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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>揭秘走在國產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

揭秘走在國產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

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中微愛芯攜手國芯思辰亮相慕尼黑華南電子展,助力芯片國產(chǎn)替代

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什么是刻蝕的選擇性?刻蝕選擇比怎么計算?受哪些因素的影響呢?

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半導(dǎo)體顯示器設(shè)備行業(yè)是技術(shù)集約型行業(yè),企業(yè)的技術(shù)儲備和技術(shù)開發(fā)能力是企業(yè)生存和發(fā)展的基礎(chǔ)。公司堅持顧客需求方向,不斷推陳出新,打破技術(shù)壁壘,持續(xù)自主研發(fā)創(chuàng)新,在半導(dǎo)體顯示器設(shè)備領(lǐng)域走在業(yè)界前列
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刻蝕工藝主要分為哪幾種類型 刻蝕的目的是什么?

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隔膜設(shè)備國產(chǎn)替代“升溫”

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英偉達a100有國產(chǎn)替代嗎?

英偉達a100有國產(chǎn)替代嗎? 目前尚未出現(xiàn)明確可替代英偉達A100的國產(chǎn)產(chǎn)品,但中國國內(nèi)的企業(yè)正在積極推進相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。例如,中國科技巨頭華為正在開發(fā)自主研發(fā)的AI芯片,其已發(fā)布的昇騰910
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現(xiàn)階段隔膜設(shè)備以進口方式為主,設(shè)備國產(chǎn)替代成為行業(yè)清晰的降本路徑。
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深度剖析刻蝕設(shè)備市場的興起與顛覆性創(chuàng)新

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2023-07-31 23:04:06442

國芯思辰| 國產(chǎn)鐵電PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于工業(yè)生產(chǎn)記錄儀

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-31 10:35:28494

比肩國際大廠,刻蝕設(shè)備會是率先實現(xiàn)國產(chǎn)替代的嗎?

的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中,都有所需的對應(yīng)設(shè)備,比如光刻所需的EUV、DUV光刻機,刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機,以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556

揭秘***:如何選擇適合的國產(chǎn)工控主板

在工控領(lǐng)域,選擇合適的工控主板是確保設(shè)備穩(wěn)定運行和系統(tǒng)集成成功的關(guān)鍵一環(huán)。國產(chǎn)工控主板作為國內(nèi)市場發(fā)展的重要一部分,其選購要領(lǐng)需要綜合考慮多個因素,以滿足項目需求并保證產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。本文將介紹國產(chǎn)工控主板的選購要領(lǐng),幫助用戶更好地選擇適合的主板。
2023-07-28 14:25:24485

國芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力光伏儲能

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-27 10:44:09565

國芯思辰|國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油機

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-25 10:31:33590

國芯思辰|國產(chǎn)鐵電存儲器?PB85RS2MC可替代富士通用于運動控制板

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-22 10:30:38410

首臺國產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機發(fā)布

Accura BE作為國產(chǎn)首臺12英寸晶邊刻蝕設(shè)備,其技術(shù)性能已達到業(yè)界主流水平?!?Accura BE通過軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化和特有傳輸平臺的結(jié)合,可以提升客戶的產(chǎn)能。
2023-07-19 16:50:011140

北方華創(chuàng)發(fā)布首臺國產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕

據(jù)介紹,在器件制造過程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機械拋光等工藝步驟的大幅增長,在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風險成為產(chǎn)品良率的嚴重威脅。
2023-07-19 15:02:26607

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214

薩科微,半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”大有可為

薩科微半導(dǎo)體副總經(jīng)理和俊駒說,半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”大有可為,薩科微slkor研發(fā)生產(chǎn)的IGBT管、碳化硅場效應(yīng)管的市場會越來越大!國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如薩科微的TVS二極管
2023-07-06 14:16:42354

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕,因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動,從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

國芯思辰|替代AD9231BCPZ,國產(chǎn)12位SC1232用于數(shù)字射頻接收器

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-19 10:30:13734

半導(dǎo)體前端工藝:刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

在半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177

先鋒精科IPO獲受理!主打刻蝕設(shè)備關(guān)鍵零部件,中微公司為第一大客戶

刻蝕和薄膜沉積設(shè)備細分領(lǐng)域關(guān)鍵零部件的精密制造專家,亦是國內(nèi)少數(shù)已量產(chǎn)供應(yīng)7nm及以下國產(chǎn)刻蝕設(shè)備關(guān)鍵零部件的供應(yīng)商。本次先鋒精科將公開發(fā)行不超過5059.50萬股股票,募集7億元資金,用于靖江精密裝配零部件制造基地擴容升級項目等。 天眼查顯
2023-06-14 00:45:001555

國芯思辰 |國產(chǎn)8位MCU TM52F1363在電陶爐中的應(yīng)用方案

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-12 09:50:48969

重點闡述濕法刻蝕

光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320

國芯思辰|國產(chǎn)Σ-Δ型ADC SC1644可替代AD7173用于電磁流量計

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-05 11:19:13561

國芯思辰|可替代英飛凌、安森美,國產(chǎn)碳化硅用于新能源充電樁

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-05 09:26:54425

國芯思辰 |替代AD7606,國產(chǎn)16位ADC SC1467在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-02 10:28:12641

