電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>利用DDR3數(shù)據(jù)眼圖測試來實現(xiàn)快速檢查信號質(zhì)量

利用DDR3數(shù)據(jù)眼圖測試來實現(xiàn)快速檢查信號質(zhì)量

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:120

適用于DDR2、DDR3DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440

完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450

端接電阻沒選對,DDR顆粒白費?

DDR數(shù)據(jù)信號速率更高,為啥要更關注DDR的地址控制信號?數(shù)據(jù)信號一般都是點到點的拓撲,而且大多有片上端接(ODT),走線拓撲簡單加上端接加持,信號質(zhì)量通常都比較有保障。而DDR的地址控制類信號
2024-03-04 15:49:14

DDR一致性測試的操作步驟

DDR一致性測試的操作步驟? DDR(雙數(shù)據(jù)率)一致性測試是對DDR內(nèi)存模塊進行測試以確保其性能和可靠性。在進行DDR一致性測試時,需要遵循一系列的操作步驟,以保證測試的準確性和完整性。下面將詳細
2024-02-01 16:24:52207

使用SC584外擴DDR3,程序均在adi_gic_GetIntSecurityStatus函數(shù)出現(xiàn)異常的原因?

使用SC584外擴DDR3,no_boot啟動模式,開發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本,在線調(diào)試過程,程序可正常下載,但是在A5預加載過程中會出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象,經(jīng)實際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46

DDR4信號完整性測試要求

DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號,對信號完整性的要求就更加嚴格,JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463

DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別

DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別? DDR(雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計算機內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術。在DDR中,終端匹配電阻和信號質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關重要的兩個方面。下面將詳細
2023-12-29 13:54:22316

DDR1/2/3數(shù)據(jù)預取技術原理詳解

時鐘頻率:可通過倍頻技術升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率,DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍,DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設計

被稱為 系統(tǒng)時鐘 。 DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過前沿和下降沿實現(xiàn)的。在每個時鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會傳輸一個數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。 DDR芯片
2023-12-25 14:02:58

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設計!

被稱為 系統(tǒng)時鐘 。 DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過前沿和下降沿實現(xiàn)的。在每個時鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會傳輸一個數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。 DDR芯片
2023-12-25 13:58:55

DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別

DDR采用菊花鏈拓撲結構時,由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻,端接的方式有很多,但是都是為了解決信號的反射問題,通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進行
2023-12-25 07:45:01211

關于AD9627針對性能指標測試有一些疑問求解

何有缺點?看過一個介紹是使用直方圖統(tǒng)計的方式計算的,但需要大量的數(shù)據(jù);而且在測試這個指標的時候輸入的信號是否也需要接近滿幅度? (3)應該怎么樣評估外部信號源的質(zhì)量可以滿足ADC測試要求?應該關注
2023-12-22 06:55:00

如何利用示波器測試晶振信號?

如何利用示波器測試晶振信號? 示波器是一種廣泛用于電子測試和測量的儀器,可以幫助分析和顯示電信號的各種特征。在測試晶振信號時,示波器可以用于觀察信號的振蕩頻率、幅度、穩(wěn)定性等參數(shù)。下面將詳細介紹
2023-12-18 14:16:13830

如何利用IIOSCOPE軟件快速上手AD-FMCOMMS3_EBZ板子?

目前手上有一個ADI的AD9361子卡AD-FMCOMMS3_EBZ和一塊ZED BOARD的板子,想問下怎么能夠利用IIOSCOPE軟件快速上手測試。
2023-12-11 06:24:30

LabVIEW與Tektronix示波器實現(xiàn)電源測試自動化

穩(wěn)定性測試、峰值檢測等,并自動生成詳細的測試報告,包括波形、統(tǒng)計數(shù)據(jù)和分析結論。這種自動化不僅大大減少了測試時間,也減少了人為錯誤,提高了數(shù)據(jù)的準確性。 通過這個案例,我們成功地利用LabVIEW
2023-12-09 20:37:39

怎么利用ADA4932實現(xiàn)高阻輸入呢?

