未來(lái)幾年,游戲市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng),其中,到2028年,游戲個(gè)人電腦銷售預(yù)期達(dá)5200萬(wàn)臺(tái),同時(shí)游戲顯示器銷量有望達(dá)到2960萬(wàn)臺(tái)。
2024-03-20 16:11:37351 據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:5980 隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的持續(xù)增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)和架構(gòu)不斷發(fā)展以滿足企業(yè)和消費(fèi)者的需求。在本節(jié)中,我們將分析數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)未來(lái)的一些關(guān)鍵趨勢(shì)。 一、全閃存存儲(chǔ)陣列 隨著閃存成本的下降以及相對(duì)于傳統(tǒng)硬盤
2024-03-18 17:39:22141 DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate,GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53235 然而,由于偏高的成本原因,現(xiàn)階段眾多企業(yè)仍未能大規(guī)模應(yīng)用高標(biāo)LPDDR。面對(duì)此問(wèn)題,以vivo X100 Pro為例,盡管去年11月曾傳言其會(huì)采用LPDDR5T規(guī)格,但實(shí)際上使用的仍然是LPDDR5X。
2024-03-14 15:24:26248 該報(bào)告還稱,電子競(jìng)技興起、消費(fèi)者可支配收入提升及對(duì)仿真度高的游戲體驗(yàn)追求是驅(qū)動(dòng)游戲硬件行業(yè)增長(zhǎng)主要原因。具體產(chǎn)品方面,游戲機(jī)、專業(yè)游戲PC及各類周邊設(shè)備如鍵盤、鼠標(biāo)、耳機(jī)、先進(jìn)VR和AR設(shè)備等表現(xiàn)突出。
2024-03-14 15:10:58122 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)如今,在雙碳策略的指引下,國(guó)內(nèi)的新能源產(chǎn)業(yè)迎來(lái)高速發(fā)展,風(fēng)電、光伏等可再生能源正在快速改變當(dāng)前的能源格局。不過(guò)這也帶來(lái)了一些問(wèn)題,比如電網(wǎng)所面臨的穩(wěn)定性、經(jīng)濟(jì)調(diào)度及高質(zhì)量電能的問(wèn)題,而儲(chǔ)能在其中就能夠讓這些可再生能源變?yōu)楦鼉?yōu)質(zhì)的新能源。而在長(zhǎng)時(shí)儲(chǔ)能技術(shù)中,全釩液流電池以更優(yōu)的成本優(yōu)勢(shì)以及更好的選址靈活度格外顯眼。
2024-03-11 00:19:032700 力晶半導(dǎo)體(PSMC)成為印度首屈一指的晶圓代工廠合作伙伴。力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)Frank Hong聲明說(shuō):“考慮到印度巨大并持續(xù)增長(zhǎng)的本土市場(chǎng)以及各國(guó)客戶都將此視為供應(yīng)鏈彈性中心,如今正是印度切入半導(dǎo)體制造業(yè)的絕佳時(shí)刻。”
2024-03-10 13:31:01288 隨著人工智能(AI)的快速發(fā)展,其對(duì)計(jì)算能力的需求也在持續(xù)增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的中央處理器(CPU)和圖形處理器(GPU)雖然在AI計(jì)算中占據(jù)主導(dǎo)地位,但面對(duì)日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量和計(jì)算復(fù)雜性,它們也面臨著功耗
2024-03-07 09:37:20346 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65296-完整 LPDDR4/LPDDR4X存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-05 17:14:510 通過(guò)網(wǎng)絡(luò)可以了解到,算能RADXA微服務(wù)器的具體規(guī)格:
處理器:BM1684X
算力:高達(dá)32Tops INT8峰值算力
內(nèi)存:16GB LPDDR4X 內(nèi)存
存儲(chǔ):64GB eMMC
編程框架
2024-02-28 11:21:57
湖南裕能堅(jiān)稱,即使2024年新能源行業(yè)可能會(huì)面對(duì)諸如結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過(guò)剩之類的眾多復(fù)雜問(wèn)題,其持續(xù)向好發(fā)展的總體趨勢(shì)仍然不會(huì)動(dòng)搖。因此他們對(duì)該行業(yè)的前景持樂觀態(tài)度,預(yù)估2024年行業(yè)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)。
2024-02-23 15:35:50192 雖然實(shí)施了大規(guī)模的人員調(diào)整,但在2023年末,絕大多數(shù)關(guān)鍵業(yè)務(wù)取得增長(zhǎng)。其中,谷歌在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)銷售收入860億美元,同比上升13%。值得注意的是,公司的審計(jì)實(shí)體審核服務(wù)和云計(jì)算業(yè)務(wù)均保持穩(wěn)步增長(zhǎng)
