電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR的數(shù)據(jù)信號速率更高,為啥要更關注DDR的地址控制信號?數(shù)據(jù)信號一般都是點到點的拓撲,而且大多有片上端接(ODT),走線拓撲簡單加上端接加持,信號質(zhì)量通常都比較有保障。而DDR的地址控制類信號
2024-03-04 15:49:14
DDR一致性測試的操作步驟? DDR(雙數(shù)據(jù)率)一致性測試是對DDR內(nèi)存模塊進行測試以確保其性能和可靠性。在進行DDR一致性測試時,需要遵循一系列的操作步驟,以保證測試的準確性和完整性。下面將詳細
2024-02-01 16:24:52207 使用SC584外擴DDR3,no_boot啟動模式,開發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本,在線調(diào)試過程,程序可正常下載,但是在A5預加載過程中會出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象,經(jīng)實際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46
DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號,對信號完整性的要求就更加嚴格,JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別? DDR(雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計算機內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術。在DDR中,終端匹配電阻和信號質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關重要的兩個方面。下面將詳細
2023-12-29 13:54:22316 時鐘頻率:可通過倍頻技術升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率,DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍,DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 被稱為 系統(tǒng)時鐘 。
DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過前沿和下降沿來實現(xiàn)的。在每個時鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會傳輸一個數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。
DDR芯片
2023-12-25 14:02:58
被稱為 系統(tǒng)時鐘 。
DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過前沿和下降沿來實現(xiàn)的。在每個時鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會傳輸一個數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。
DDR芯片
2023-12-25 13:58:55
DDR采用菊花鏈拓撲結構時,由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻,端接的方式有很多,但是都是為了解決信號的反射問題,通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進行
2023-12-25 07:45:01211 何有缺點?看過一個介紹是使用直方圖統(tǒng)計的方式來計算的,但需要大量的數(shù)據(jù);而且在測試這個指標的時候輸入的信號是否也需要接近滿幅度?
(3)應該怎么樣評估外部信號源的質(zhì)量可以滿足ADC測試要求?應該關注
2023-12-22 06:55:00
如何利用示波器測試晶振信號? 示波器是一種廣泛用于電子測試和測量的儀器,可以幫助分析和顯示電信號的各種特征。在測試晶振信號時,示波器可以用于觀察信號的振蕩頻率、幅度、穩(wěn)定性等參數(shù)。下面將詳細介紹
2023-12-18 14:16:13830 目前手上有一個ADI的AD9361子卡AD-FMCOMMS3_EBZ和一塊ZED BOARD的板子,想問下怎么能夠利用IIOSCOPE軟件來快速上手測試。
2023-12-11 06:24:30
穩(wěn)定性測試、峰值檢測等,并自動生成詳細的測試報告,包括波形圖、統(tǒng)計數(shù)據(jù)和分析結論。這種自動化不僅大大減少了測試時間,也減少了人為錯誤,提高了數(shù)據(jù)的準確性。
通過這個案例,我們成功地利用LabVIEW
2023-12-09 20:37:39
方波測試,仍然存在這樣的問題。
難道ADA4932不適合單端轉差分的場合?
在50歐姆端接電阻的情況下,信號源能否驅動50歐姆的電阻是未知的,對一般的信號都是運放輸出,而運放只能輸出到50mA就很大了。那我怎么利用ADA4932來實現(xiàn)高阻輸入呢?
