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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>DDR/LPDDR和GDDR科技都將持續(xù)增長(zhǎng)將成為這場(chǎng)存儲(chǔ)逐力賽中的黑馬

DDR/LPDDR和GDDR科技都將持續(xù)增長(zhǎng)將成為這場(chǎng)存儲(chǔ)逐力賽中的黑馬

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2024-03-14 15:10:58122

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表

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TPS65296-完整 LPDDR4/LPDDR4X存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表

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【算能RADXA微服務(wù)器試用體驗(yàn)】Radxa Fogwise 1684X Mini 規(guī)格

通過(guò)網(wǎng)絡(luò)可以了解到,算能RADXA微服務(wù)器的具體規(guī)格: 處理器:BM1684X 算:高達(dá)32Tops INT8峰值算 內(nèi)存:16GB LPDDR4X 內(nèi)存 存儲(chǔ):64GB eMMC 編程框架
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湖南裕能磷酸錳鐵鋰試產(chǎn)在即,行業(yè)預(yù)測(cè)2024年仍將持續(xù)增長(zhǎng)

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BF70x的LPDDR數(shù)據(jù)讀寫失敗怎么解決?

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2024-01-12 07:10:04

lpddr5時(shí)序比ddr5慢多少

5和DDR5的主要特點(diǎn)。LPDDR5是為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它具有低功耗的特點(diǎn),能夠提供高帶寬和大容量的存儲(chǔ)。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它更注重性能和可靠性。 在時(shí)序方面,LPDDR5的時(shí)序比DDR5慢。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">LPDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗,因此它采用
2024-01-04 10:22:061156

常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用

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重大突破!首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了,容量、速率均提升50%

據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng),11月28日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB
2023-12-19 17:55:57234

行業(yè)聚焦!派沃儲(chǔ)能液冷價(jià)值暴增,將成為儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)主流!

新的變革,為新能源市場(chǎng)開拓新的發(fā)展格局,帶來(lái)新的增長(zhǎng)藍(lán)海! ? 為什么派沃儲(chǔ)能液冷將成為市場(chǎng)主流? 儲(chǔ)能系統(tǒng)中溫控設(shè)備的作用。儲(chǔ)能電池系統(tǒng)電池容量和功率大,高功率密度對(duì)散熱要求較高,同時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)內(nèi)部容易產(chǎn)生電池發(fā)熱等問(wèn)題,而
2023-12-13 11:20:17209

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應(yīng)對(duì)全球業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng),慧榮科技宣布新組織架構(gòu)

臺(tái)北和美國(guó)加利福尼亞訊,2023年12月11日--全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技(NasdaqGS: SIMO)今日宣布新組織架構(gòu)和領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)任命,以應(yīng)對(duì)公司全球業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)需求,且變動(dòng)立即
2023-12-12 16:34:38377

首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了!已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。
2023-12-06 16:30:42490

中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM),相比上一代 LPDDR4X,新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%,容量
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HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注?

當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長(zhǎng)。未來(lái),隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中心的標(biāo)準(zhǔn)配置,而以企業(yè)應(yīng)用為重點(diǎn)場(chǎng)景的存儲(chǔ)卡供應(yīng)商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)

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2023-12-01 10:44:12217

國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:06813

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域

 相比上一代LPDDR4,長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%,達(dá)到12Gb和6400Mbps,并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度來(lái)看,LPDDR5芯片能夠?yàn)橐苿?dòng)電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度和更低的功耗。
2023-11-29 17:34:16752

硬件電路設(shè)計(jì)之DDR電路設(shè)計(jì)(4)

DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器,今天主要講述一下DDR4在Layout過(guò)程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過(guò)程中,DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101474

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:33339

國(guó)內(nèi)首家,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:10498

存儲(chǔ)器廠強(qiáng)攻DDR5產(chǎn)品 后市可期

對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨,主要來(lái)自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過(guò)ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來(lái)看,ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217

UPS不間斷電源淺析及選型參考建議

時(shí)間保存正在處理的所有數(shù)據(jù),并在輔助電源耗盡之前正常退出。當(dāng)所有電量耗盡時(shí),計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)都將被刪除。 UPS通過(guò)整流器將輸入AC轉(zhuǎn)換為DC,并通過(guò)逆變器將其轉(zhuǎn)換回來(lái)。電池或飛輪存儲(chǔ)
2023-11-22 17:13:00

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257

為什么嵌入式?jīng)]有35歲危機(jī)?

