嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42
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1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
CPU的核心功能包括數(shù)據(jù)運(yùn)算和指令控制。CPU運(yùn)算的數(shù)據(jù)和執(zhí)行的指令全部存儲(chǔ)在CPU的寄存器中，這些數(shù)據(jù)和指令又都來自于CPU高速緩存。
2024-01-02 16:01:48662 
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲(chǔ)器（cache memory）做為一部分存儲(chǔ)在相對(duì)慢速的主存儲(chǔ)器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50242 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲(chǔ)器，通常由6管（6T）實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內(nèi)存（DRAM）之間的高速緩存。
2023-10-31 17:46:551259 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《管理基于Cortex-M7的MCU的高速緩存一致性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:48
0 如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7（SAM S70/E70/V70/V71）MCU上創(chuàng)建不可高速緩存的存儲(chǔ)區(qū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 11:50:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7 MCU上在運(yùn)行時(shí)使用高速緩存維護(hù)操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 11:40:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用MPLAB Harmony v3基于PIC32MZ MCU在運(yùn)行時(shí)使用高速緩存維護(hù)操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 16:28:100 典型的SoC存儲(chǔ)體系包括處理器內(nèi)部的寄存器、高速緩存（Cache）、片內(nèi)ROM、片外主存。其中，內(nèi)部寄存器通常由十幾個(gè)到幾十個(gè)構(gòu)成，用于緩存程序運(yùn)行時(shí)頻繁使用的數(shù)據(jù)（局部變量、函數(shù)參數(shù)等）。
2023-09-19 09:30:301434 
STM32MP151A/D器件基于高性能ARM?Cortex?-A7 32位RISC內(nèi)核，運(yùn)行頻率高達(dá)800 MHz。
Cortex-A7處理器包括一個(gè)32K字節(jié)的一級(jí)指令高速緩存、一個(gè)32K字節(jié)
2023-09-13 07:23:32
片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲(chǔ)空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項(xiàng)字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護(hù)和寫保護(hù)
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存。
主32位AHB5多層總線矩陣，位于中央圖中的11個(gè)主設(shè)備和10個(gè)從設(shè)備互連。
128位AHB5指令高速緩存再填充總線矩陣為由兩個(gè)128位接口和兩個(gè)32位接口組成接口。
128位接口是連接到的從0端口到閃存的指令緩存和主0端口存儲(chǔ)器接口或FLITF。
2023-09-08 06:48:06
什么是高速緩存？? 高速存儲(chǔ)器塊，包含地址信息（通常稱作TAG）和相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。? 目的是提高對(duì)存儲(chǔ)器的平均訪問速度? 高速緩存的應(yīng)用基于下面兩個(gè)程序的局部性 ：? 空間局部性：如果一個(gè)存儲(chǔ)器的位置
2023-09-07 08:22:51
下表中列出的 STM32 微控制器(MCU)中。這些緩存使用戶從內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器提取指令和數(shù)據(jù)時(shí)或在用于外部存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)流量時(shí)提高應(yīng)用性能并降低功耗。本文檔提供了典型示例，以強(qiáng)調(diào) ICACHE 和 DCACHE 功能，并便于配置。
2023-09-07 07:51:27
1.具有雙發(fā)布功能的高性能6級(jí)流水線(每個(gè)時(shí)鐘周期最多執(zhí)行兩條指令)。
2.作為系統(tǒng)總線的64位AXI總線接口。
3.可選的指令高速緩存(4至64KB)和數(shù)據(jù)高速緩存(4至64KB)，每個(gè)高速
2023-09-04 06:28:56
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動(dòng)力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對(duì)于高性能非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求也越來越高，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
每當(dāng)一個(gè)核通過MVA操作對(duì)另一個(gè)核執(zhí)行廣播無效指令高速緩存時(shí)，例如，當(dāng)將可執(zhí)行代碼從閃存復(fù)制到存儲(chǔ)器時(shí)，其他核每次都刷新并重新啟動(dòng)它們的預(yù)取單元，而不進(jìn)行任何處理。
由于該錯(cuò)誤，其他核心可能停止它們的執(zhí)行，直到不再發(fā)生剩余的廣播操作。
2023-09-01 09:16:59
受影響的ARM CPU上，建議的緩解措施包括在轉(zhuǎn)換到需要保護(hù)以前的執(zhí)行上下文的執(zhí)行上下文時(shí)，使部分或全部分支預(yù)測器緩存失效。
有關(guān)術(shù)語執(zhí)行上下文的定義，請參見第1.2節(jié)。
CVE-2018-3639，也