國芯思辰|國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可替代FM25V20A用于心電圖機中

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-05-31 14:17:38259

國芯思辰 |基于無線收發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計可使用GC0801,可替代AD9361

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-05-31 10:42:50400

國芯思辰 |替代AD811JRZ,國產(chǎn)SC7301用于視頻線路驅(qū)動器

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-05-30 10:53:48497

金屬濕法刻蝕

但是,HCl為基體的刻蝕溶液,會嚴重地侵蝕Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體,而且對Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461

STM32系列國產(chǎn)替代GD32芯片選型手冊

STM32系列國產(chǎn)替代GD32芯片選型手冊
2023-05-22 16:39:019

一文讀懂讀透 半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機。而隨著NAND閃存進入3D、4D時代,要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從25%提至50%。
2023-05-22 12:50:532158

國芯思辰 |SC1641模數(shù)轉(zhuǎn)換器替代AD7793在溫控設(shè)備中的應(yīng)用

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-05-20 09:51:11362

國產(chǎn)GM8775C是MIPI轉(zhuǎn)雙路LVDS替代TC358775XBG

國產(chǎn)GM8775C是MIPI轉(zhuǎn)雙路LVDS替代TC358775XBG
2023-05-18 15:25:41752

連接器下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,國產(chǎn)替代空間廣闊

連接器是構(gòu)成系統(tǒng)連接的基礎(chǔ)元件,下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,國產(chǎn)替代空間廣闊連接器是構(gòu)成完整系統(tǒng)連接所必須的基礎(chǔ)元件。連接器(connector),即連接兩個有源器件的器件。它是電子系統(tǒng)設(shè)備之間電流或光信號
2023-05-05 16:47:33491

國產(chǎn)工控主板優(yōu)勢大揭秘

主板的性能特點。 國產(chǎn)工控主板主要應(yīng)用于儀表設(shè)備、自助終端設(shè)備等具有特定功能的設(shè)備上。這些設(shè)備需要長時間穩(wěn)定工作,不需要經(jīng)常更新。國產(chǎn)工控主板有以下特點: 1、安全的數(shù)據(jù)保護 國產(chǎn)主板搭載銀河麒麟國產(chǎn)操作系統(tǒng),這
2023-05-05 14:17:35493

國產(chǎn)替代新突破 中軟國際推出首款自研智聯(lián)硬件產(chǎn)品工業(yè)中控屏

為順應(yīng)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備國產(chǎn)替代趨勢,中軟國際日前基于自主國產(chǎn)軟硬一體平臺打造出公司首款自研智聯(lián)產(chǎn)品——工業(yè)中控屏,并正式對外發(fā)布。該產(chǎn)品可應(yīng)用在智慧工業(yè)、智慧能源、智能監(jiān)控、智慧港口、智慧消防、智慧物流、智慧服務(wù)類等行業(yè)領(lǐng)域,大型設(shè)備控制或者含有多類部件的生產(chǎn)工段控制
2023-04-28 11:11:22754

成都匯陽投資關(guān)于四重邏輯共振,繼續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備投資機會!

來看 ,半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn) 化率仍處于低位 ,對于量/檢測 、涂膠顯影 、離子注入設(shè)備等 ,我們預(yù)估 2022 年國產(chǎn)化率仍低于 10%, 國產(chǎn)替代空間較大 。在技術(shù)層面上 , 國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在薄膜沉積 、刻蝕 、量/檢測 、CMP、清洗等領(lǐng)域均已具備一定先進制程設(shè)備技術(shù)
2023-04-17 13:07:06536

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922

國產(chǎn)替代:高磁導(dǎo)率電磁波抑制吸波材料

關(guān)鍵詞:EMC,EMI,抑磁吸波,高端國產(chǎn)替代材料導(dǎo)語:隨著電子設(shè)備的性能和功能的提高,每個設(shè)備產(chǎn)生的熱量增加,有效地散發(fā),消散和冷卻熱量很重要。對于5G智能手機和AR/VR設(shè)備等高性能移動
2023-04-13 15:09:09636

薩科微半導(dǎo)體:“國產(chǎn)替代”的首選!設(shè)計產(chǎn)品電控方案

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司銷售總監(jiān)丘輝林介紹,薩科微slkor近來發(fā)展迅速,是牢牢抓住電子元器件“國產(chǎn)替代”的歷史發(fā)展機遇,在目前國產(chǎn)半導(dǎo)體“缺芯少魂”的大背景下,具有獨立研發(fā)能力和技術(shù)儲備
2023-04-12 14:03:16372

國產(chǎn)電流傳感器的國產(chǎn)替代趨勢

隨著國內(nèi)工業(yè)化進程的不斷加速,電流傳感器作為工業(yè)自動化領(lǐng)域中的重要組成部分,其國產(chǎn)替代趨勢也越來越明顯。 首先,隨著國內(nèi)技術(shù)的不斷進步,國產(chǎn)電流傳感器的性能不斷提高,質(zhì)量不斷改善,成本不斷降低,從而
2023-04-12 11:22:271037

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

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