2024-02-01 14:40:59265 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上,成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 如題,利用現(xiàn)有例程運(yùn)行BF70X,計(jì)劃讀取LPDDR中的數(shù)據(jù),但實(shí)際發(fā)現(xiàn)寫進(jìn)數(shù)據(jù)為0x100(或任意值)時(shí),讀取出來(lái)的數(shù)據(jù)為恒定值0x0000ffff;計(jì)劃自己對(duì)LPDDR驅(qū)動(dòng)進(jìn)行調(diào)試,采用怎樣的方法or 步驟進(jìn)行調(diào)試或者修改bug,以實(shí)現(xiàn)正常的讀寫數(shù)據(jù)。
2024-01-12 07:10:04
5和DDR5的主要特點(diǎn)。LPDDR5是為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它具有低功耗的特點(diǎn),能夠提供高帶寬和大容量的存儲(chǔ)。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它更注重性能和可靠性。 在時(shí)序方面,LPDDR5的時(shí)序比DDR5慢。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">LPDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗,因此它采用
2024-01-04 10:22:061156 LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM,簡(jiǎn)稱“低功耗內(nèi)存”,是DDR的一種,以低功耗和小體積著稱。
2024-01-02 17:31:21150 據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng),11月28日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB
2023-12-19 17:55:57234 新的變革,為新能源市場(chǎng)開拓新的發(fā)展格局,帶來(lái)新的增長(zhǎng)藍(lán)海! ? 為什么派沃儲(chǔ)能液冷將成為市場(chǎng)主流? 儲(chǔ)能系統(tǒng)中溫控設(shè)備的作用。儲(chǔ)能電池系統(tǒng)電池容量和功率大,高功率密度對(duì)散熱要求較高,同時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)內(nèi)部容易產(chǎn)生電池發(fā)熱等問(wèn)題,而
2023-12-13 11:20:17209 據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng),11月28日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB
2023-12-13 11:12:08229 臺(tái)北和美國(guó)加利福尼亞訊,2023年12月11日--全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技(NasdaqGS: SIMO)今日宣布新組織架構(gòu)和領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)任命,以應(yīng)對(duì)公司全球業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)需求,且變動(dòng)立即
2023-12-12 16:34:38377 LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。
2023-12-06 16:30:42490 產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM),相比上一代 LPDDR4X,新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%,容量
2023-12-03 11:30:00283 當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長(zhǎng)。未來(lái),隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中心的標(biāo)準(zhǔn)配置,而以企業(yè)應(yīng)用為重點(diǎn)場(chǎng)景的存儲(chǔ)卡供應(yīng)商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215 資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器,由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專門優(yōu)化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運(yùn)行狀態(tài)。
2023-12-01 10:44:12217 與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:06813 相比上一代LPDDR4,長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%,達(dá)到12Gb和6400Mbps,并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度來(lái)看,LPDDR5芯片能夠?yàn)橐苿?dòng)電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度和更低的功耗。
