能，雙重冷卻 CSD885x電源模塊采用DualCool?封裝，可在封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱，從而將熱量從電路板上散開，提供出色的散熱性能，并提高在5mm×6mm封裝中的功率
2018-10-19 16:35:33
封裝頂部快速傳遞到封裝外部，并最終傳遞到空氣中，這種散熱器是一種冷卻板或稱無源散熱器。不過，這種方法適用于尺寸和電流都較小的電感器，這種電感器很容易放入塑料模制封裝中。功率較大的 POL 穩(wěn)壓器需要
2018-10-16 06:31:24
` 本帖最后由 wangka 于 2011-9-23 17:23 編輯
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難
2011-09-23 17:22:52
線路相對簡單，散熱結(jié)構(gòu)完善，物理特性穩(wěn)定。所以說，大功率LED器件代替小功率LED器件成為主流半導(dǎo)體照明器件的必然的。但是對于大功率LED器件的封裝方法并不能簡單地套用傳統(tǒng)的小功率LED器件的封裝方法
2013-06-10 23:11:54
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產(chǎn)生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達(dá)到10%一
2013-06-08 22:16:40
，需要使用三個半橋（六個MOSFET）組成一個三相逆變器。使用TI的采用堆疊管芯架構(gòu)的CSD88584Q5DC 和CSD88599Q5DC電源模塊（小型無引線（SON），5mm×6mm封裝），您可通過
2018-07-18 16:30:55
。系統(tǒng)中需要考慮的因素包括可能會影響分析器件溫度、系統(tǒng)空間和氣流設(shè)計/限制條件等其他一些印刷電路板功率器件。散熱管理要考慮的三個層面分別為：封裝、電路板和系統(tǒng)。低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性
2021-04-07 09:14:48
。系統(tǒng)中需要考慮的因素包括可能會影響分析器件溫度、系統(tǒng)空間和氣流設(shè)計/限制條件等其他一些印刷電路板功率器件。散熱管理要考慮的三個層面分別為：封裝、電路板和系統(tǒng)。低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性
2022-07-18 15:26:16
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2021-01-11 16:14:25
中日漸流行，設(shè)計精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非
2018-10-24 09:54:43
調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非隔離式降壓POL調(diào)節(jié)器中，器件
2018-10-24 10:38:26
3W以上的功率。但是通過適當(dāng)?shù)厥褂?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，這些DualCool器件可以處理6W或更多的功耗，功率密度翻了一倍，而PCB占用面積減少了一半。如今，在電動工具、園林工具及電池供電的家用電器中推出更受歡迎
2017-08-21 14:21:03
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
電阻技術(shù)可以做到很高的功率，但是溫飄和穩(wěn)定性一般。為提供更高性能產(chǎn)品，開步電子推出的一種基于薄膜技術(shù)的電阻，該電阻采用TO/SOT封裝，根據(jù)不同的功率采用氧化鋁或氮化鋁基板，改良了溫飄和穩(wěn)定性，同時也
2019-04-26 11:55:56
升效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動時間及軟啟動前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設(shè)計可通過夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
最近需要做PCB封裝庫，需要知道標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸信息，比如0402電阻的長寬分別為1mm和0.5mm，那么還有其他很多的封裝尺寸比如SOT、SOP、SOJ等等的標(biāo)準(zhǔn)尺寸，不知道在哪里找，所以想問問大家
2022-08-18 22:40:15
村田電感 1008（2520）的封裝尺寸，AD畫封裝找不到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。請大佬給我兩個焊盤的尺寸
2019-01-12 12:26:03
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，通?？梢栽龃?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
，通過電源模塊節(jié)省PCB尺寸可大大節(jié)省PCB成本。 具有低寄生效應(yīng)的清潔MOSFET開關(guān)圖2所示為功率級PCB設(shè)計中由元件引線和非優(yōu)化布局引起的寄生電感和電容。這些PCB寄生效應(yīng)會導(dǎo)致電壓振鈴，從而導(dǎo)致
2019-03-19 06:45:07
MOSFET的典型相位節(jié)點(diǎn)軌道長度卓越的散熱性能，雙重冷卻CSD885x功率塊采用DualCool?封裝，可在封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱，從而將熱量從電路板上散開，提供出色的散熱性能，并提高在5mm×6mm封裝中可
2019-03-05 06:45:07
電流強(qiáng)度的隔離式柵極驅(qū)動器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，從而提高效率，從而改善新的電動汽車型號的驅(qū)動范圍。符合 TI 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅(qū)動器附帶大量設(shè)計支持工具，可幫助實(shí)現(xiàn)。