2023-08-25 07:36:27
軟件可能會(huì)允許惡意行為者不正當(dāng)?shù)貜奶貦?quán)內(nèi)存(DRAM或CPU緩存)中收集少量敏感數(shù)據(jù)。
·ARM認(rèn)為這些利用不會(huì)損壞、修改或刪除數(shù)據(jù)。
·所有變體都基于導(dǎo)致高速緩存分配的推測性內(nèi)存訪問。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
架構(gòu)的卓越響應(yīng)性和易用性。
憑借內(nèi)置的指令和數(shù)據(jù)高速緩存以及緊密耦合的存儲(chǔ)器(TCM)，這款超標(biāo)量處理器即使在終端要求最苛刻的處理應(yīng)用程序中也不會(huì)變慢
2023-08-25 06:25:54
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
)的原理，與微程序復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)(CISC)相比，指令集和相關(guān)的解碼機(jī)制得到了極大的簡化。
片上混合數(shù)據(jù)和指令高速緩存與寫緩沖區(qū)一起，大大提高了平均執(zhí)行速度，并減少了處理器所需的平均內(nèi)存帶寬。
這允許外部存儲(chǔ)器以最小的性能損失支持額外的處理器或直接存儲(chǔ)器訪問(DMA)通道
2023-08-24 07:16:02
CPU高速緩存集成于CPU的內(nèi)部，其是CPU可以高效運(yùn)行的成分之一，本文圍繞下面三個(gè)話題來講解CPU緩存的作用
2023-08-21 12:17:35797 
高速緩存維護(hù)操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動(dòng)加載存儲(chǔ)多條指令以及使用集成中斷控制器來保持較低的延遲。
Cortex-R8處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內(nèi)存解決方案：
·緊耦合存儲(chǔ)器(TCM
2023-08-18 08:28:22
Cortex-A7 MPCore處理器是一款實(shí)現(xiàn)ARMv7-A架構(gòu)的高性能、低功耗處理器。
Cortex-A7 MPCore處理器在帶有一級(jí)高速緩存子系統(tǒng)、可選集成GIC和可選二級(jí)高速緩存控制器的單個(gè)多處理器設(shè)備中具有一到四個(gè)處理器
2023-08-18 07:25:18
，并且提供了可選的硬件加速器一致性端口(ACP)，以減少與其他主機(jī)共享存儲(chǔ)器區(qū)域時(shí)的軟件高速緩存維護(hù)操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動(dòng)加載-存儲(chǔ)多條指令以及使用集成中斷控制器來保持低。
Cortex-R7 MPCore處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內(nèi)存解決方案
2023-08-18 06:34:29
為了有效利用其他資源，例如寄存器文件，實(shí)現(xiàn)了有限的雙指令發(fā)布。
提供硬件加速器一致性端口(ACP)以減少在與其他主機(jī)共享存儲(chǔ)器時(shí)對(duì)緩慢的軟件高速緩存維護(hù)操作的要求。
通過中斷和重新啟動(dòng)加載存儲(chǔ)多條指令
2023-08-18 06:09:34
(SB)、所有內(nèi)核以及內(nèi)核之間共享的邏輯。
共享邏輯包括CPU橋(CPU側(cè))(CBC)、L2高速緩存，以及維護(hù)核心中的高速緩存與L2高速緩存和低延遲RAM(LLRAM)存儲(chǔ)器之間的一致性的一致性邏輯
2023-08-17 08:02:29
和糾正的糾錯(cuò)碼(ECC)功能在實(shí)現(xiàn)時(shí)包括在數(shù)據(jù)和指令高速緩存中。
Tcm接口支持實(shí)施外部ECC，以提供更高的可靠性并滿足與安全相關(guān)的應(yīng)用。
Cortex-M7處理器包括可選的浮點(diǎn)算術(shù)功能，支持單精度和雙精度算術(shù)。
請參見第8章浮點(diǎn)單元。
該處理器適用于需要快速中斷響應(yīng)功能的高性能、深度嵌入式應(yīng)用程序
2023-08-17 07:55:23
執(zhí)行模式將嵌入式內(nèi)存內(nèi)容轉(zhuǎn)儲(chǔ)到調(diào)試器，使其適用于芯片啟動(dòng)和調(diào)查軟件故障，如高速緩存一致性錯(cuò)誤。
它允許快速測試內(nèi)存和內(nèi)存保護(hù)邏輯。
因此，MBIST事務(wù)是使用IP核時(shí)鐘連續(xù)執(zhí)行的，因此，可以通過以全功能
2023-08-17 07:10:53
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關(guān)群集中最多有四個(gè)Cortex-A32處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護(hù)L1和L2數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
Cortex-A32處理器支持
2023-08-16 06:54:59
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關(guān)群集中最多有八個(gè)處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護(hù)L1、L2和L3數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
本節(jié)提供周期模型與硬件的功能比較的摘要，以及周期模型的性能和準(zhǔn)確性
2023-08-12 07:30:35
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存關(guān)聯(lián)群集中最多有四個(gè)Cortex-A53處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護(hù)L1和L2數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
Cortex-A53多處理器支持
2023-08-12 06:44:40
ARM946E-S? 是一個(gè)可合成的宏小區(qū)，結(jié)合了ARM9E-S? 加工機(jī)具有指令和數(shù)據(jù)緩存、緊密耦合的指令和數(shù)據(jù)SRAM的核心帶有保護(hù)單元、寫緩沖區(qū)和AMBA的存儲(chǔ)器? （高級(jí)微處理器總線體系結(jié)構(gòu)
2023-08-08 07:33:30
ARM946E-S? 是一個(gè)可合成的宏小區(qū)，結(jié)合了ARM9E-S? 帶指令和數(shù)據(jù)高速緩存的處理器核心、帶保護(hù)單元的緊密耦合指令和數(shù)據(jù)SRAM存儲(chǔ)器、寫緩沖區(qū)和AMBA? （高級(jí)微處理器總線體系結(jié)構(gòu)
