TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
存儲器層次結構可以從圖片中清晰的看出來，圖片中共分為六級，越向上的層次，存儲器速度越快，容量更小，造價越高。
2024-02-19 14:03:42
415 
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
請問用CAN存儲器存儲的CAN總線數(shù)據(jù)幀格式有哪些呢？ CAN總線是一種常用于汽車、工業(yè)控制和其他應用領域的串行通信協(xié)議。在CAN總線中，數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)幀的形式進行傳輸。數(shù)據(jù)幀包含了發(fā)送節(jié)點和接收節(jié)點
2024-01-31 13:46:38307 1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細信息的相關文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設備，用于存儲固定數(shù)據(jù)和指令，其特點如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲器中的數(shù)據(jù)是在出廠時被編程固化的，用戶無法進行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對計算機和電子設備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機訪問存儲器）是計算機中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50242 
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準備從存儲器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
半導體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
今天要講的是通過IIC總線來讀寫AT24C512存儲。我們在開發(fā)一些項目的時候，如果要求對有些參數(shù)進行存儲，且掉電不丟失的話，我們就需要一些外部存儲器件，比如說今天要講的AT24C512存儲器。下面就來看一下今天的例程吧！
2023-11-09 10:00:41660 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設（USART、CAN、USB、I2C 等）將應用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設計中，根據(jù)實際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲著病人預先記錄的基準信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護儀就會
2023-08-16 10:30:26
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或寫(存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 對于存儲器間接尋址，可以在變量中存儲地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數(shù)據(jù)類型。變量可以位于存儲器區(qū)域“數(shù)據(jù)”（DB 或 DI）、“位存儲器” (M) 或“臨時本地數(shù)據(jù)” (L) 中。
2023-07-15 11:20:312717 ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達128MB的外部SDRAM。八個可編程
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 存儲器是用來進行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
主存儲器的主要技術指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
寄存器是計算機硬件中最快、最小、最常用的存儲器。它是CPU內(nèi)部的存儲器，通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲和暫存空間。在CPU中，寄存器直接與算術邏輯單元(ALU)相連，用于存儲操作數(shù)或運算結果。
2023-04-09 18:43:059369 存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
7. 存儲器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；可使用單獨的總線分別訪問
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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