2023-11-29 17:34:16752 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器,今天主要講述一下DDR4在Layout過(guò)程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過(guò)程中,DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101474 長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:33339 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:10498 對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨,主要來(lái)自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過(guò)ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來(lái)看,ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217 時(shí)間保存正在處理的所有數(shù)據(jù),并在輔助電源耗盡之前正常退出。當(dāng)所有電量耗盡時(shí),計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的所有數(shù)據(jù)都將被刪除。
UPS通過(guò)整流器將輸入AC轉(zhuǎn)換為DC,并通過(guò)逆變器將其轉(zhuǎn)換回來(lái)。電池或飛輪存儲(chǔ)
2023-11-22 17:13:00
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 嵌入式技術(shù)領(lǐng)域不僅穩(wěn)定,還能夠獲得更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。 總之,嵌入式技術(shù)憑借其廣泛的應(yīng)用域、穩(wěn)定的知識(shí)體系、持續(xù)增長(zhǎng)的行業(yè)需求以及巨大的發(fā)展?jié)摿Γ?b class="flag-6" style="color: red">成為IT行業(yè)中不會(huì)遭遇35歲危機(jī)的一種特殊存在。對(duì)于那些對(duì)技術(shù)
2023-11-17 10:33:39
法人方面解釋說(shuō):“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲(chǔ)芯片(如DDR5和HBM)的需求持續(xù)增長(zhǎng),第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度,DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品,如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599 3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003886 美光科技指出,為應(yīng)對(duì)資料中心工作負(fù)載所需,CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加,為突破「存儲(chǔ)器墻」(Memory Wall)瓶頸,同時(shí)為客戶提供最佳化的總擁有成本,對(duì)于存儲(chǔ)器頻寬及容量需求也隨之大幅提升
2023-10-19 16:03:00387 數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì),推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn),能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?!?佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲(chǔ)芯片,
2023-10-11 16:15:02296 數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì),推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn),能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?!?? 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存
2023-10-11 11:33:34197 ? 【機(jī)構(gòu):汽車銷量持續(xù)增長(zhǎng),促使中國(guó)MEMS傳感器加快研發(fā)】 研究機(jī)構(gòu)表示,隨著中國(guó)汽車銷量持續(xù)增長(zhǎng),以及汽車智能系統(tǒng)的發(fā)展,汽車制造商對(duì)MEMS微傳感器的要求也在快速增加。這促使中國(guó)傳感器制造商
2023-10-07 09:40:53358 DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之,是更高速率,更低電壓,更密的存儲(chǔ)密度,從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 下特點(diǎn): 1、兼容 LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn); 2、支持 64bits 數(shù)據(jù)總線寬度,由 4 個(gè) 16bits 的 DDR 通道組成,每個(gè)通道容量最大尋址地址 8GB;4個(gè)通道容量
