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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>英飛凌將與松下電器聯(lián)袂,推出常閉型600V GaN功率器件

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂,推出常閉型600V GaN功率器件

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600V/3A開(kāi)關(guān)電源問(wèn)題

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600V電壓輸出采樣

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GaN HEMT可靠性測(cè)試:為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

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GaN和SiC區(qū)別

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功率電器的測(cè)量方法

  1、測(cè)觸點(diǎn)電阻  用萬(wàn)能表的電阻檔,測(cè)量觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)電阻,其阻值應(yīng)為0,(用更加精確方式可測(cè)得觸點(diǎn)阻值在100毫歐以內(nèi));而常開(kāi)觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)的阻值就為無(wú)窮大。由此可以區(qū)別出那個(gè)是觸點(diǎn),那個(gè)
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一般的固態(tài)繼電器,都是有四條腿,兩條輸入,兩條輸出,在輸入端加信號(hào)時(shí),輸出端導(dǎo)通。輸入信號(hào)消失時(shí),輸出端截止。相當(dāng)于帶1個(gè)常開(kāi)觸點(diǎn)的繼電器。那么有沒(méi)有這種固態(tài)繼電器,就是在輸入端加信號(hào)時(shí),輸出端截止。輸入信號(hào)消失時(shí),輸出端導(dǎo)通,相當(dāng)于帶1個(gè)觸點(diǎn)的繼電器
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請(qǐng)問(wèn)有用過(guò)兩路常開(kāi)一路電器的嗎,請(qǐng)把繼電器型號(hào)或網(wǎng)址發(fā)給我
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2018-03-17 15:26:54

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

一種優(yōu)秀的解決方案,其優(yōu)點(diǎn)是同類最好的硅輻射硬設(shè)備的20倍,同時(shí)仍然保持明顯更小和更低的成本。劍橋 GaN 器件有限公司首次推出增強(qiáng)氮化鎵新技術(shù)本次綜述的最終成果來(lái)自2022年亞太經(jīng)合組織會(huì)議
2022-06-15 11:43:25

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯 1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22

電器常開(kāi)演示電路

電器常開(kāi)演示電路attach://299054.rar
2015-11-18 08:07:40

腦細(xì)胞死完了,在線求助開(kāi)關(guān)的問(wèn)題(OTG狀態(tài)監(jiān)測(cè)的那點(diǎn)事兒)

后面還要操作USB_ID拉高或者懸空,完全拉低之后不就不能控制了么。所以我的想法是使用類似的繼電器之類的,把USB_ID接到點(diǎn),另一個(gè)點(diǎn)接地,然后插入U(xiǎn)SB線后,手機(jī)檢測(cè)到ID為低,即輸出
2015-10-19 17:11:07

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有八路的模擬開(kāi)關(guān)

各位路過(guò)的大神們,CD4051是常開(kāi)的模擬開(kāi)關(guān)芯片。請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有八路的模擬開(kāi)關(guān)芯片???
2017-12-12 19:14:45

軟特性650V IGBT降低電磁干擾和電壓尖峰的優(yōu)化器件

600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11

采用半橋設(shè)計(jì)的500V600V高壓集成電路

  國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì),配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器,可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開(kāi)關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15

式檢測(cè)開(kāi)關(guān)

特點(diǎn):式              操作力:30±10gf        
2022-06-06 11:45:15

新一代600V IGBT在UPS的應(yīng)用

本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:2788

第73集:繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)觸點(diǎn) #硬聲創(chuàng)作季 #單片機(jī)

電器器件觸點(diǎn)
fly發(fā)布于 2022-08-25 17:43:34

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì),可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594

熱繼電器觸點(diǎn)在電路中起什么作用?#硬聲創(chuàng)作季

電器觸點(diǎn)
電子知識(shí)科普發(fā)布于 2022-10-17 22:17:02

松下電器選擇恩智浦硅調(diào)諧器打造藍(lán)光DVD錄像機(jī)

松下電器選擇恩智浦硅調(diào)諧器打造藍(lán)光DVD錄像機(jī) 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布,松下電器選擇恩智浦業(yè)界領(lǐng)先的DVB-T硅調(diào)諧器推出可接收地面電視節(jié)目的高
2010-01-14 08:51:211007

適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件   英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列(RC指逆向?qū)?/div>
2010-01-23 08:37:071109

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列(RC指
2010-01-25 08:44:19759

600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction

600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)    日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090

500V和600V的高壓MOSFET

500V和600V的高壓MOSFET  安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664

IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC

IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC 國(guó)際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411350