方波測試,仍然存在這樣的問題。 難道ADA4932不適合單端轉差分的場合? 在50歐姆端接電阻的情況下,信號源能否驅動50歐姆的電阻是未知的,對一般的信號都是運放輸出,而運放只能輸出到50mA就很大了。那我怎么利用ADA4932實現(xiàn)高阻輸入呢?
2023-11-17 07:50:22

DDR3存儲廠迎漲價商機 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進

法人方面解釋說:“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導,因此,中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲,給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003886

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的,預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516

信號處理板卡設計資料原理:613-基于6UVPX C6678+XCVU9P的信號處理板卡

的24個GTY,LVDS信號,DSP的1路以太網(wǎng) 三、軟件系統(tǒng) ?提供FPGA的接口測試程序,包括 DDR4、光纖、RapidIO、FMC等接口 ?提供DSP接口測試程序,包括DDR3、Flash
2023-10-16 11:12:06

RK3588平臺產(chǎn)測之ArmSoM-W3 DDR壓力測試

1. 簡介 RK3588從入門到精通 ArmSoM團隊在產(chǎn)品量產(chǎn)之前都會對產(chǎn)品做幾次專業(yè)化的功能測試以及性能壓力測試,以此保證產(chǎn)品的質(zhì)量以及穩(wěn)定性 優(yōu)秀的產(chǎn)品都要進行多次全方位的功能測試以及性能
2023-10-09 19:29:50

【紫光同創(chuàng)PGL50H】小眼睛科技盤古50K開發(fā)板試用體驗之DDR讀寫測試

select,導入fdc文件,DDR3的相關配置便會自動更改,而不需要手動一個一個更改。 05 測試讀寫邏輯 自增計數(shù)對DDR所有地址寫一遍,寫完后對所有地址讀一遍,讀出來的數(shù)據(jù)與寫進去的數(shù)據(jù)做一個
2023-10-09 19:07:29

DDR3DDR4的技術特性對比

摘要:本文將對DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較,分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術,為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088

【紫光同創(chuàng)PGL50H】小眼睛科技盤古50K開發(fā)板試用體驗之測測DDR3

采集時,就需要外擴DDR SRAM二級存儲滿足需求。 本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上,為我們配備了兩片DDR3的芯片,完成二級存儲的需求。 兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30

DDR4與DDR3的不同之處 DDR4設計與仿真案例

相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441484

DDR3的規(guī)格書解讀

以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629

DDR3帶寬計算方法 FPGA所支持的最大頻率

DDR3帶寬計算之前,先弄清楚以下內(nèi)存指標。
2023-09-15 14:49:462497

DDR3的原理和應用設計

一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速,一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W,2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757

為什么DDR3/4不需要設置input delay呢?

內(nèi)置校準: DDR3DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準機制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調(diào)整驅動和接收電路的特性,以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420

基于FPGA的DDR3讀寫測試

本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743

基于AXI總線的DDR3讀寫測試

本文開源一個FPGA項目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第9節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:42:55

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第8節(jié)

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:42:05

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:41:15

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:40:25

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:39:35

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:38:44

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:37:54

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第2節(jié)

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:37:04

49 29C DDR3控制器User Interface詳解 - 第1節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:36:13

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第8節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:20:19

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:19:29

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:18:39

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:17:49

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:16:58

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:16:08

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第2節(jié)

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:15:18

48 29B DDR3控制器MIG配置詳解 - 第1節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

控制器DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 14:14:28

47 29A DDR3原理與應用簡介 - 第7節(jié)

DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 13:56:54

47 29A DDR3原理與應用簡介 - 第2節(jié)

DDR3
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 13:52:43

32 31.DDR3實例:基于在線邏輯分析儀調(diào)試DDR3數(shù)據(jù)讀寫 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)串口通信代碼狀態(tài)機邏輯分析儀
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 04:27:54

32 31.DDR3實例:基于在線邏輯分析儀調(diào)試DDR3數(shù)據(jù)讀寫 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)串口通信代碼狀態(tài)機邏輯分析儀
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 04:27:03

32 31.DDR3實例:基于在線邏輯分析儀調(diào)試DDR3數(shù)據(jù)讀寫 - 第2節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)串口通信代碼狀態(tài)機邏輯分析儀
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 04:26:13

32 31.DDR3實例:基于在線邏輯分析儀調(diào)試DDR3數(shù)據(jù)讀寫 - 第1節(jié)

DDR3數(shù)據(jù)串口通信代碼狀態(tài)機邏輯分析儀
充八萬發(fā)布于 2023-08-19 04:25:22

68 第20.3講 DDR3實驗-DDR3初始化 校準 超頻測試 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅動程序函數(shù)
充八萬發(fā)布于 2023-08-17 07:58:15

68 第20.3講 DDR3實驗-DDR3初始化 校準 超頻測試 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅動程序函數(shù)
充八萬發(fā)布于 2023-08-17 07:57:25

68 第20.3講 DDR3實驗-DDR3初始化 校準 超頻測試 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅動程序函數(shù)
充八萬發(fā)布于 2023-08-17 07:56:35

關于MCU200T的DDR3的配置和原理的問題

MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。 在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹 在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34

DDR電路的PCB布局布線要求

GND回流過孔,盡可能增加GND回流過孔數(shù)量,可以進一步改善信號質(zhì)量,如下圖所示。 3、GND過孔和信號過孔的位置會影響信號質(zhì)量,建議GND過孔和信號過孔交叉放置,如下圖所示,雖然同樣是4個GND回流
2023-08-16 15:15:53

從里可以找到DDR200T的DDR3的配置和約束文件?

