電子發(fā)燒友App
強(qiáng)茂推出優(yōu)越電氣參數(shù)的600V功率FRED
- FRED(13997)
- PCF(20795)
相關(guān)推薦
600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:07
0
0600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 14:17:130
0金升陽(yáng)首次推出600W、1200W DC/DC寬壓電源—VRF3D_FB-xxWR3系列
近年來，隨著市場(chǎng)對(duì)高壓輸入大功率DC/DC電源需求不斷增加，金升陽(yáng)首次推出600W、1200W DC/DC寬壓電源——VRF3D_FB-600WR3 、VRF3D_FB-1200WR3兩個(gè)系列。
2024-01-12 13:45:30
589
589
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢復(fù)體二極管aMOS5? 超結(jié)MOSFET
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844
844SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8，原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473
473東芝推出用于直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791
791
Toshiba發(fā)布用于無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的600V小型智能功率器件
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301
301東芝推出用于直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657
657
MAX33250E-MAX33251E: 600V Isolated 2Tx/2Rx and 1Tx/1Rx RS-232 Transceiver with ±15kV ESD and Integrated Capacitors Data Sheet MAX33250E-MAX3
with ±15kV ESD and Integrated Capacitors Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MAX33250E-MAX33251E: 600V Isolated 2Tx/2Rx
2023-10-16 19:27:03
《運(yùn)算放大器參數(shù)解析與LTspice應(yīng)用仿真》+學(xué)習(xí)心得3第二章之電氣參數(shù)
實(shí)際工作中，我深刻體會(huì)到正確理解和運(yùn)用這些電氣參數(shù)的重要性。我曾經(jīng)遇到過一個(gè)項(xiàng)目，要求設(shè)計(jì)一個(gè)高精度的放大器電路，我選擇了ADA4077這款精密放大器，根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)，ADA4077在25℃、±15V
2023-10-05 21:33:15
600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500
0基于峰岹的FU6813L波輪洗衣機(jī)控制方案（原理圖+PCB+源程序
基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機(jī)控制方案，F(xiàn)U6813是一款集成電機(jī)控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
600V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
Toshiba推出適用于直流無刷電動(dòng)機(jī)的600V小型智能功率元件
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496
496STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內(nèi)阻，4A超級(jí)MESH功率MOS管
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
天璣600對(duì)比驍龍710參數(shù)
天璣600對(duì)比驍龍710參數(shù) 隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的迅速發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)于手機(jī)的性能需求也越來越高。處理器是影響手機(jī)性能的關(guān)鍵因素之一。目前市面上普遍采用的處理器有天璣和驍龍兩種，其中天璣600
2023-08-16 11:48:141434
1434ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304-id5s609芯片資料
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134
4ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC-ID7U603規(guī)格書
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供ID7U603規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:11:044
4ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表(600V-0.8A-Thyristor / Low Power Use )
CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-07-14 09:39:210
0RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)
RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470
0RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090
0RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160
0RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310
0RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-15A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020
0RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-10A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520
0RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching )
RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-07-13 18:52:500
0RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching)
RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-07-13 18:52:300
0RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-20A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450
0RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-30A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070
0RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表(600V-30A-IGBT / Application:Current resonance circuit)
RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020
0RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)
RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430
0RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)
RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320
0BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-16A-Triac / Medium Power Use)
BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:190
0BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)
BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:010
0BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)
BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:310
0BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)
BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-07-12 18:53:140
0R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437
437RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450
0RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310
0RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170
0RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V-25A-Single Diode Fast Recovery Diode)
RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-07-11 20:15:110
0一文詳解600V穩(wěn)壓電路模塊
所提出的穩(wěn)壓器的主要技術(shù)功能是穩(wěn)壓。它能夠?qū)?至600Vdc的輸入電壓穩(wěn)定為100至560Vdc，最大電流為800mAdc，最大功耗為100W。該裝置還具有良好的穩(wěn)定性，在恒定輸入電壓0分鐘后穩(wěn)定性小于1.15%，并且抑制輸入紋波大于60dB。
2023-07-07 15:32:081462
1462
向右滑動(dòng)即可找到與GaN/SiC開關(guān)完美匹配的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
圖1所示電路顯示了一個(gè)電路，其中低壓微控制器與高壓域（包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動(dòng)器）電氣隔離（出于安全原因）。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如，GaN功率系統(tǒng)的開關(guān)時(shí)間通常為5ns（比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33275
