功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:241182 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 。這兩個(gè)參數(shù)可以通過如下兩個(gè)公式獲得，重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，與功耗溫度曲線密切相關(guān)的重要參數(shù)熱阻，是材料和尺寸或者表面積的函數(shù)。隨著結(jié)溫的升高，允許的功耗會(huì)隨之降低。根據(jù)最大結(jié)溫和熱阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34:11
用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
情況不同，所以 MOSFET有時(shí)也被稱為表面場(chǎng)效應(yīng)管?！ ?.1.3 RD：漂移層電阻，主要是外延層中的電阻。一般做功率MOSFET都采用外延片。所謂外延片即在原始的低阻襯底（SUBSTRATE）硅片上
2019-06-14 00:37:57
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET的安全工作區(qū)SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時(shí)安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET數(shù)據(jù)表都包括一組熱電阻數(shù)字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點(diǎn)。功率MOSFET數(shù)據(jù)表中提供的最常見的兩種熱電阻是結(jié)到環(huán)境和結(jié)到管殼的熱阻抗。結(jié)到管殼的熱電阻定義為“從半導(dǎo)體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
時(shí)的損耗：阻性關(guān)斷的損耗和上面過程相類似，二者相加，就是阻性開關(guān)過程中產(chǎn)生的總的開關(guān)損耗。功率MOSFET所接的負(fù)載、變換器輸出負(fù)載和變換器所接的輸出負(fù)載是三個(gè)完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
阻，減小熱阻。這種結(jié)構(gòu)是AOS的專利技術(shù)，目前AOS新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛的采用這種結(jié)構(gòu)，如AON6262E/AO4262E，就是采用這種技術(shù)，專門針對(duì)手機(jī)快沖QC的副邊同步整流SSR
2016-10-10 10:58:30
不用區(qū)分EAR和EAS，IAR和IAS。在雪崩曲線上更短的持續(xù)時(shí)間，可以使用時(shí)間來計(jì)算最大允許的雪崩電流，從平均功耗P和熱阻來估計(jì)初始的結(jié)溫TJ。正因?yàn)槿绱?，現(xiàn)在許多公司功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，不再標(biāo)示
2017-09-22 11:44:39
功率型LED熱阻測(cè)量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測(cè)量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
通常用熱阻的大小來描述。熱阻RT定義為每1W的集電極耗散功率使晶體管的結(jié)溫升高的度數(shù)，即 熱阻RT越小，散熱條件越好。功率管最大允許的管耗PCM與熱阻大小、工作環(huán)境溫度有關(guān)，即 式中，TjM表示PN結(jié)的最高允許結(jié)溫;Tα表示功率管的工作環(huán)境溫度。
2021-05-13 07:44:08
電流強(qiáng)度的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，從而提高效率，從而改善新的電動(dòng)汽車型號(hào)的驅(qū)動(dòng)范圍。符合 TI 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅(qū)動(dòng)器附帶大量設(shè)計(jì)支持工具，可幫助實(shí)現(xiàn)。
2022-11-02 12:02:05
壓分別從12.6V，19.1V下降到 6.07V，7.5V；導(dǎo)通損耗下降到常規(guī)MOSFET的1/2和1/3。由于導(dǎo)通損耗的降低，發(fā)熱減少，器件相對(duì)較涼，故稱COOLMOS。 2、封裝的減小和熱阻的降低
2023-02-27 11:52:38
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應(yīng)越明顯，因熱效應(yīng)而導(dǎo)致的問題也突顯出來，例如，芯片高溫的紅移現(xiàn)象；結(jié)溫
2015-07-29 16:05:13
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
器件的系統(tǒng)時(shí)，電路設(shè)計(jì)人員應(yīng)該注意以下的熱因素： l 即使完全打開，MOSFET也會(huì)因?yàn)镮2.R而耗散功率。（RDS（on）為器件導(dǎo)通電阻） l I2.RDS（on）損失將導(dǎo)致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55
影響。Figure 1： TPS543820 Thermal Information因此，我們需要對(duì)項(xiàng)目中重點(diǎn)電源器件進(jìn)行實(shí)際熱阻測(cè)量，尤其是在高溫應(yīng)用場(chǎng)景下，以避免設(shè)計(jì)問題導(dǎo)致的芯片可靠性降低甚至無法正常工作。板上
2022-11-03 06:34:11
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
請(qǐng)教各位大蝦一個(gè)問題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān)，需要能夠應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的市場(chǎng)的新型驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