嵌入式技術(shù)領(lǐng)域不僅穩(wěn)定,還能夠獲得更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。 總之,嵌入式技術(shù)憑借其廣泛的應(yīng)用域、穩(wěn)定的知識(shí)體系、持續(xù)增長(zhǎng)的行業(yè)需求以及巨大的發(fā)展?jié)摿Γ?b class="flag-6" style="color: red">成為IT行業(yè)不會(huì)遭遇35歲危機(jī)的一種特殊存在。對(duì)于那些對(duì)技術(shù)
2023-11-17 10:33:39

DDR3存儲(chǔ)廠迎漲價(jià)商機(jī) 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進(jìn)

法人方面解釋說(shuō):“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405

三星第三季度同比下降77.57%,存儲(chǔ)芯片有所回暖

 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲(chǔ)芯片(如DDR5和HBM)的需求持續(xù)增長(zhǎng),第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度,DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品,如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003886

美光科技發(fā)布1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的16Gb DDR5存儲(chǔ)器,領(lǐng)先業(yè)界

  美光科技指出,為應(yīng)對(duì)資料中心工作負(fù)載所需,CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加,為突破「存儲(chǔ)器墻」(Memory Wall)瓶頸,同時(shí)為客戶提供最佳化的總擁有成本,對(duì)于存儲(chǔ)器頻寬及容量需求也隨之大幅提升
2023-10-19 16:03:00387

讀速2100MB/s、頻率6400Mbps,佰維基于LPDDR5的uMCP賦能智能手機(jī)高效運(yùn)行

數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì),推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn),能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?!?佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲(chǔ)芯片,
2023-10-11 16:15:02296

讀速2100MB/s、頻率6400Mbps,佰維基于LPDDR5的uMCP賦能智能手機(jī)高效運(yùn)行

數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì),推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn),能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?!?? 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存
2023-10-11 11:33:34197

機(jī)構(gòu):汽車銷量持續(xù)增長(zhǎng),促使中國(guó)MEMS傳感器加快研發(fā)

? 【機(jī)構(gòu):汽車銷量持續(xù)增長(zhǎng),促使中國(guó)MEMS傳感器加快研發(fā)】 研究機(jī)構(gòu)表示,隨著中國(guó)汽車銷量持續(xù)增長(zhǎng),以及汽車智能系統(tǒng)的發(fā)展,汽車制造商對(duì)MEMS微傳感器的要求也在快速增加。這促使中國(guó)傳感器制造商
2023-10-07 09:40:53358

DDR3和DDR4存儲(chǔ)器學(xué)習(xí)筆記

DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之,是更高速率,更低電壓,更密的存儲(chǔ)密度,從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488

DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)建議

下特點(diǎn): 1、兼容 LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn); 2、支持 64bits 數(shù)據(jù)總線寬度,由 4 個(gè) 16bits 的 DDR 通道組成,每個(gè)通道容量最大尋址地址 8GB;4個(gè)通道容量
2023-09-19 11:40:01271

DDR4、LPDDR4和LPDDR4x的區(qū)別

已保留有6位SDR空間。最后,它占用的片上空間更少,單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容,它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368379

市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),機(jī)器人視覺解決方案?jìng)涫荜P(guān)注!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)機(jī)器人是一種能夠通過(guò)編程和自動(dòng)控制來(lái)執(zhí)行諸如作業(yè)或移動(dòng)等任務(wù)的機(jī)器。近些年,全球機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),從2017年的267億美元增長(zhǎng)至2022年的513億美元,預(yù)計(jì)
2023-09-15 09:05:481095

LPDDR4/LPDDR4X的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)及參數(shù)

體驗(yàn)和實(shí)時(shí)安全性,高性能DDR對(duì)于充分發(fā)揮處理器的數(shù)據(jù)處理量,處理速度,算力具有關(guān)鍵的作用,為這些日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。DDR其實(shí)是一個(gè)很大的緩存器件,在系統(tǒng)運(yùn)行期間用來(lái)短暫存儲(chǔ)文件數(shù)據(jù),斷電后清空,所有這些數(shù)據(jù)都會(huì)流經(jīng)內(nèi)存,使得內(nèi)存成為處理器的關(guān)鍵器件。
2023-09-01 16:41:5211599

lpddr5是什么意思?lpddr5和lpddr4x提升了多少?

