我有個應(yīng)用設(shè)計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想開發(fā)一個 CAN 連接到賽普拉斯CYW20730芯片的Android應(yīng)用程序。
實際上，一些主動快門 3D 眼鏡使用了這個芯片，我想建立藍牙連接來打開和關(guān)閉眼鏡鏡片。
我下載了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
SI522 是應(yīng)用于13.56MHz 非接觸式通信中高集成度讀寫卡系列芯片中的一員。是NXP 公司針對\"三表\"應(yīng)用推出的一款低 電壓、低成本、體積小的非接觸式讀寫卡芯片
2024-02-29 15:56:58
; eviceCount () \" 給了我 0。
當我查看 Windows 設(shè)備管理器時。 在編程之前，該設(shè)備被識別為“賽普拉斯FX3 USB引導(dǎo)加載程序設(shè)備”。 編程后，該設(shè)備被識別為“賽普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
再次使用 USB 為我的 3014 供電時，CAN無法運行，并且該設(shè)備仍被枚舉為“賽普拉斯 FX3 USB 引導(dǎo)加載程序設(shè)備”。
我只想通過 SPI 將我的程序固化為 3104，使其開機并自動啟動。 我該怎么辦？
2024-02-26 07:31:42
我只是想知道是否有可能訪問我正在編寫的代碼中的構(gòu)建變量。 到目前為止我還沒找到出路。
起初，這些變量僅用于自動創(chuàng)建我想要的格式的圖像文件。 現(xiàn)在，我想通過發(fā)送給賽普拉斯的控制權(quán)轉(zhuǎn)移來訪問它們。
如果這不可能，你知道其他方法可以做到這一點并滿足我的兩個需求嗎？
2024-02-26 06:36:36
Windows 10計算機中編程時，它將顯示成功編程，但是當重新啟動電源時，它仍然會顯示為“賽普拉斯SD3 USB啟動設(shè)備”并且xyz.img文件未編程。
有沒有驅(qū)動程序更新或補丁可以解決這個問題？
2024-02-26 06:24:05
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，簡稱“拉普拉斯”，近期成功通過IPO審核，準備在科創(chuàng)板上市。該公司計劃募資18億元，主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目，以及補充流動資金。
2024-02-23 14:16:32
218 目前，我的開發(fā)板使用賽普拉斯3014芯片并使用UVC輸出。 但是，程序運行后，可以在 Windows 系統(tǒng)上識別設(shè)備，但在 Linux 系統(tǒng)上無法識別。 我使用 Ubuntu 作為我的 Linux 系統(tǒng)。 可能是什么問題？ 我需要修改 cyfxdscr 嗎。 c 文件？有人能提供一些建議嗎？
2024-02-23 06:11:56
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
傅里葉變換和拉普拉斯變換是兩種重要的數(shù)學工具，常用于信號分析和系統(tǒng)理論領(lǐng)域。雖然它們在數(shù)學定義和應(yīng)用上有所差異，但它們之間存在緊密的聯(lián)系和相互依存的關(guān)系。 首先，我們先介紹一下傅里葉變換和拉普拉斯
2024-02-18 15:45:38343 賽普拉斯的芯片，怎么燒錄后綴名為 .ELF 文件？要用什么燒錄器？用什么樣的燒錄軟件？芯片型號：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
我正在嘗試在 CY8CKIT-046 上運行賽普拉斯/英飛凌的 \" USBFS UART 代碼示例 \"。 將 USB 連接到裝有 Windows 10 的電腦后，我收到了一
2024-01-22 08:27:13
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
（Dubhe-90）的高性能RISC-V眾核子系統(tǒng)IP平臺。
StarLink-700是賽昉科技自研的支持緩存一致性的Interconnect Fabric IP，是國內(nèi)首款Mesh架構(gòu)互聯(lián)總線IP
2023-11-29 13:37:35
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了2023年度國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)的名單，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”）榮獲“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”稱號。 “國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”是指屬于國家重點
2023-11-16 14:27:28193 近期，深圳市科學技術(shù)獎勵委員會辦公室發(fā)布了關(guān)于2023年度深圳市科學技術(shù)獎擬獎名單的公示。其中，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”）依托“氣態(tài)BCl?特高溫硼擴散系列設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
2023-11-10 10:37:24183 籌備工作正緊張有序推進中，屆時海內(nèi)外重要領(lǐng)導(dǎo)、重磅嘉賓、行業(yè)大咖及全球光伏行業(yè)龍頭企業(yè)將聯(lián)袂出席大會。 作為光伏行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”）受邀參展，展位號：4號館-B20。 據(jù)拉普拉斯IPO招股
2023-11-10 10:30:00221 
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
賽普拉斯USB-PD控制器最多能支持多少種電力傳輸對象（PDO）？支持的電源配置文件有哪些？ 賽普拉斯USB-PD控制器是一種用于電源傳輸?shù)钠骷?，它可以實現(xiàn)多種電力傳輸對象（PDO）的支持。在本篇
2023-10-27 14:40:20337 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之間有何不同？ 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是兩種快速充電技術(shù)，它們有著不同的特點和優(yōu)點。 賽普拉斯USB-PD2.0是一種基于USB
2023-10-27 14:40:18434 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
近年來，光伏行業(yè)蓬勃發(fā)展，為業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展提供了良好的動力。以拉普拉斯為例，在穩(wěn)定的業(yè)績基礎(chǔ)上，疊加行業(yè)明朗的發(fā)展前景，拉普拉斯提交IPO招股書，擬申請上交所科創(chuàng)板上市，踏出了跨越性的一步
2023-10-19 11:34:04241 隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設(shè)備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù)，提前預(yù)測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機。累積