新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559

Vishay推出600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器

8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:43783

英飛凌600V功率開(kāi)關(guān)器件家族又添新丁

在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744

松下電器IPTV SOC采用多項(xiàng)ARM技術(shù)

松下電器新近發(fā)布的應(yīng)用于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)字電視的UniPhier MN2WS0220片上系統(tǒng)中采用了多項(xiàng)ARM技術(shù)
2011-06-14 08:41:09796

羅姆開(kāi)發(fā)1000A/600V的SiC功率模塊

羅姆開(kāi)發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊,額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國(guó)Arkansas Power Electronics International公司共同開(kāi)發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流,是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461281

IR推出優(yōu)化的600V車用IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847

Transphorm發(fā)布耐壓為600VGaN功率元件

美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600VGaN功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè),因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931

瑞薩推出導(dǎo)通電阻僅為150mΩ的600V耐壓超結(jié)MOSFET

瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794

TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:39874

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667

松下電器質(zhì)量問(wèn)題頻現(xiàn)_松下電器命運(yùn)如何?

許永紅、童海華 創(chuàng)業(yè)百年之際,松下電器產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題頻發(fā)。 國(guó)家質(zhì)檢總局官網(wǎng)信息顯示,因存在安全隱患,松下電器(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱“松下電器”)將在中國(guó)召回兩個(gè)型號(hào)約1.5萬(wàn)臺(tái)電視機(jī)。而早在
2018-04-29 10:20:0010530

日本松下電器公司推出由機(jī)器人配菜的智能餐廳,將在中國(guó)北京開(kāi)業(yè)

日本松下電器公司10月25日發(fā)布消息稱,已與中國(guó)火鍋餐飲巨頭海底撈攜手推出一項(xiàng)新業(yè)務(wù),將開(kāi)發(fā)并提供由手臂型機(jī)器人在廚房為火鍋配菜的餐飲產(chǎn)業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng),該系統(tǒng)首先應(yīng)用在10月28日在中國(guó)北京開(kāi)業(yè)的智能餐廳中,然后逐步推廣。
2018-10-27 10:50:372775

GaN功率器件市場(chǎng)趨熱 英飛凌新方案細(xì)節(jié)曝光

CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN開(kāi)關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC GaN
2018-12-06 18:06:214654

豐田汽車與松下電器成立方形電池事業(yè)合資公司

日前,豐田汽車與松下電器就成立新能源汽車用方形電池事業(yè)合資公司達(dá)成合作意向。
2019-01-23 14:32:091085

利用TI的600V GaN FET功率級(jí)實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

達(dá)拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新,德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)今天宣布推出600 -V氮化鎵(GaN)70mΩ場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET
2019-08-07 10:17:061929

關(guān)于英飛凌GaN系列產(chǎn)品的性能和應(yīng)用分析

此外,英飛凌GaN工藝產(chǎn)品正為眾多系統(tǒng)增加重要價(jià)值,無(wú)論是消費(fèi)還是工業(yè)應(yīng)用,如服務(wù)器、電信設(shè)施、無(wú)線充電、音頻、適配器以及充電器等。這里小編為大家舉個(gè)例子——采用600V,70mΩ CoolGaNTM(IGT60R070D1)器件設(shè)計(jì)了3.6kW電信設(shè)施SMPS系統(tǒng)。
2019-09-24 08:49:114039

松下電器退出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),新唐科技收購(gòu)其股權(quán)

據(jù)日本消息報(bào)道,因不堪持續(xù)虧損,日本松下電器決定退出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并計(jì)劃將其半導(dǎo)體事業(yè)公司股權(quán)出售給中國(guó)臺(tái)灣華邦電子子公司新唐科技。
2019-11-29 14:59:144841

英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用說(shuō)明。
2021-05-19 16:00:5338

英飛凌推出功率器件驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器為核心的吊扇方案

以IMD112T iMOTION? Driver, iMOTION?智能驅(qū)動(dòng)器——帶功率器件驅(qū)動(dòng)的電機(jī)控制器為核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ,逆變器采用3A 600V逆導(dǎo)型IGBT。
2022-06-15 10:06:161352

氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景及行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分析

GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品,主要應(yīng)用于無(wú)線充電件、電源開(kāi)關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制,GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件,在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢(shì)作用。
2023-02-08 09:36:081456

強(qiáng)茂推出優(yōu)越電氣參數(shù)的600V功率FRED

優(yōu)越的電氣參數(shù),呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180

GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率功率密度越來(lái)越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657

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