lpddr5是什么意思?lpddr5和lpddr4x提升了多少?? LPDDR5是一種基于低功耗雙數(shù)據(jù)速率(LPDDR)的內(nèi)存技術(shù),它是目前移動(dòng)設(shè)備中性能最高的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一。正如其名稱所示,它是
2023-08-21 17:28:327918

lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大

lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的不斷升級(jí)和發(fā)展,人們對(duì)設(shè)備運(yùn)行速度和效率的要求也越來(lái)越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:2919681

筆記本lpddr4x和lpddr5區(qū)別?

能力的優(yōu)化,同時(shí)也為設(shè)備提供了更好的性能。雖然這兩種方法很相似,但它們之間還存在一些區(qū)別。下面將詳細(xì)討論LPDDR4X和LPDDR5之間的區(qū)別,以及它們?nèi)绾斡绊懺O(shè)備的性能和使用情況。 1. 存儲(chǔ)速度和容量 LPDDR4X的最大存儲(chǔ)容量為16GB,而LPDDR5的最大容量為32GB。這意味著使
2023-08-21 17:28:273861

lpddr4x過(guò)時(shí)了嗎?lpddr4x顯卡怎么樣?電腦LPDDR4X夠用嗎?

的改進(jìn)。雖然它已經(jīng)存在了一段時(shí)間,但是它仍然是一種有效且流行的內(nèi)存類型,而且并未過(guò)時(shí)。接下來(lái),我們來(lái)詳細(xì)探討一下LPDDR4X的特性以及其在電腦領(lǐng)域的應(yīng)用。 LPDDR4X的特性 1. 低功耗: LPDDR4X的功耗更低,這是它成為現(xiàn)代移動(dòng)設(shè)備理想內(nèi)存的原因之一。在與DDR4相比較時(shí),LPDDR
2023-08-21 17:16:463692

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存,是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:445954

SK海力士LPDDR5T高速內(nèi)存將應(yīng)用于聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦平臺(tái)

2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps,超過(guò)了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移動(dòng)平臺(tái)中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內(nèi)存正式上市,預(yù)計(jì)LPDDR5T將成為2023年到2025年最強(qiáng)大的移動(dòng)平臺(tái)。
2023-08-11 09:47:52657

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470

三星率先推出GDDR7,下一代英偉達(dá)GPU顯存顆粒預(yù)定?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)低迷的情況下,不少?gòu)S商在降價(jià)消化庫(kù)存的同時(shí),也開始在往新技術(shù)新產(chǎn)品上發(fā)力,試圖重新激起市場(chǎng)的熱情。比如存儲(chǔ)大廠三星,就在近日就發(fā)布了下一代標(biāo)準(zhǔn)顯存產(chǎn)品
2023-07-22 00:01:001514

紛享銷客逆勢(shì)再獲融資,連續(xù)三年保持40%持續(xù)增長(zhǎng)

。 近三年來(lái),盡管受到各種因素影響,紛享銷客仍取得了快速發(fā)展,近三年持續(xù)保持超40%增長(zhǎng)。據(jù)第三方市場(chǎng)檢測(cè)機(jī)構(gòu)分析,紛享銷客營(yíng)收規(guī)模與市場(chǎng)份額位居中國(guó)本土CRM行業(yè)首位,是中國(guó)CRM行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。 當(dāng)下,企業(yè)做細(xì)客戶、做深市場(chǎng)的需求走強(qiáng),遭遇國(guó)內(nèi)外
2023-07-21 14:15:02256

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103365

面向高端智能手表!佰維BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP存儲(chǔ)芯片,已通過(guò)高通5100平臺(tái)認(rèn)證

,成為智能穿戴設(shè)備的絕佳選擇。佰維存儲(chǔ)基于前代LPDDR3 ePOP產(chǎn)品的成功經(jīng)驗(yàn),面向 高端智能手表 推出了 基于LPDDR4X?144球的ePOP存儲(chǔ)芯片 ,方案相較前代產(chǎn)品頻率提升了 128.6% 、體積減少了 32% ,并正式 通過(guò)高通5100平臺(tái)認(rèn)證 。 佰維基于LPDDR4X 1
2023-07-14 16:44:43700

