0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

工信部就干法刻蝕設備測試方法等行業(yè)標準公開征集意見

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-16 17:04 ? 次閱讀

據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息,工信部公開征集了《半導體設備 集成電路制造用干法刻蝕設備測試方法》等196個行業(yè)標準、1個行業(yè)標準外文版、38個推薦性國家標準計劃項目的意見。根據(jù)標準化工作的總體安排,公信部將公布目前申請項目批準的《半導體設備 集成電路制造用干法刻蝕設備測試方法》等196個行業(yè)標準,《雪蓮養(yǎng)護貼》等1個行業(yè)標準外文版項目和《環(huán)境污染防治設備術語》等38個推薦性國家標準計劃項目。截止日期為2023年12月16日。

wKgZomVV2xeAaTpwAAMMwfHJ41c091.png

其中《半導體設備 集成電路制造用干法刻蝕設備測試方法》對主要起草單位中國電子科技集團公司第48研究所、中國電子技術標準化研究院、湖南楚微半導體科技有限公司,中芯國際集成電路制造有限公司,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,中微半導體設備(上海)有限公司,合肥晶合集成電路股份有限公司等。

wKgZomVV2x2AAWwNAAGPOLDOaQA636.png
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5388

    文章

    11547

    瀏覽量

    361860
  • 工信部
    +關注

    關注

    2

    文章

    543

    瀏覽量

    35539
  • 半導體設備
    +關注

    關注

    4

    文章

    342

    瀏覽量

    15102
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    半導體濕法和干法刻蝕

    什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學方法對材料進行選擇性的去除,從而實現(xiàn)設計的結構圖形的一種技術。蝕刻是半導體制造及微納加工工藝中相當重要的步驟,自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在,在微電子學和半導體領域
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:03 ?207次閱讀
    半導體濕法和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    干法刻蝕時側壁為什么會彎曲

    離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學作用相結合的過程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中,離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側壁的不同位置存在差異,那么
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:13 ?159次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>時側壁為什么會彎曲

    芯片制造中的濕法刻蝕干法刻蝕

    在芯片制造過程中的各工藝站點,有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點殘留物去除掉,“刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 12-16 15:03 ?366次閱讀
    芯片制造中的濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

    本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法
    的頭像 發(fā)表于 12-06 11:13 ?273次閱讀
    芯片制造過程中的兩種<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>方法</b>

    干法刻蝕側壁彎曲的原因及解決方法

    本文介紹了干法刻蝕側壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時,側壁彎曲的樣子,側壁為凹形或凸形結構。而正常的側壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。 ?什么原因?qū)е铝藗缺?/div>
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:00 ?232次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>側壁彎曲的原因及解決<b class='flag-5'>方法</b>

    晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?278次閱讀
    晶圓表面溫度對<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的影響

    干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

    ? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學反應速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度梯度
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:56 ?394次閱讀

    為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

    本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),并不是只有半導體制造或工業(yè)領域中才會有等離子體
    的頭像 發(fā)表于 11-16 12:53 ?243次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>又叫低溫等離子體<b class='flag-5'>刻蝕</b>

    半導體干法刻蝕技術解析

    主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術,其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應離子的電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)和電感耦合等離子體
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:20 ?613次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>技術解析

    半導體芯片制造技術之干法刻蝕工藝詳解

    今天我們要一起揭開一個隱藏在現(xiàn)代電子設備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘,更是一次對半導體芯片制造藝術的奇妙之旅。
    的頭像 發(fā)表于 08-26 10:13 ?1396次閱讀
    半導體芯片制造技術之<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>工藝詳解

    推進衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)改革

    正積極有序推進衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務準入制度改革;8月6日印發(fā)《關于創(chuàng)新信息通信
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:19 ?1270次閱讀

    修訂鋰電池行業(yè)規(guī)范條件 強化產(chǎn)品質(zhì)量和循環(huán)壽命

     據(jù)悉,為了推動鋰離子電池行業(yè)向更高層次發(fā)展,工業(yè)和信息化電子信息司已對現(xiàn)行的《鋰離子電池行業(yè)規(guī)范條件》和《鋰離子電池行業(yè)規(guī)范公告管理辦法》進行了修改并
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:01 ?370次閱讀

    等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

    刻蝕可以分為濕法刻蝕干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于
    的頭像 發(fā)表于 04-12 11:41 ?5058次閱讀
    等離子<b class='flag-5'>刻蝕</b>ICP和CCP優(yōu)勢介紹

    干法刻蝕常用設備的原理及結構

    。常見的干法刻蝕設備有反應離子刻蝕機(RIE)、電感耦合等離子體刻蝕機(ICP)、磁性中性線等離子體刻蝕機(NLD)、離子束
    的頭像 發(fā)表于 01-20 10:24 ?7564次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>常用<b class='flag-5'>設備</b>的原理及結構

    第五批電池回收白名單正式出爐

    為引導產(chǎn)業(yè)發(fā)展、樹立標桿效應,綜合評審相關企業(yè)的技術、環(huán)保和安全狀況,2023年11月,部發(fā)布就符合《新能源汽車廢舊動力蓄電池綜合
    的頭像 發(fā)表于 01-18 16:28 ?1209次閱讀
    第五批電池回收白名單正式出爐