2023-09-19 11:40:01271 已保留有6位SDR空間。最后,它占用的片上空間更少,單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容,它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368379 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)機(jī)器人是一種能夠通過(guò)編程和自動(dòng)控制來(lái)執(zhí)行諸如作業(yè)或移動(dòng)等任務(wù)的機(jī)器。近些年,全球機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),從2017年的267億美元增長(zhǎng)至2022年的513億美元,預(yù)計(jì)
2023-09-15 09:05:481095 體驗(yàn)和實(shí)時(shí)安全性,高性能DDR對(duì)于充分發(fā)揮處理器的數(shù)據(jù)處理量,處理速度,算力具有關(guān)鍵的作用,為這些日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。DDR其實(shí)是一個(gè)很大的緩存器件,在系統(tǒng)運(yùn)行期間用來(lái)短暫存儲(chǔ)文件數(shù)據(jù),斷電后清空,所有這些數(shù)據(jù)都會(huì)流經(jīng)內(nèi)存,使得內(nèi)存成為處理器的關(guān)鍵器件。
2023-09-01 16:41:5211599 lpddr5是什么意思?lpddr5和lpddr4x提升了多少?? LPDDR5是一種基于低功耗雙數(shù)據(jù)速率(LPDDR)的內(nèi)存技術(shù),它是目前移動(dòng)設(shè)備中性能最高的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一。正如其名稱所示,它是
2023-08-21 17:28:327918 lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的不斷升級(jí)和發(fā)展,人們對(duì)設(shè)備運(yùn)行速度和效率的要求也越來(lái)越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:2919681 能力的優(yōu)化,同時(shí)也為設(shè)備提供了更好的性能。雖然這兩種方法很相似,但它們之間還存在一些區(qū)別。下面將詳細(xì)討論LPDDR4X和LPDDR5之間的區(qū)別,以及它們?nèi)绾斡绊懺O(shè)備的性能和使用情況。 1. 存儲(chǔ)速度和容量 LPDDR4X的最大存儲(chǔ)容量為16GB,而LPDDR5的最大容量為32GB。這意味著使
2023-08-21 17:28:273861 的改進(jìn)。雖然它已經(jīng)存在了一段時(shí)間,但是它仍然是一種有效且流行的內(nèi)存類型,而且并未過(guò)時(shí)。接下來(lái),我們來(lái)詳細(xì)探討一下LPDDR4X的特性以及其在電腦領(lǐng)域的應(yīng)用。 LPDDR4X的特性 1. 低功耗: LPDDR4X的功耗更低,這是它成為現(xiàn)代移動(dòng)設(shè)備理想內(nèi)存的原因之一。在與DDR4相比較時(shí),LPDDR
2023-08-21 17:16:463692 的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存,是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:445954 2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps,超過(guò)了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移動(dòng)平臺(tái)中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內(nèi)存正式上市,預(yù)計(jì)LPDDR5T將成為2023年到2025年最強(qiáng)大的移動(dòng)平臺(tái)。
2023-08-11 09:47:52657 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)低迷的情況下,不少?gòu)S商在降價(jià)消化庫(kù)存的同時(shí),也開始在往新技術(shù)新產(chǎn)品上發(fā)力,試圖重新激起市場(chǎng)的熱情。比如存儲(chǔ)大廠三星,就在近日就發(fā)布了下一代標(biāo)準(zhǔn)顯存產(chǎn)品
2023-07-22 00:01:001514 。 近三年來(lái),盡管受到各種因素影響,紛享銷客仍取得了快速發(fā)展,近三年持續(xù)保持超40%增長(zhǎng)。據(jù)第三方市場(chǎng)檢測(cè)機(jī)構(gòu)分析,紛享銷客營(yíng)收規(guī)模與市場(chǎng)份額位居中國(guó)本土CRM行業(yè)首位,是中國(guó)CRM行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。 當(dāng)下,企業(yè)做細(xì)客戶、做深市場(chǎng)的需求走強(qiáng),遭遇國(guó)內(nèi)外
2023-07-21 14:15:02256 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103365 ,成為智能穿戴設(shè)備的絕佳選擇。佰維存儲(chǔ)基于前代LPDDR3 ePOP產(chǎn)品的成功經(jīng)驗(yàn),面向 高端智能手表 推出了 基于LPDDR4X?144球的ePOP存儲(chǔ)芯片 ,方案相較前代產(chǎn)品頻率提升了 128.6% 、體積減少了 32% ,并正式 通過(guò)高通5100平臺(tái)認(rèn)證 。 佰維基于LPDDR4X 1
2023-07-14 16:44:43700 給現(xiàn)在的經(jīng)營(yíng)人。不過(guò)經(jīng)過(guò)多年的刻苦專研,以及口碑的持續(xù)上升,使得TXC晶振在電子市場(chǎng)有很高的美譽(yù)度。有一句話是這樣形容TXC晶振的,日系的品質(zhì),國(guó)產(chǎn)的價(jià)格。2,黑馬