2022-11-02 12:02:05
esata封裝尺寸標(biāo)準(zhǔn)資料
2010-04-08 15:59:57
73 文章論述了大功率LED封裝中的散熱問題，說明它對器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對光效和壽命的影響。對封裝及應(yīng)用而言，
2010-10-22 08:53:33136 小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441420 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)
2010-01-14 09:01:43654 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:57667 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:22828 
恩智浦推出符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET系列產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝
2010-04-24 10:49:08860 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列，該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻，可用于各種照明應(yīng)
2010-07-27 10:42:191938 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 本內(nèi)容詳細(xì)介紹了常用元器件封裝標(biāo)準(zhǔn)尺寸，比較完整的分析了常用元器件封裝標(biāo)準(zhǔn)尺寸的問題，歡迎大家下載
2011-07-22 11:26:341233 TE Connectivity 中的TE繼電器部門，最近推出了一款創(chuàng)新型小尺寸功率繼電器，用于現(xiàn)代光伏發(fā)電系統(tǒng)的光伏逆變器中
2011-10-26 14:08:46960 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 電子發(fā)燒友網(wǎng)： 本文主要講述了小尺寸功率 MOSFET 及 Schottky二極管 封裝在 汽車電子 中的應(yīng)用。在這里，小編給大家稍微介紹一下，該文中主要涉及的幾個概念： 1.MOSFET：金屬-氧化層
2012-06-11 10:18:462139 
的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。
2015-09-01 09:02:501242 電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0211789 
9月20日，重慶日報記者從重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱重慶萬國）獲悉，全國首個12英寸功率半導(dǎo)體項目已經(jīng)完成封裝測試，預(yù)計10月份正式在渝投產(chǎn)。
2018-09-21 14:47:003369 Vishay推出一款全新AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的厚膜功率電阻器---LTO 150，采用夾片式TO247封裝，可直接安裝到散熱器上。
2018-07-30 16:57:256236 視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161650 
新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。
2022-11-17 14:13:082932 電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5 mm x 7 mm，在頂部有一個16.5? mm 2 的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)
2022-11-22 19:05:10462 。對于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和650 V GaN功率場效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK封裝，可以提供更佳散熱性能。
2023-02-09 09:32:44363 
未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小
2023-03-10 21:50:04798 為了應(yīng)對相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-13 16:54:252876 
摘要：散熱設(shè)計是芯片封裝設(shè)計中非常重要的一環(huán)，直接影響芯片運(yùn)行時的溫度和可靠性。芯片內(nèi)部封裝材料的尺寸參數(shù)和物理特性對芯片散熱有較大影響，可以用芯片熱阻或結(jié)溫的高低來衡量其散熱性能的好壞。通過
2023-04-14 09:23:221127 
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢外，還具有明顯的散熱優(yōu)勢，因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率（通常在100~210W/mk之間），因此最常用的散熱器是鋁制的。
2023-04-14 09:28:371076 貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。
2023-05-06 11:52:43389 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39988 
雖然穩(wěn)壓器模塊的額定功率和轉(zhuǎn)換效率都在不斷提升，然而對其的預(yù)期尺寸卻正在不斷減小。因此，有效散熱依然是設(shè)計上的一大挑戰(zhàn)。本博客文章討論了Flex Power Modules旗下產(chǎn)品的一些散熱設(shè)計選項。
2023-11-24 12:46:49354 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論