2023-08-02 17:50:31
消息支持，以管理分布式內(nèi)存管理單元（MMU），例如CoreLink MMU-400。這些可以通信通過具有多達(dá)三個(gè)ACE Lite從機(jī)的CCI-400。
硬件管理的一致性可以通過以下方式提高系統(tǒng)性能并降低系統(tǒng)功耗共享片上數(shù)據(jù)。管理一致性有以下好處：
?減少外部存儲(chǔ)器訪問。
?減少軟件開銷。
2023-08-02 17:33:01
：
?用于增強(qiáng)操作系統(tǒng)安全性的TrustZone架構(gòu)?專為高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)的主、從和外圍AXI/AMBA接口?智能能源管理器（IEM）支持。
高速緩存控制器是一個(gè)統(tǒng)一的、物理尋址的、物理標(biāo)記的8路高速緩存。您可
2023-08-02 15:09:49
當(dāng)中央處理器（CPU）產(chǎn)生大量內(nèi)存流量時(shí)，添加片上二級(jí)緩存（也稱為二級(jí)緩存，L2CC）是提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的公認(rèn)方法。根據(jù)定義，二級(jí)緩存假定存在與CPU緊密耦合或內(nèi)部的一級(jí)緩存或主緩存。
2023-08-02 13:11:45
ARM720T是一款通用的32位微處理器，具有8KB的高速緩存、擴(kuò)大的寫入緩沖區(qū)和內(nèi)存管理單元（MMU），組合在一個(gè)芯片中。ARM720T中的CPU是ARM7TDMI。ARM720T是與ARM處理器
2023-08-02 11:36:56
）一種設(shè)備，是存儲(chǔ)器區(qū)域的歸屬節(jié)點(diǎn)，接受來自RN Fs和RN is的相干請求，并根據(jù)需要生成對(duì)系統(tǒng)中所有適用RN Fs的窺探，以支持相干協(xié)議。
I/O主節(jié)點(diǎn)（HN-I）作為從屬I/O子系統(tǒng)的主節(jié)點(diǎn)
2023-08-02 10:38:59
ARM946E-S是一個(gè)可合成的宏單元，結(jié)合了ARM處理器。它是ARM9Thumb系列高性能32位片上系統(tǒng)處理器解決方案的一員。
ARM946E-S具有緊密耦合的SRAM存儲(chǔ)器、指令和數(shù)據(jù)緩存
2023-08-02 09:41:21
MBIST是測試嵌入式存儲(chǔ)器的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法。MBIST通過根據(jù)測試算法執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器的讀取和寫入序列來工作。存在許多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的測試算法。MBIST控制器生成正確的讀取和寫入序列。ARM L210 MBIST控制器用于與ARM L210一起執(zhí)行二級(jí)高速緩存RAM的內(nèi)存測試。
2023-08-02 08:07:10
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32F7技術(shù)--高速緩存.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 15:18:550 就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
，用于構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32590集成了存儲(chǔ)器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指
2023-07-14 14:33:26
構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32591集成了存儲(chǔ)器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:09:44
構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32592集成了存儲(chǔ)器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:04:11
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
緩存服務(wù)器是什么？緩存服務(wù)器是專用網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器或充當(dāng)在本地保存網(wǎng)頁或其他互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容的服務(wù)器的服務(wù)。通過將以前請求的信息放入臨時(shí)存儲(chǔ)（或高速緩存）中，高速緩存服務(wù)器既可以加快數(shù)據(jù)訪問速度，又可以減少
2023-07-07 17:48:59353 RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323
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* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
標(biāo)準(zhǔn)的Flash存儲(chǔ)卡，也是非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。USB大容量存儲(chǔ)設(shè)備類(USB MSC)是Cs/FS文件系統(tǒng)最常用的大容量存儲(chǔ)設(shè)備。U盤也是非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，在連接主機(jī)時(shí)被識(shí)別為外部硬盤驅(qū)動(dòng)器。而RAM
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462544 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
中，事情就會(huì)迅速惡化......我會(huì)遇到硬故障（有時(shí)調(diào)試器在調(diào)試時(shí)“死機(jī)”）。我已經(jīng)為此工作了幾天，似乎觸發(fā)因素是以下情況之一：a) 整個(gè) 8 MByte 的 HyperRAM 在 MPU 中被定義為
2023-04-17 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器，可以在字節(jié)級(jí)別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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