2023-07-13 17:32:46947 本文旨在呈現(xiàn)使用 DDR4、LPDDR4 或 LPDDR4X 存儲(chǔ)器控制器的 Versal ACAP 器件的外部參考時(shí)鐘電路要求
2023-07-10 16:02:23814 包括用于傳統(tǒng)計(jì)算應(yīng)用的 DDR、用于電池供電設(shè)備的LPDDR以及用于高性能游戲和人工智能(AI)場(chǎng)景的超帶寬解決方案的 GDDR。
2023-07-03 15:16:04349 而GDDR通常指的是用在顯卡上的內(nèi)存,本質(zhì)上還是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,它是為了設(shè)計(jì)高端顯卡而特別設(shè)計(jì)的高性能 DDR 存儲(chǔ)器規(guī)格,其有專屬的工作頻率、時(shí)鐘頻率、電壓,因此與市面上標(biāo)準(zhǔn)的 DDR 存儲(chǔ)器有所差異
2023-06-26 14:41:25287 DDR是DDR SDRAM的簡(jiǎn)稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404905 DRAM(DDR/GDDR/LPDDR):主要應(yīng)用于液晶儀表、導(dǎo)航中控、娛樂信息以及自動(dòng)駕駛等需要高內(nèi)存帶寬的系統(tǒng)。
2023-06-25 14:40:11941 LPDDR是什么? LPDDR (Low Power Double Data Rate SD RAM)低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是DDR SDRAM的一種,是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)
2023-06-22 08:40:021807 注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 DDR存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)延遲極低,它的目的是盡可能快地傳輸少量緩存數(shù)據(jù),來(lái)配合CPU進(jìn)行串行計(jì)算。而顯卡多為并行任務(wù),有大量重復(fù)存取需求,但它對(duì)于延時(shí)的要求沒有CPU那么高。于是,具有更大帶寬和更高頻率的GDDR出現(xiàn)了。
2023-06-09 11:50:16165 研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè),盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436 視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024 隨著信息化程度不斷加深,數(shù)據(jù)流量呈爆炸式增長(zhǎng),導(dǎo)致大數(shù)據(jù)行業(yè)產(chǎn)品持續(xù)更新迭代,未來(lái)有望保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)之一,為搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,四方偉業(yè)制定前瞻性發(fā)展戰(zhàn)略,奠定業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)基石。 具體
2023-06-07 09:36:38518 具M(jìn)SCALE_DDR_Tool.exe,測(cè)試正常,如下
將生成的lpddr4_timing.c編譯進(jìn)入uboot,下載到基板,啟動(dòng)后ddr頻率不變,還是2g,如下
2023-06-02 07:26:51
,也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。微容科技也持續(xù)加碼車規(guī)MLCC,近期已經(jīng)在各類車企中獲得了廣泛的認(rèn)可。
智能化賦能,提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力
智能化生產(chǎn)將成為MLCC產(chǎn)品生產(chǎn)的新動(dòng)力。業(yè)內(nèi)專家指出,智能化將有效提高企業(yè)
2023-06-01 17:20:47
我正在優(yōu)化啟動(dòng)速度,ddr 訓(xùn)練在 SPL 中需要 360ms,所以我想跳過(guò)它。
我厭倦了在 ddr 訓(xùn)練后注意 ddrphy_trained_csr[] 和 g_cdd_max[],注釋掉 ddr
2023-06-01 08:16:47
自 2000 年代中期獲得正式批準(zhǔn)以來(lái),低功耗 DDR(LPDDR)一直是驅(qū)動(dòng)對(duì)面積和功率敏感的移動(dòng)設(shè)備上更復(fù)雜用例的基石。畢竟退回 2007 年,智能手機(jī)的攝像頭不過(guò)是一個(gè)釘在背后的傳感器,且只能拍攝粒度粗糙、低分辨率的自拍。
2023-05-31 09:48:151828 、時(shí)序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議,包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314570 DRAM 存儲(chǔ)器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”,例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達(dá) 4267Mbps
