富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作，共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計(jì)劃，旨在推動(dòng)AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進(jìn)程。該計(jì)劃將于4月1日正式啟動(dòng)，將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合，為運(yùn)行在本地大型機(jī)和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35
222 富士通株式會(huì)社（以下簡稱“富士通”）發(fā)布了最新的集團(tuán)人工智能（AI）戰(zhàn)略，聚焦深化人類與AI之間的協(xié)作，并提出了將AI作為“可信賴的助手”這一愿景，為提升人類生產(chǎn)力與創(chuàng)造力提供全方位支持。
2024-02-21 17:09:10378 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
與主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10744 中，電感作為關(guān)鍵元件之一，為存儲和讀取數(shù)據(jù)提供支持。本文將詳細(xì)介紹電感在磁性存儲器中的作用，包括其原理、構(gòu)造、性能和優(yōu)點(diǎn)等方面，旨在為讀者提供全面而深入的了解。 首先，我們來了解一下電感的基本原理。電感是由一個(gè)或多
2024-01-30 16:18:14525 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51518 
我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將
詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，由日本理化學(xué)研究所（RIKEN）和富士通聯(lián)合開發(fā)的 超級計(jì)算機(jī)“富岳（Fugaku）” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS（廣度優(yōu)先搜索）等多個(gè)
2023-11-29 17:10:02228 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 11月15日-19日，第二十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡稱“高交會(huì)”）在深圳會(huì)展中心拉開帷幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司CEO汪波先生受邀出席本次高交會(huì)
2023-11-20 17:10:03178 
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 隨著全球各地監(jiān)管政策的出臺，對于企業(yè)環(huán)境、社會(huì)和治理（ESG）相關(guān)指標(biāo)的披露也愈發(fā)嚴(yán)格。與此同時(shí)，來自客戶需求及外部環(huán)境的變化也為企業(yè)推動(dòng)合規(guī)層面的積極變革創(chuàng)造
2023-11-13 17:15:02193 MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 單片機(jī)的存儲器主要有幾個(gè)物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個(gè)存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 本月，富士通與日本理化學(xué)研究所（RIKEN）宣布，在RIKEN RQC-Fujitsu合作中心成功開發(fā)出了 新型 64 量子位超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī) 。理化學(xué)研究所于今
2023-10-27 09:15:02168 
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區(qū)（ZW），實(shí)現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內(nèi)容正常運(yùn)行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
設(shè)定啟動(dòng)存儲器為主存擴(kuò)展（AP模式）主要闡述有AP mode功能的MCU設(shè)定啟動(dòng)程序存儲區(qū)為主存擴(kuò)展的方法及范例程序。
2023-10-24 07:49:44
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
據(jù)悉，還決定以目前市價(jià)約26億美元（約2.6萬億韓元）出售富士通持有的信子50%的股份。貝恩資本、kkr、阿波羅全球管理公司和日本政府支持的投資公司日本投資公司等對投標(biāo)表現(xiàn)出了興趣
2023-10-18 10:19:57227 mcs-8051單片機(jī)的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
目前，日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展落后于中美兩國，但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計(jì)劃將量子計(jì)算機(jī)與超級計(jì)算機(jī)相結(jié)合，以提高計(jì)算能力。未來，富士通將會(huì)把量子計(jì)算機(jī)投入實(shí)際應(yīng)用，進(jìn)行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
與此同時(shí)，富士通還積極投身到全球各項(xiàng)可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動(dòng)項(xiàng)目當(dāng)中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(huì)(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(dòng)(PACT)，成功實(shí)現(xiàn)了整個(gè)供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB
2023-09-22 08:01:59496 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
存儲器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對保護(hù)內(nèi)部存儲器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023年中國國際服務(wù)貿(mào)易交易會(huì)（服貿(mào)會(huì)）近日在北京開幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司（以下簡稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會(huì)，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機(jī)總線富士通適配器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-10 14:32:28
0 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào) 富士通于昨日發(fā)布了2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2023財(cái)年第一季度整體營收為7,996億日元，較上一年度同期實(shí)現(xiàn)小幅增長
2023-07-28 17:15:01449 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報(bào)告》。該報(bào)告對來自全球9個(gè)國家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 片選提供了許多選項(xiàng)，可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng)，以允許連接到各種外部器件。存儲器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開始。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》。 8.5.1 使用外部16位存儲器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲器器件時(shí)，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動(dòng)“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會(huì)”，并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新，共建
2023-06-08 19:55:02296 
不同的內(nèi)存占用和分布，有關(guān)寄存器的詳細(xì)介紹，請參見《硬件用戶手冊》中的“選項(xiàng)設(shè)置存儲器”一章。 閃存選項(xiàng)寄存器在代碼閃存映射中占用一定空間。盡管寄存器位于RA MCU上保留閃存的一部分中，但是有些用戶可能會(huì)無意中將數(shù)據(jù)存儲在這些位置。用戶必
2023-06-08 17:00:04411 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通株式會(huì)社（以下簡稱“富士通”）與微軟公司（以下簡稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動(dòng)富士通
2023-06-05 19:45:01379 磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061411 ? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)、技能和知識提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng)，以推動(dòng)可持續(xù)轉(zhuǎn)型?！?b class="flag-6" style="color: red">富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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