275
TP600交直流電參數(shù)測(cè)試記錄儀可靠性進(jìn)行評(píng)估
TP600交直流電參數(shù)測(cè)試記錄儀是一種用于測(cè)試電器類產(chǎn)品的功率功耗的儀器。在戶外電源研發(fā)測(cè)試中，TP600交直流電參數(shù)測(cè)試記錄儀可以用于監(jiān)測(cè)電源的電壓、電流、功率因素、頻率等參數(shù)，并可以將測(cè)得的數(shù)據(jù)記錄下來。
2023-06-28 09:42:41223
223
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523
523
超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228
228
東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712
712
BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-16A-Triac / Medium Power Use)
BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:170
0BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)
BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:010
0BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)
BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:230
0BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)
BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-05-15 20:00:080
0RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590
0RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390
0RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270
0RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V-25A-Single Diode Fast Recovery Diode)
RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-05-15 19:04:130
0AOS推出 600V 50mohm aMOS7?超結(jié)高壓 MOSFET
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15665
665
ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344
4ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7-士蘭微IGBT代理
供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:37:48
電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105
550A、600V SGTP50V60FD2PU電機(jī)逆變器igbt-士蘭微igbt一級(jí)代理商
供應(yīng)50A、600V SGTP50V60FD2PU電機(jī)逆變器igbt，是士蘭微igbt一級(jí)代理商，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:22:26
50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592
2IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt
供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:14:31
SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)
供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:09:042
2igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A-士蘭微IGBT代理商
供應(yīng)igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:07:50
STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù)
供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù)，提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:59:562
2600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F參數(shù)
供應(yīng)600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:15:051
1IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt
供應(yīng)IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:13:31
全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491
1士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)
供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:01:10
STGF19NC60KD替代料SGT20T60SD1P7 逆變焊機(jī)單管igbt 20A、600V
供應(yīng)STGF19NC60KD替代料SGT20T60SD1P7 逆變焊機(jī)單管igbt 20A、600V，提供SGT20T60SD1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:50:59
SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器-士蘭微IGBT代理商
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:40:25
士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管
供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:27:47
SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變igbt參數(shù)-士蘭微igbt
供應(yīng)士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:22:02
igbt單管逆變焊機(jī)SGTP5T60SD1F 5A、600V 型號(hào)及參數(shù)
供應(yīng)igbt單管逆變焊機(jī)SGTP5T60SD1F 5A、600V 型號(hào)及參數(shù)，提供SGTP5T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:05:15
5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131
1SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1
供應(yīng)SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:43:53
IMXRT1062音頻PLL(PLL4)的電氣參數(shù)在哪個(gè)文檔中找到？
IMXRT1062音頻PLL(PLL4)的電氣參數(shù)在哪個(gè)文檔中找到？（例如 IMXRT600 14.7 主/系統(tǒng)和音頻 PLL 的數(shù)據(jù)表）
2023-04-03 09:04:21
CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表(600V-0.8A-Thyristor / Low Power Use )
CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-03-31 19:28:150
0RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)
RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480
0RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310
0RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000
0RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)
RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070
0RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-15A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000
0RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-10A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430
0RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching )
RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410
0RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching)
RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280
0RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-20A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350
0RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-30A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180
0RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表(600V-30A-IGBT / Application:Current resonance circuit)
RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000
0RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)
RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470
0RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)
RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340
0ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35934
934
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論