2023-05-26 14:34:073493 數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)、汽車和其他新興市場(chǎng)應(yīng)用的增長(zhǎng)正在推動(dòng)下一代內(nèi)存技術(shù)(DDR5、LPDDR5)的發(fā)展。與其前輩一樣,最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI,以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401827 體驗(yàn)。 營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng),企業(yè)發(fā)展強(qiáng)勁 思必馳是國(guó)內(nèi)專業(yè)的對(duì)話式人工智能平臺(tái)公司,擁有全鏈路的智能語(yǔ)音語(yǔ)言技術(shù),自主研發(fā)了新一代人機(jī)交互平臺(tái)(DUI)和人工智能芯片(TH1520),可以為車聯(lián)網(wǎng)、IoT及政務(wù)、金融等眾多行業(yè)場(chǎng)景合作
2023-05-24 16:05:12282 我打算將 Nanya DDR 部件 NT6AN512T32AV 與 iMx8m plus 處理器一起使用。我已在 XLS 表 MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v9.xlsx 中填寫了所需的詳細(xì)信息。
2023-05-19 11:04:35
有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器?DRAM 類型是 LPDDR4。
我們的目標(biāo):我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實(shí)施解決方案。
為了獲得可重現(xiàn)的結(jié)果,我們尋求在嘗試下一個(gè)配置
2023-05-16 09:03:04
? 從DDR5/4、LPDDR5/5X到GDDR6/6X、 HBM2e/3,以及PCIe5/6、USB3.2/4等多標(biāo)
2023-05-12 14:55:02356 預(yù)計(jì)未來(lái)8年,中國(guó)電動(dòng)夾爪市場(chǎng)將持續(xù)爆炸式增長(zhǎng)
2023-05-10 15:00:22350 1) 需要 11x11 IMX93 封裝的 LPDDR4 線路(或全部)的傳播延遲值。在項(xiàng)目中使用 Altium。在我們準(zhǔn)備調(diào)整 LPDDR4 跡線時(shí)需要。在 IBIS 模型中沒有看到這一點(diǎn)。
2
2023-05-09 10:36:32
啟動(dòng),但是,我們想要進(jìn)行 DDR 校準(zhǔn)并尋找 LPDDR4 校準(zhǔn)二進(jìn)制文件,這些二進(jìn)制文件會(huì)生成/考慮來(lái)自外部振蕩器的 CLK 源。
如果您能在DDR 校準(zhǔn)工具的源代碼中添加上述小改動(dòng)(請(qǐng)參閱上面的補(bǔ)?。┎⒐蚕矶M(jìn)制文件,這將是一個(gè)很大的幫助。
2023-04-27 08:11:25
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D) 的工作定制板,我將其用作設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。
使用 mscale_ddr_tool_v3.31 和 MX8M_Nano_LPDDR4_RPA_v9_068-0051-00.xlsx(附件
2023-04-26 07:40:25
你好。我用 i.MX8m plus 制作了一個(gè)定制板。
我通過(guò) RPA v9 制作 .ds 文件,并在 NXP i.MX/Mscale DDR Tool V3.31 上進(jìn)行壓力測(cè)試
2023-04-23 14:32:31
Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)已支持客戶使用,該 IP 采用全新高性能、可擴(kuò)展的自適應(yīng)架構(gòu),并依托于 Cadence 久經(jīng)驗(yàn)證且大獲成功的 LPDDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線。
2023-04-21 12:46:311098 i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49
我目前正在使用 LPDDR4-3000 作為內(nèi)存設(shè)計(jì)帶有 i.MX8M Mini 的定制 PCB。在將 LPDDR4-3000 路由到 i.MX8M Mini 時(shí),我有多個(gè)問(wèn)題。我知道i.MX 8M
2023-04-20 07:44:58
是速度等級(jí)和模具數(shù)量(從 2 個(gè)模具變?yōu)?1 個(gè)模具)。可能需要對(duì)軟件進(jìn)行哪些更改(如果有的話)以支持新部件(1 個(gè)芯片而不是 2 個(gè)芯片和更快的速度等級(jí))?我們是否需要重新運(yùn)行 DDR 工具以生成要在 LPDDR4 控制器中編程的新 bin 文件?
2023-04-19 06:56:55
摘要本文檔旨在介紹如何讓所有設(shè)計(jì)人員都能簡(jiǎn)單方便地實(shí)現(xiàn) AM64x\\\\AM243x DDR 系統(tǒng),并將要求提煉為一組布局和布線規(guī)則,使設(shè)計(jì)人員能夠針對(duì) TI 支持的拓?fù)涑晒?shí)現(xiàn)穩(wěn)健的設(shè)計(jì)。內(nèi)容1
2023-04-14 17:03:27
、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28
、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39
我們正在嘗試使用工具“MSCALE_DDR_Tool”優(yōu)化 LPDDR4 時(shí)序參數(shù)/壓力測(cè)試。校準(zhǔn)后,我們??嘗試使用以下不同選項(xiàng)進(jìn)行壓力測(cè)試。它因選項(xiàng)“失敗時(shí)停止”而失敗,并因選項(xiàng)“禁用內(nèi)存緩存”而
2023-03-24 06:54:09
評(píng)論
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