2023-11-17 07:50:22
法人方面解釋說:“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導,因此,中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲,給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003886 DDR3是2007年推出的,預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 的24個GTY,LVDS信號,DSP的1路以太網(wǎng)
三、軟件系統(tǒng)
?提供FPGA的接口測試程序,包括 DDR4、光纖、RapidIO、FMC等接口
?提供DSP接口測試程序,包括DDR3、Flash
2023-10-16 11:12:06
1. 簡介
RK3588從入門到精通
ArmSoM團隊在產(chǎn)品量產(chǎn)之前都會對產(chǎn)品做幾次專業(yè)化的功能測試以及性能壓力測試,以此來保證產(chǎn)品的質(zhì)量以及穩(wěn)定性
優(yōu)秀的產(chǎn)品都要進行多次全方位的功能測試以及性能
2023-10-09 19:29:50
select,導入fdc文件,DDR3的相關配置便會自動更改,而不需要手動一個一個更改。
05 測試讀寫邏輯
自增計數(shù)對DDR所有地址寫一遍,寫完后對所有地址讀一遍,讀出來的數(shù)據(jù)與寫進去的數(shù)據(jù)做一個
2023-10-09 19:07:29
摘要:本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較,分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術,為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 采集時,就需要外擴DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上,為我們配備了兩片DDR3的芯片,來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441484 以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 DDR3帶寬計算之前,先弄清楚以下內(nèi)存指標。
2023-09-15 14:49:462497 一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速,一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W,2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 內(nèi)置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準機制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調(diào)整驅動和接收電路的特性,以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 本文開源一個FPGA項目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
GND回流過孔,盡可能增加GND回流過孔數(shù)量,可以進一步改善信號質(zhì)量,如下圖所示。
3、GND過孔和信號過孔的位置會影響信號質(zhì)量,建議GND過孔和信號過孔交叉放置,如下圖所示,雖然同樣是4個GND回流
2023-08-16 15:15:53
在配置DDR200T的DDR3時,一些關鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒有提供,請問這些信息應該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57
復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術,中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM,而在中國臺灣以及歐美,工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103365 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 AXI4讀寫控制模塊**
本次實驗只是一個簡單的讀寫測試實驗,故可以將一些AXI4的信號配置為常量。
使用按鍵控制數(shù)據(jù)開始寫入DDR3,通過一個移位寄存器來產(chǎn)生這個寫標志。
使用狀態(tài)機來控制寫地址信號,寫
2023-06-25 17:10:00
。若信號傳輸質(zhì)量不夠理想,可以通過在serial I/O link的參數(shù)設置進行調(diào)整,再重新掃描眼圖查看是否有改善。
為了測試GTX四個通道的誤碼率,創(chuàng)建多個links,對四個通道都進行近端環(huán)回測試
2023-06-21 11:23:12
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負載的DDR2信號質(zhì)量。一種不需要改變拓撲結構,另一種需要對拓撲結構進行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474 視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求,因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024 一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程,實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤:
步驟1:
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
數(shù)據(jù)速率 800Mbps
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程,實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
你好 :
專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46
先對比下做容性負載補償前后DDR鏈路前端顆粒信號質(zhì)量情況,因為對于Fly_By鏈路,前端顆粒的信號質(zhì)量是最差的。下圖是有無做容性負載補償鏈路中前端顆粒仿真得出的信號眼圖。
從以上仿真結果來看,當
2023-05-16 17:57:26
Read Mode的報告,測試的信號為CLK_t/c DQS_t/c & DQ這三組信號, 下面這張圖是使用33GHz示波器運行LPDDR4 Compliance的數(shù)據(jù)表格,F(xiàn)ail了很多
2023-05-16 15:43:05
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小?
2023-05-06 07:04:11
嗨,我們想在 iMX8M 上測試 USB 眼圖
但我們不知道如何測試,我們已經(jīng)看到這個鏈接i.MX6Q/USB HS1 設置的眼圖
我們試過寄存器(DCTL)
#./memtool -32 0x3810c704=0x00F00008
但它對我們和 evk 板不起作用。
我們想強制輸出測試包,怎么辦?
2023-05-04 06:22:19
正如標題,我們的產(chǎn)品準備量產(chǎn),但面臨信號認證問題。
我們需要通過 USB 眼圖測試,但我不知道如何啟用它。
我的軟件設置:
平臺:IMX8MP(USB3.0)、IMX8MM(USB2.0)
操作系統(tǒng)
2023-05-04 06:00:08
目前對于DDR4、DDR5等并行信號,信號速率越來越高,電源性能要求也越來越高,今天我們就來看看電源噪聲對信號質(zhì)量的影響;
2023-04-21 09:47:461289 有些設計中可能是三個或者更多芯片在同一個信號鏈路上,按照flyby拓撲結構布局。如下圖是一顆SOC和3顆DDR3的PCB布局設計。因為三顆DDR3的ADD是共用一組來自SOC的信號線,因此只有ADD
2023-04-15 16:07:50841 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場,直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867
評論
查看更多