的驗(yàn)證◇ 接觸熱阻的測(cè)量 ◇ 熱界面材料（TIM）的測(cè)量 — DynTIM 大功率 ◇ T3Ster在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的應(yīng)用 △ 英飛凌利用T3Ster, 按照J(rèn)ESD51-14測(cè)試MOSFET
2013-01-08 15:29:44
作用導(dǎo)致反向工作時(shí)的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
，最大功率是208WRjc是0.6℃/W降額曲線圖的公式P=（Tj-Tc）/RjcTa≥25℃，P=PmaxTc＜25℃。2、加了散熱器但是散熱器是有限的情況，并且接觸MOSFET與散熱器接觸是有熱阻的情況
2021-09-08 08:42:59
RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25℃的情況下，管子能承受的功率：，P
2021-09-01 17:10:32
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
減少開關(guān)損耗。 圖2全部絕對(duì)最大電流和功率數(shù)值都是真實(shí)的數(shù)據(jù) 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實(shí)際上，我們可以把MOSFET選型分成四個(gè)步驟。 選好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況
2019-09-04 07:00:00
大家上午好！該系列視頻為開關(guān)電源免費(fèi)教程，今天講解MOS管的熱阻。持續(xù)關(guān)注，我們會(huì)持續(xù)更新！大家有關(guān)于開關(guān)電源以及工作中遇到的關(guān)于電源相關(guān)的難題，都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
的熱阻，熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系。LED燈具作為新型節(jié)能燈具在照明過程中只是將30-40%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高
2015-07-27 16:40:37
的RDS（ON）與它的結(jié)溫（TJ）有關(guān)。話說回來，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個(gè)著眼點(diǎn)。由于功率耗散的計(jì)算涉及到若干個(gè)相互依賴的因素，我們
2023-03-16 15:03:17
邏輯電平驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET，通常驅(qū)動(dòng)電壓是5V，這種電平驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET得到廣泛應(yīng)用的原因在于：低電平驅(qū)動(dòng)可以降低驅(qū)動(dòng)損耗，同時(shí)可以提高驅(qū)動(dòng)速度，適應(yīng)于非隔離的DCDC變換器高頻高效
2019-08-08 21:40:31
對(duì)功率模塊和功率級(jí)的定義解決舊問題的新方法本技術(shù)文章的目的是說明TI如何為單個(gè)分立FET與集成功率模塊指定SOA的差異。如早期技術(shù)文章中所述，TI的分立功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的SOA曲線適用于
2019-07-30 22:47:52
結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達(dá)5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實(shí)現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護(hù)功能
2022-07-27 11:00:52
現(xiàn)在需要測(cè)IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系），然后將測(cè)試到的vce
2017-09-29 10:40:46
一端的溫度、T2為物體另一端熱源的溫度，P 為熱源的功率。適用于 一維、穩(wěn)態(tài)、無內(nèi)熱源的情況下的熱阻。在近似分析中，我們依然可以參照此式。 簡(jiǎn)單的說， 熱阻 Rth就是描述阻礙散熱的物理量，熱阻越大
2024-03-13 07:01:48
小白看排阻的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)于其功率不是很理解：比如0603*4的一個(gè)排阻，是指整個(gè)排阻的功率是1/16W呢？還是單個(gè)電阻的功率能達(dá)到1/16W？請(qǐng)知道的朋友幫忙指點(diǎn)指點(diǎn)
2015-01-19 21:19:31
鎖定一般的描述FP6180是巴克監(jiān)管機(jī)構(gòu)建立內(nèi)部功率MOSFET。它達(dá)到3連續(xù)輸出電流在一個(gè)寬輸入范圍提供優(yōu)秀的負(fù)載和行監(jiān)管。當(dāng)前模式操作提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)和緩解循環(huán)穩(wěn)定,設(shè)備包括逐周期限流和熱停堆
2020-11-09 15:55:21
400LFM。圖2b給出了電路板上表面和元件的溫度。具有較高溫度的元件是穩(wěn)壓器中的MOSFET?！ ‘?dāng)把每個(gè)關(guān)鍵元件組的最大溫度的仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)它們具有很好的一致性。 減少電路板走線
2018-11-22 16:26:17
功率損耗都是由這些開關(guān)管造成的。 所有MOSFET漏極端子的覆銅面積在頂層最大，在其它層盡可能做同樣大或更大，以改善向底層表面導(dǎo)熱的熱傳輸效率。通過這種方式，電路板的正面和背面都有助于空氣自然對(duì)流
2021-12-23 07:00:00
