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干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-02 09:56 ? 次閱讀
本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。

干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用?

1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度

晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學反應速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性

溫度梯度:晶圓表面不同區(qū)域的溫度由于加熱器分布不均可能會有差異,導致局部區(qū)域刻蝕速率不同,從而影響刻蝕均勻性。

2,氣體:氣體化學組成,氣體比例,氣體流量

氣體化學組成:干法刻蝕的腔室中可以選擇的氣體多達20種,通過調(diào)整化學成分實現(xiàn)不同的刻蝕性能

氣體比例:不同氣體的分壓比可以改變選擇比和刻蝕形貌。

氣體流量:控制腔室內(nèi)的反應氣體和刻蝕產(chǎn)物的停留時間,濃度等,從而影響刻蝕速率。

3,射頻功率:總射頻功率,多頻RF組合

總射頻功率:決定了等離子體的能量水平,影響離子轟擊的強度。

多頻RF組合:通過調(diào)節(jié)低頻和高頻的配比,實現(xiàn)更優(yōu)的刻蝕效果。高頻可以提高等離子體密度,低頻可以增強離子的方向性和能量。

4,脈沖:射頻功率脈沖,氣體脈沖

射頻功率脈沖:調(diào)節(jié)占空比和頻率,可以用來優(yōu)化刻蝕速率和選擇比。

氣體脈沖:控制氣體流量的周期性變化,用于改善刻蝕均勻性。

5,其他:刻蝕時間,工藝腔壓力等

刻蝕時間:直接決定刻蝕深度

工藝腔壓力:控制等離子體的密度、化學反應速率和離子的轟擊能量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:干法刻蝕工藝參數(shù)匯總

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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