在配置DDR200T的DDR3時,一些關鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒有提供,請問這些信息應該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57

DDR3緩存模塊仿真平臺構建步驟

復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735

請問PH1A100是否支持DDR3,DDR4?

PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32

xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3

xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470

DDRDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術,中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM,而在中國臺灣以及歐美,工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103365

關于DDR3設計思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312

高速設計:用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

從零開始學習紫光同創(chuàng)FPGA——PGL22G開發(fā)板之DDR3 IP簡單讀寫測試(六)

AXI4讀寫控制模塊** 本次實驗只是一個簡單的讀寫測試實驗,故可以將一些AXI4的信號配置為常量。 使用按鍵控制數(shù)據(jù)開始寫入DDR3,通過一個移位寄存器產(chǎn)生這個寫標志。 使用狀態(tài)機控制寫地址信號,寫
2023-06-25 17:10:00

利用IBERT核對GTX收發(fā)器板級測試

。若信號傳輸質(zhì)量不夠理想,可以通過在serial I/O link的參數(shù)設置進行調(diào)整,再重新掃描查看是否有改善。 為了測試GTX四個通道的誤碼率,創(chuàng)建多個links,對四個通道都進行近端環(huán)回測試
2023-06-21 11:23:12

改善帶有ECC奇數(shù)負載的DDR2信號質(zhì)量的方法

這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負載的DDR2信號質(zhì)量。一種不需要改變拓撲結構,另一種需要對拓撲結構進行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設計

視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求,因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導:DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實驗教程

一、實驗要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制器簡介 PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39

使用帶有ECC芯片的4GB DDR3 RAM連接到T1040處理器DDR控制器,未能成功生成DDR地址奇偶校驗錯誤的原因?

我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。 我嘗試了這個序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤: 步驟1: ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導:DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實驗教程

數(shù)據(jù)速率 800Mbps 一、實驗要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制器簡介 GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45

想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎?

你好 : 專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46

解析DDR設計中容性負載補償?shù)淖饔?/a>

LPDDR4信號測試報告分析

Read Mode的報告,測試信號為CLK_t/c DQS_t/c & DQ這三組信號, 下面這張是使用33GHz示波器運行LPDDR4 Compliance的數(shù)據(jù)表格,F(xiàn)ail了很多
2023-05-16 15:43:05

在i.MX6 SOLO中有沒有辦法讀取芯片DDR3的大???

在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小?
2023-05-06 07:04:11

如何在i.MX8M上測試USB?

嗨,我們想在 iMX8M 上測試 USB 但我們不知道如何測試,我們已經(jīng)看到這個鏈接i.MX6Q/USB HS1 設置的 我們試過寄存器(DCTL) #./memtool -32 0x3810c704=0x00F00008 但它對我們和 evk 板不起作用。 我們想強制輸出測試包,怎么辦?
2023-05-04 06:22:19

IMX8MP, IMX8MM USB測試如何設置寄存器?

正如標題,我們的產(chǎn)品準備量產(chǎn),但面臨信號認證問題。 我們需要通過 USB 測試,但我不知道如何啟用它。 我的軟件設置: 平臺:IMX8MP(USB3.0)、IMX8MM(USB2.0) 操作系統(tǒng)
2023-05-04 06:00:08

看看電源噪聲對信號質(zhì)量的影響

目前對于DDR4、DDR5等并行信號信號速率越來越高,電源性能要求也越來越高,今天我們就來看看電源噪聲對信號質(zhì)量的影響;
2023-04-21 09:47:461289

信號完整性之反射(五)

有些設計中可能是三個或者更多芯片在同一個信號鏈路上,按照flyby拓撲結構布局。如下圖是一顆SOC和3顆DDR3的PCB布局設計。因為三顆DDR3的ADD是共用一組來自SOC的信號線,因此只有ADD
2023-04-15 16:07:50841

DDR SDRAM與SDRAM的區(qū)別

DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場,直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867

已全部加載完成