TXC晶振為何會(huì)成為行業(yè)黑馬,與EPSON并列第一

給現(xiàn)在的經(jīng)營(yíng)人。不過(guò)經(jīng)過(guò)多年的刻苦專研,以及口碑的持續(xù)上升,使得TXC晶振在電子市場(chǎng)有很高的美譽(yù)度。有一句話是這樣形容TXC晶振的,日系的品質(zhì),國(guó)產(chǎn)的價(jià)格。2,黑馬
2023-07-13 17:32:46947

Versal ACAP DDRMC-DDR4、LPDDR4和LPDDR4X外部參考時(shí)鐘設(shè)計(jì)指南

本文旨在呈現(xiàn)使用 DDR4、LPDDR4 或 LPDDR4X 存儲(chǔ)器控制器的 Versal ACAP 器件的外部參考時(shí)鐘電路要求
2023-07-10 16:02:23814

5G領(lǐng)域的頂級(jí)半導(dǎo)體公司

包括用于傳統(tǒng)計(jì)算應(yīng)用的 DDR、用于電池供電設(shè)備的LPDDR以及用于高性能游戲和人工智能(AI)場(chǎng)景的超帶寬解決方案的 GDDR
2023-07-03 15:16:04349

Rambus GDDR6 PHY 賦能AI服務(wù)器

GDDR通常指的是用在顯卡上的內(nèi)存,本質(zhì)上還是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,它是為了設(shè)計(jì)高端顯卡而特別設(shè)計(jì)的高性能 DDR 存儲(chǔ)器規(guī)格,其有專屬的工作頻率、時(shí)鐘頻率、電壓,因此與市面上標(biāo)準(zhǔn)的 DDR 存儲(chǔ)器有所差異
2023-06-26 14:41:25287

DDR基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

DDRDDR SDRAM的簡(jiǎn)稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404905

汽車電子中半導(dǎo)體器件有哪些?

DRAM(DDR/GDDR/LPDDR):主要應(yīng)用于液晶儀表、導(dǎo)航中控、娛樂信息以及自動(dòng)駕駛等需要高內(nèi)存帶寬的系統(tǒng)。
2023-06-25 14:40:11941

芯科普 | 一文讀懂存儲(chǔ)主流配置LPDDR

LPDDR是什么? LPDDR (Low Power Double Data Rate SD RAM)低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是DDR SDRAM的一種,是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)
2023-06-22 08:40:021807

DDR信號(hào)的處理

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781

AI時(shí)代,誰(shuí)能比GDDR性能更高?

DDR存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)延遲極低,它的目的是盡可能快地傳輸少量緩存數(shù)據(jù),來(lái)配合CPU進(jìn)行串行計(jì)算。而顯卡多為并行任務(wù),有大量重復(fù)存取需求,但它對(duì)于延時(shí)的要求沒有CPU那么高。于是,具有更大帶寬和更高頻率的GDDR出現(xiàn)了。
2023-06-09 11:50:16165

2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)

研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè),盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024

四方偉業(yè):大數(shù)據(jù)行業(yè)產(chǎn)品持續(xù)更新迭代,未來(lái)有望保持穩(wěn)定增長(zhǎng)

隨著信息化程度不斷加深,數(shù)據(jù)流量呈爆炸式增長(zhǎng),導(dǎo)致大數(shù)據(jù)行業(yè)產(chǎn)品持續(xù)更新迭代,未來(lái)有望保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)之一,為搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,四方偉業(yè)制定前瞻性發(fā)展戰(zhàn)略,奠定業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)基石。 具體
2023-06-07 09:36:38518

lpddr4頻率無(wú)法修改怎么解決?

具M(jìn)SCALE_DDR_Tool.exe,測(cè)試正常,如下 將生成的lpddr4_timing.c編譯進(jìn)入uboot,下載到基板,啟動(dòng)后ddr頻率不變,還是2g,如下
2023-06-02 07:26:51

MLCC市場(chǎng)迎來(lái)復(fù)蘇,價(jià)格跌幅減小向穩(wěn)步增長(zhǎng)-阻容1號(hào)

,也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。微容科技也持續(xù)加碼車規(guī)MLCC,近期已經(jīng)在各類車企獲得了廣泛的認(rèn)可。 智能化賦能,提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng) 智能化生產(chǎn)將成為MLCC產(chǎn)品生產(chǎn)的新動(dòng)力。業(yè)內(nèi)專家指出,智能化將有效提高企業(yè)
2023-06-01 17:20:47

如何跳過(guò)SPLddr訓(xùn)練?

