MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無(wú)線射頻識(shí)別芯片

FUjitsu 嵌入FRAM的RFID LSI ：MB89R118C1-DIAP15-P1

最重要的特點(diǎn)就是內(nèi)嵌鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）符合ISO15693和ISO18000-3。
由于擦寫(xiě)速度快、耐擦寫(xiě)次數(shù)高，它們已經(jīng)作為數(shù)據(jù)載體型被動(dòng) RFID 芯片而被全世界廣泛采用。

主要優(yōu)點(diǎn)：

大容量存貯
UHF容量為4Kbytes
HF容量分別為256bytes、2Kbytes、8Kbytes

高速寫(xiě)入
高速寫(xiě)入可達(dá)到μS級(jí)，為EEPROM的1000倍以上。

高耐久性
擦寫(xiě)次數(shù)高達(dá)1萬(wàn)億次，靜態(tài)功耗小于1uA

耐放射線性
可承受CT掃描 X射線、用于消毒的紫外線和伽馬射線 、電子射線、鋼60等

嵌入式RF
具有無(wú)線和SPI 的雙接口。該產(chǎn)品可以通過(guò) SPI接口進(jìn)行快速處理，并且可以
在斷電期間使用無(wú)線接口讀取重要數(shù)據(jù)。

該產(chǎn)品增加了天線輸入電容以應(yīng)對(duì)標(biāo)簽的小型化。到目前為止，以存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快的特點(diǎn)，內(nèi)置FRAM的高頻段RFID在需要頻繁寫(xiě)入的工廠自動(dòng)化（Factory Automation，F(xiàn)A）相關(guān)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，利用FRAM的抗輻射特點(diǎn)，抗伽瑪射線的RFID標(biāo)簽在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域也得到廣泛關(guān)注。在醫(yī)療領(lǐng)域，內(nèi)置FRAM的RFID標(biāo)簽粘貼在需用25kGy（格雷）以上伽瑪射線滅菌的一次性醫(yī)療設(shè)備和容器等的上面。這種標(biāo)簽的最大好處是可在滅菌處理前粘貼到對(duì)象上，因?yàn)樵谫が斏渚€照射下，存儲(chǔ)在E2PROM中的數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而存儲(chǔ)在FRAM中的數(shù)據(jù)則不會(huì)受到影響。

RFID LSI陣容：

MB97R8110、MB97R8120、MB97R8050、MB89R112、MB89R118C、MB89R119B

審核編輯：湯梓紅