2023-10-19 11:27:37
近期，光伏電池片制造設(shè)備供應(yīng)商——拉普拉斯積極闖關(guān)科創(chuàng)板IPO，計劃募資18億元用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目和補充流動資金。 從拉普拉斯IPO招股書披露
2023-10-19 11:20:23296 的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務(wù)資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 17:10:012043 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務(wù)資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 01:12:002959 
太陽能光伏設(shè)備制造行業(yè)作為技術(shù)密集型行業(yè)，一直以來對技術(shù)的先進性依賴程度比較高。深耕行業(yè)多年，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”或“公司”）始終以技術(shù)引領(lǐng)，驅(qū)動企業(yè)前行，成功獲得了
2023-10-10 17:04:00233 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
FM8301 是上海復(fù)旦微電子集團在原有 FM8201SD 桌面非接觸 IC 卡讀寫機的基礎(chǔ)上，結(jié)合 USB 端口以及接觸卡讀卡機要求升級的一款產(chǎn)品。該產(chǎn)品是非接觸讀卡機和接觸卡讀卡機結(jié)合的一款產(chǎn)品
2023-09-14 06:47:32
傅里葉變換與拉普拉斯變換的聯(lián)系解讀 傅里葉變換和拉普拉斯變換都是數(shù)學中非常重要的分析工具。它們都在不同的領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。 傅里葉變換是一種將時間域信號轉(zhuǎn)換成頻率域信號的技術(shù)。它是通過將信號
2023-09-07 17:04:191331 如何用拉普拉斯變換分析電路 拉普拉斯變換是通過一種特定的方法將時域中的一個信號轉(zhuǎn)化為復(fù)頻域中的一個函數(shù)，從而使得復(fù)雜的微分方程等可以變得更加簡單、易于求解。因此，它在電路分析中的應(yīng)用非常廣泛，有助于
2023-09-07 16:39:041278 傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換、拉普拉斯變換和z變換是信號處理中重要的數(shù)學工具。傅里葉變換用于將一個連續(xù)時間信號轉(zhuǎn)換為頻域表示；拉普拉斯變換則用于將一個連續(xù)時間信號轉(zhuǎn)換為復(fù)平面
2023-09-07 16:38:581406 拉普拉斯變換公式? 拉普拉斯變換公式是數(shù)學中極其重要的一種變換方式，它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括在信號處理、控制論、微分方程、電路分析和量子力學等領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細介紹拉普拉斯變換公式
2023-09-07 16:38:534099 拉普拉斯變換的意義 拉普拉斯變換是微積分中的一種重要方法，用于將時間域函數(shù)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面的頻域函數(shù)。它是工程和科學中常用的一種數(shù)學工具，尤其是電路理論、信號處理和控制理論中。 拉普拉斯變換的意義可以
2023-09-07 16:35:083590 傅里葉變換和拉普拉斯變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換和拉普拉斯變換是數(shù)學中兩種具有重要意義的變換方式。它們都在信號處理、傳輸和控制領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，能夠?qū)r域信號轉(zhuǎn)換為頻域信號或復(fù)平面上的信號。 傅里葉變換
2023-09-07 16:29:452123 拉普拉斯變換的頻移特性 拉普拉斯變換是一種重要的數(shù)學工具，在信號處理、控制理論、電路分析等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，頻移是一個常見的操作，即將信號在頻域上移動某個頻率。 拉普拉斯變換是一種復(fù)數(shù)變換
2023-09-07 16:29:43671 新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 TTM Technologies 的 X3C25P1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 2.3 至 2.7 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.2 至 0.3 dB，方向性 20 至 23 dB
2023-08-16 15:00:20
TTM Technologies 的 X4C25J1-05G 是一款定向耦合器，頻率為 2.2 至 2.8 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.5 dB，方向性 25 dB，平均功率 5 W
2023-08-16 14:42:58
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護儀就會
2023-08-16 10:30:26
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
不懂單片機，最近公司一個外單要轉(zhuǎn)到國內(nèi)生產(chǎn)，發(fā)了一個后綴名是.elf的燒錄文件，請問這個怎么燒錄？要用什么軟件打開？又要用什么樣的燒錄器？
芯片是賽普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
一種便攜式存儲設(shè)備，當插入計算機時，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內(nèi)存選項。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
了解如何使用拉普拉斯變換、Python 和 SymPy 以串聯(lián) RLC 電路為例簡化電路分析的數(shù)學運算。 研究電路可能是一個非?；隆?在不知不覺中，你已經(jīng)深入微分方程了。 對于那些對微積分感到不
2023-05-03 18:04:001300 
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
中，車載電子系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度顯著提升，對于存儲產(chǎn)品而言，大容量、實時響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
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