我正在優(yōu)化啟動(dòng)速度,ddr 訓(xùn)練在 SPL 需要 360ms,所以我想跳過(guò)它。 我厭倦了在 ddr 訓(xùn)練后注意 ddrphy_trained_csr[] 和 g_cdd_max[],注釋掉 ddr
2023-06-01 08:16:47

LPDDR5X:重要性與日俱增的移動(dòng)存儲(chǔ)

自 2000 年代中期獲得正式批準(zhǔn)以來(lái),低功耗 DDRLPDDR)一直是驅(qū)動(dòng)對(duì)面積和功率敏感的移動(dòng)設(shè)備上更復(fù)雜用例的基石。畢竟退回 2007 年,智能手機(jī)的攝像頭不過(guò)是一個(gè)釘在背后的傳感器,且只能拍攝粒度粗糙、低分辨率的自拍。
2023-05-31 09:48:151828

使用DFI的DDR-PHY互操作性

、時(shí)序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議,包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR
2023-05-26 15:27:314570

LPDDR4:是什么讓它更快并降低功耗

DRAM 存儲(chǔ)器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”,例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達(dá) 4267Mbps
2023-05-26 14:34:073493

DFI 5.0如何確保DDR5/LPDDR5系統(tǒng)的更高性能

數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)、汽車和其他新興市場(chǎng)應(yīng)用的增長(zhǎng)正在推動(dòng)下一代內(nèi)存技術(shù)(DDR5、LPDDR5)的發(fā)展。與其前輩一樣,最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI,以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401827

思必馳:營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng),發(fā)展?jié)摿?qiáng)勁

體驗(yàn)。 營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng),企業(yè)發(fā)展強(qiáng)勁 思必馳是國(guó)內(nèi)專業(yè)的對(duì)話式人工智能平臺(tái)公司,擁有全鏈路的智能語(yǔ)音語(yǔ)言技術(shù),自主研發(fā)了新一代人機(jī)交互平臺(tái)(DUI)和人工智能芯片(TH1520),可以為車聯(lián)網(wǎng)、IoT及政務(wù)、金融等眾多行業(yè)場(chǎng)景合作
2023-05-24 16:05:12282

如何將Nanya DDR部件NT6AN512T32AV與iMx8m plus處理器一起使用?

我打算將 Nanya DDR 部件 NT6AN512T32AV 與 iMx8m plus 處理器一起使用。我已在 XLS 表 MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v9.xlsx 填寫了所需的詳細(xì)信息。
2023-05-19 11:04:35

有沒有辦法重置和重新初始化DDR控制器?

有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器?DRAM 類型是 LPDDR4。 我們的目標(biāo):我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實(shí)施解決方案。 為了獲得可重現(xiàn)的結(jié)果,我們尋求在嘗試下一個(gè)配置
2023-05-16 09:03:04

活動(dòng)預(yù)告 | 2023高端集成電路IP技術(shù)研討會(huì)·廈門站,芯動(dòng)邀您共聚!

? 從DDR5/4、LPDDR5/5X到GDDR6/6X、 HBM2e/3,以及PCIe5/6、USB3.2/4等多標(biāo)
2023-05-12 14:55:02356

預(yù)計(jì)未來(lái)8年,中國(guó)電動(dòng)夾爪市場(chǎng)將持續(xù)爆炸式增長(zhǎng)

預(yù)計(jì)未來(lái)8年,中國(guó)電動(dòng)夾爪市場(chǎng)將持續(xù)爆炸式增長(zhǎng)
2023-05-10 15:00:22350

IMX93是否有類似8MN_HDG_LPDDR4的應(yīng)用說(shuō)明?