的RDS（ON）與它的結(jié)溫（TJ）有關(guān)。話說回來，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個(gè)著眼點(diǎn)。由于功率耗散的計(jì)算涉及到若干個(gè)相互依賴的因素，我們
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，同時(shí)降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
: BJT）組成的復(fù)合型器件，它既具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又具有BJT的電流密度大、飽和電壓低、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速
2015-12-24 18:13:54
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
逐年下降。然而， 傳統(tǒng)的熱釋電紅外傳感器只針對(duì)鉛型手工焊接貼裝，成了自動(dòng)化的瓶頸。 這次的研制品，適應(yīng)了這些市場(chǎng)需求，有利于自動(dòng)化而引起的成本降低，以及矮板設(shè)備的小型化、薄型化。 通過表面貼裝化
2018-11-19 16:48:31
1、結(jié)構(gòu) 第一個(gè)功率MOSFET - 與小信號(hào)MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市，主要供應(yīng)商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設(shè)備。MOSFET的特點(diǎn)是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
，器件結(jié)到環(huán)境的熱阻通常近似為：RqJA=RqJC+RqCA。熱阻確定了就可以用公式計(jì)算功率MOSFET的電流值連續(xù)漏極電流ID，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，計(jì)算ID的值相應(yīng)也會(huì)降低。裸露銅皮的封裝，使用RqJC
2016-08-15 14:31:59
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
電機(jī)熱功率應(yīng)該如何計(jì)算呢？
強(qiáng)制風(fēng)冷的選型如何選擇呢？和電機(jī)的熱功率又有什么樣的聯(lián)系呢？
2023-11-24 06:54:24
MOSFET的結(jié)構(gòu)高壓的功率MOSFET的外延層對(duì)總的導(dǎo)通電阻起主導(dǎo)作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時(shí)，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加
2011-08-17 14:18:59
不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及最大的結(jié)溫。器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻
2013-03-11 10:49:22
損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
TI新推高集成正弦波時(shí)鐘緩沖器可顯著降低成本，節(jié)省板級(jí)空間
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最小型 4 通道、低功耗、低抖動(dòng)正弦至正弦波時(shí)鐘緩沖器。作為正弦
2009-12-01 08:43:111111 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441420 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:49932 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出多核SoC顯著簡(jiǎn)化通信基礎(chǔ)局端設(shè)備的設(shè)計(jì)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款基于 TI 多核數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 的新型片上系統(tǒng) (SoC) 架構(gòu)，該架構(gòu)在業(yè)界性能最高
2010-02-23 16:46:14589 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環(huán)保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負(fù)載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435 
致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET
2016-01-05 18:01:421296 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 自2018年開始，功率MOSFET的平均售價(jià)持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度最顯著，已位居價(jià)格中的首位。
2019-07-05 14:52:445040 
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能降低
2022-11-30 15:28:282647 
的性能，限制了其在一些特定應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優(yōu)化器件結(jié)構(gòu) MOSFET的1/f噪聲來源于復(fù)雜的表面效應(yīng)。為了減小這種噪聲，可以從優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對(duì)于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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