是2.7V-3.3V.項(xiàng)目測試過程中,發(fā)現(xiàn)在上電掉電的過程中,鐵電存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)無端的被改亂了,鐵電的數(shù)據(jù)被改的面貌全非。我們判斷是電壓低于2.7V時(shí),STM32G070在正常工作,但鐵電已經(jīng)工作異常了,此時(shí)修改了數(shù)據(jù)
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理,是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇,例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
RAM來維持它的運(yùn)行和使用,只有在保存相關(guān)文件時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶,RAM 是掉電不保存,而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32,768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造,訪問時(shí)間高達(dá)150 ns,功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
存儲(chǔ)中,鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能,可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中,如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32,768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造,訪問時(shí)間高達(dá)150 ns,功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了????AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn),工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機(jī)械設(shè)備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點(diǎn)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),提前預(yù)測可能發(fā)生的故障,并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施,以避免意外的系統(tǒng)停機(jī)。累積
2023-10-19 11:27:37
的非易失性存儲(chǔ)器,既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ),又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用,需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動(dòng)力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加,因此對于高性能非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求也越來越高,因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步,數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲(chǔ)器的需求增加,因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414 鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀,記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息,可以和最近測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對照,如果發(fā)生異常情況,監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等,它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù),但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
的信息不會(huì)丟失,且鋰電池還存在使用壽命的問題,所以當(dāng)使用了FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
接入一個(gè)DC12V即可開機(jī)。
****關(guān)機(jī)方式,可直接拔掉開關(guān)電源來關(guān)機(jī)。關(guān)機(jī)前建議先同步文件緩存到非易失存儲(chǔ)器,以防數(shù)據(jù)丟失。例如執(zhí)行以下shell命令:
sync
這塊開發(fā)板還需要搭建環(huán)境,安裝Ubuntu虛擬機(jī)等功能后期我們也會(huì)做詳細(xì)的介紹。
2023-05-31 19:35:21
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
和耐久性設(shè)計(jì),這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
器必須具有如下三方面的功能:1、寫入速度快,能及時(shí)記錄數(shù)據(jù),2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù),3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時(shí)刻。使用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備,當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí),被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣,USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),組織為32768字,每個(gè)8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用,其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器,可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼,存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù),提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器,非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
IC EEPROM 64KBIT SPI 20TSSOP
2023-04-06 17:09:08
IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
2023-04-06 11:12:59
IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
2023-04-04 20:30:49
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 存儲(chǔ)器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56
FRAM存儲(chǔ)器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:37
64 K(8 K×8)位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:39:03
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:36
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
2023-03-27 13:30:36
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:35
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
2023-03-27 13:30:33
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:27
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:27
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
2023-03-27 13:30:23
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:23
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:30:23
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
2023-03-27 13:29:39
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:23:45
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:22:37
IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
2023-03-27 13:22:29
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
2023-03-27 13:18:10
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
2023-03-27 13:18:03
IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8UDFN
2023-03-27 13:12:45
IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8UDFN
2023-03-27 13:12:45
IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:12:25
IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP
2023-03-27 13:12:25
IC FRAM 64KBIT SPI 4MHZ 8SOIC
2023-03-25 04:19:38
IC FRAM 64KBIT SPI 4MHZ 8SOIC
2023-03-25 03:35:51
單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的呢?
2023-03-24 17:44:04
IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
2023-03-23 07:39:52
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器(保證在重啟時(shí)歸零)對它們進(jìn)行異或,我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。(這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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