1) 需要 11x11 IMX93 封裝的 LPDDR4 線路(或全部)的傳播延遲值。在項(xiàng)目中使用 Altium。在我們準(zhǔn)備調(diào)整 LPDDR4 跡線時(shí)需要。在 IBIS 模型沒有看到這一點(diǎn)。 2
2023-05-09 10:36:32

如何進(jìn)行DDR校準(zhǔn)并尋找LPDDR4校準(zhǔn)二進(jìn)制文件?

啟動(dòng),但是,我們想要進(jìn)行 DDR 校準(zhǔn)并尋找 LPDDR4 校準(zhǔn)二進(jìn)制文件,這些二進(jìn)制文件會(huì)生成/考慮來(lái)自外部振蕩器的 CLK 源。 如果您能在DDR 校準(zhǔn)工具的源代碼添加上述小改動(dòng)(請(qǐng)參閱上面的補(bǔ)?。┎⒐蚕矶M(jìn)制文件,這將是一個(gè)很大的幫助。
2023-04-27 08:11:25

i.MX 8M Nano UltraLite Quad LPDDR4校準(zhǔn)失敗的原因?

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D) 的工作定制板,我將其用作設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。 使用 mscale_ddr_tool_v3.31 和 MX8M_Nano_LPDDR4_RPA_v9_068-0051-00.xlsx(附件
2023-04-26 07:40:25

iMX8mp未能通過(guò)LPDDR4壓力測(cè)試是怎么回事?

你好。我用 i.MX8m plus 制作了一個(gè)定制板。 我通過(guò) RPA v9 制作 .ds 文件,并在 NXP i.MX/Mscale DDR Tool V3.31 上進(jìn)行壓力測(cè)試
2023-04-23 14:32:31

Cadence與SK海力士LPDDR5X和LPDDR5T可實(shí)現(xiàn)互操作性

Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)已支持客戶使用,該 IP 采用全新高性能、可擴(kuò)展的自適應(yīng)架構(gòu),并依托于 Cadence 久經(jīng)驗(yàn)證且大獲成功的 LPDDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線。
2023-04-21 12:46:311098

i.mx8m加支持lpddr4和lpddr4x嗎?

i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49

i.MX8M Mini LPDDR4-3000跡線長(zhǎng)度/延遲匹配怎么處理?

我目前正在使用 LPDDR4-3000 作為內(nèi)存設(shè)計(jì)帶有 i.MX8M Mini 的定制 PCB。在將 LPDDR4-3000 路由到 i.MX8M Mini 時(shí),我有多個(gè)問(wèn)題。我知道i.MX 8M
2023-04-20 07:44:58

MT53E256M32替換LPDDR4,是否需要重新運(yùn)行DDR工具以生成要在LPDDR4控制器編程的新bin文件?

是速度等級(jí)和模具數(shù)量(從 2 個(gè)模具變?yōu)?1 個(gè)模具)。可能需要對(duì)軟件進(jìn)行哪些更改(如果有的話)以支持新部件(1 個(gè)芯片而不是 2 個(gè)芯片和更快的速度等級(jí))?我們是否需要重新運(yùn)行 DDR 工具以生成要在 LPDDR4 控制器編程的新 bin 文件?
2023-04-19 06:56:55

AM64x\\AM243x DDR 電路板設(shè)計(jì)及布局指南

摘要本文檔旨在介紹如何讓所有設(shè)計(jì)人員都能簡(jiǎn)單方便地實(shí)現(xiàn) AM64x\\\\AM243x DDR 系統(tǒng),并將要求提煉為一組布局和布線規(guī)則,使設(shè)計(jì)人員能夠針對(duì) TI 支持的拓?fù)涑晒?shí)現(xiàn)穩(wěn)健的設(shè)計(jì)。內(nèi)容1
2023-04-14 17:03:27

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng),歡迎廣大客戶通過(guò)華秋商城購(gòu)買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品

、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)

、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39

MSCALE_DDR_Tool使用iMX8M+定制板的LPDDR4壓力測(cè)試失敗的原因?

我們正在嘗試使用工具“MSCALE_DDR_Tool”優(yōu)化 LPDDR4 時(shí)序參數(shù)/壓力測(cè)試。校準(zhǔn)后,我們??嘗試使用以下不同選項(xiàng)進(jìn)行壓力測(cè)試。它因選項(xiàng)“失敗時(shí)停止”而失敗,并因選項(xiàng)“禁用內(nèi)存緩存”而
2023-03-24 06:54:09

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